Номер патента: 586502

Авторы: Андрианова, Филатов

ZIP архив

Текст

н 1 586502 СПИСАНИЕ ИЗОБВЕТЕНИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических , Республик(45) Дата опубликования описания 23.12,7) М, Кл. Н 01 В 3/08 Государственный конитеСовета Министров СССР 53) УДК 621.315(088.8) о делан иэобрете открытий Авторыизобретения О. В, Андрианова и В. Н, филатовектно-технологический и научно-исследовательский институт) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПАСТ ти микроэлеквано при изгобольших гибкой печати,ол обусловлеи повышенной сос- стал- тугоУдельная емкость диэлектрической пасты, используемой для межслойной изоляции, должна быть не более 150 пф/см, напряжение пробоя изоляции - не менее 500 В, сопротивление изоляции - не менее 10 " Ом.Известны пасты для межслойной изоляции, изготовленные на основе свинцовоцинкоборатных стекол и тугоплавких сидов.Эти пасты предназначены для изоляции пересекающихся проводников и имеют довольно низкую диэлектрическую постоянную. Эти пасты используют при создании сложных толстопленочных гибридных схем.Для паст, выполненных на основе свинцовоцинкоборатных стекол, характерны значительные изменения электрофизических параметров при повторных обработках, а также при длительных воздействиях комплекса климатических и электрических нагрузок.Применение в пастах кристаллизующихся стекол позволяет повысить плотность элементова также создать коммутацию, содержащую до пяти проводниковых слоев, Высокая плотность элементов микросхем с использоваПредложен следующий со 20 Кристалли Оксид магная диэлектрическастав, вес, %:зующееся стеклония паста имеет 70 - 95 5 - 30 Были изгото с содержание 20, 30, 40, Каж дельных ступк водилась приПолученные приведенные в влены и исследова м оксида магния (в дая паста изготавл ах. Термообработк пиковой температу пасты имели ха таблице:ны шесть пастес.%) 3, 5, 10,ивалась в ота паст произре 750 С,рактеристики Изобретение относится к обла роники и может быть использо овлении межслойной изоляции идных схем методом трафаре нием кристаллизующихся стекна их меньшей подвижностьютермостойкостью,Наиболее близка к предлагаемому по5 таву ингредиентов паста на основе крилизующего стекла и наполнителя в видеплавкого оксида алюминия,Однако известные пасты имеют высокуюудельную емкость (порядка 220 пф/см 2), что0 способствует образованию паразитных емкостей при изготовлении многослойных схем ипересечений проводников.Целью изобретения является уменьшениеудельной емкости, Для достижения указаннойцели в предлагаемой пасте в качестве наполнителя применяется оксид магния.кость 400190 в 2145 в 1150 в 2 3 5 10 20 40 9.1010 - 44.10 1000 1000 1000 50 50 50 22 27 27 50 25 25 Паста не спечена, плохая адгезия Формула изобретения Составитель П. Забуга Техред Н. Рыбкина Корректор Е, Хмелева Редактор В. Левятов Подписное Заказ 2625/15 Изд.978 Тираж 995 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Как видно из таблицы, величина удельной емкости у предложенной пасты ниже, чем у известной пасты.Оптимальное содержание оксида магния 10%. При содержании в пасте оксида магния меньше 5% недопустимо увеличивается удельная емкость (400 пф/см), априувеличении его количества в пасте свыше 30% - уменьшается адгезия пасты к подложке, паста не спекается.Применение оксида магния в качестве наполнителя позволяст снизить удельную емкость пасты, повысить влагостойкость. Эти свойства способствуют повышению качества многослойных больших гибридных микросхем.Переход на использование предлохкенной пасты не создает никаких производственных трудностей, так как технология приготовления пасты и оборудование для ее вжигания не меняются по сравнению с существующей техно логией и оборудованием. Диэлектрическая паста, содержащая крис таллизующееся стекло и наполнитель отличающаяся тем, что, с целью уменьшения удельной емкости, она содержит в качестве наполнителя оксид магния при следующем соотношении ингредиентов, вес. %:15 Кристаллизующееся стекло 70 - 95Оксид магния 5 - 30

Смотреть

Заявка

2358769, 10.05.1976

ПРОЕКТНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ И НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ

АНДРИАНОВА ОЛЬГА ВЕНИАМИНОВНА, ФИЛАТОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01B 3/08

Метки: диэлектрическая, паста

Опубликовано: 30.12.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-586502-diehlektricheskaya-pasta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Диэлектрическая паста</a>

Похожие патенты