Ждущий мультивибратор

Своа Советских Соцналястяяескнх Республик(5) М. Кл, НОЗК Гасудзрстввеыа ханхтвтЙеаата Макщтрвв СССР (2аа дмея езабратенйа аткрнтка(4 Б) Дата опубликования описания 20.04.78 5 З) УЙ)621.37, Лебе 71) Заявитель 54) ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТО Изобретение относится к импульсной технике, в час гности к устройствам формирования прямоугольных импульсов напряжения и может быть использовано и различных устройствах радиоэлектронной . техники.Известны ждущие мультивибраторы на двух транзисторах одного типа проводимости, содержащие один или два дополнительных транзистора во времязадвюших цепях, включенных для расширения диапазона регулирования длительности импульсов; формируемых ждушими мультивибраторамя Я 21. Однако известные ждущие мулвгивибраторы имеют сравнительно невысокий коэффициент перекрьггяя длительности импульсов, вследствие влияния цепей регулирования длительности импульсов на режим транзистора,Целью изобретения является увеличение коэффициента перекрытия длительности формируемых импульсов. В описываемом мультивибраторе это достигается тем, что в нем коллектор одного дополнительного транзистора подключен через резистор и диод к базе основного транзистора, а коллектор другого дополнительного транзистора подключен к переменному резистору.Нв чертеже приведена принципиальнаясхема описываемого мулцгивибратора.Он собран на двух основных транзисторах 1 и 2 проводимости тяпа р у 1-ри двух дополнительных транзисторах 3 и 4 проводимости ът -р- тт . Питание схемы осуществляется от источника 5 отрицательного на О пряжения, Запуск осуществляется подачейположительных импульсов нв базу нормально открытого транзистора 2, Эмяттеры трап эисторов 3 и 4 соединены с "минусом источника б питания, База транзистора 4 соер динена с обшей точкой делителя иэ резисторов 6 и 7, составляющих коллекторную нагрузку транзистора 2, а коллектор соединен.через реве.тор 8 и диод 9 с базой транзистора 2, а через диод 10 - с отклю чаюшим диодом 11, База транзистора 3соединена с обшей точкой делителя, состояшего иэ резисторов 12 и 13, составляющих коллекторную нагь)эку нормально закрытого транзистора 1, в коллектор через огра ничиваюшнй резистор 14 я переменный рези607 329 3стор 15, составляющие перезарядное сопротивление, обьединен с конденсатором 16 ибазой транзистора 2.Запирающее напряжение подается на базутранзистора 1 от источника 17 положитель-,ного напряжения, удерживающего транзистор1 в закрытом состоянии, Ввиду отсутствияколлекторного тока транзистора 1 закрыттакже и транзистор 3, управляемый этимтоком, Транзистор 2 в это время открыт 1 ои находится в насыщенном состоянии от действия источника 5 через открытый ключна транзисторе 4, который в свою очередьоткрыт коллекторным током транзистора 2.Прн поступлении положительного импульсазапуска схема переходит в квазиустойчнвоесостояние, в котором транзистор 1 открытн насыщен, а транзистор 2 закрыт положительным напряженнем конденсатора 16, Прнэтом транзистор 4 закрывается, вследствие 2 оотсутствия коллекторного тока транзистора. 2, а транзастор 3 открыт эа счет коллекторного тока транзистора 1,Такям образом, переэаряд времяэадвющего конденсатора 16 происходит по цепнф . 25переменный резистор 15, ограничивающийрезистор,1 4, открытый транзистор 3, источник5 питания, открытый транзистор 1, диод 11.Прй появленнн на базе отрицательного.,напряжения транзистор 2 открывается н егоколлекторный ток открывает транзистор 4.Прн этом увеличнвветс я базовый ток транзистора 2, что в свою очередь увеличиваетколлекторный ток транзистора 2, а следовательно, еще более открывает транзистор354 н так далее. Одновременно действует положительная обратная связь мультнвнбраторвв резулвгвте которой транзистор 1 закрывается, а транзистор 2 открывается и входит в насыщение.за счет базового тока че- ю питания, определяемого величиной сопротивления резистора 8. Транзистор 3 закрыт, яцепь времяэвдаюших резисторов 14, и 15отключена, Через открытый транзистор 4,диод 10 н переход бвза-эмнттер транзистора 2 происходит быстрое восстановлениезаряда времяэвавющего конденсатора 16,Таким образом, в исходном состояниибазовый ток транзистора 2 задается от 1;сточника питания через резнстор 8, а времяпереэаряда времязадвющего конденсатора вквазнустойчивом состоянии определяется резисторами 14 н 15. Это позволяет изменять величину сопротивления резистора 15в широких пределах, не изменяя исходногосостояния транзистора 2,формула изобретения Ждуший мулнгнвнбратор на двух транэистЬрвх одного типа проводимости с коллекторно-базовыми связями с отключающими диодами, содержащий два дополнительных транзистора другого тяпа проводимости, эмитгеры которых подключены к источнику коллекторного питания, о т л н ч а ю щ н йс я теь 4 что, с целью увеличения коэффициента перекрытия длительности формируемых импульсов, коллектор одного дополни тельного транзистора подключен через резистор и диод к базе основного транзистора, а коллектор другого дополнительного транзистора подключен к переменному резистору.Источники информация, принятые во внимание прн экспертизе:1, Гольденберг Л, М. Теория и расчет импульсных устройств на полупроводниковых приборах, Связь, 1969, с, 278, рис.5.1.2, Авторское свидетельство% 388353, кл, Н 03 К 3/281, 1971,ЦНИИ ПИ Заказ 2623/43Тираж 1086 Подписное нлиал ППП "Патент",Ужгород, ул, Проектная