Магнитная муфта

Е 1111 5844 ОЗ Союз Советских Социалистических Республик) 2308902/24-07 з Н 02 К 4900 с присосдинсЕПЕем заявкиГосударственный комитет Совета Министров СССР(088.8) по делам изобретении и открытий(71) Заявител енинградская ордена Ленина лесотехническая академия им, С, М. Кирова 4) МАГНИТНАЯ МУФТА Изоб строени энергии с повышИзсты насостоящотделен етение относится к области машино я и касается передачи механической с помощьео магнитного поля в объемы се 1 ной гс 1)мсти ностЕЕО.тны экранированные магниттыс муфанизотропных постоянных магнитах, ие из ведущей и ведомой полумуфт, Еых немагнитным герметичным экраном.При цилиндрической конструкции муфт на внутренней поверхности ведущей полумуфты и на внешней поверхности ведомой полумуфты магниты в виде плоских пластинок устанавливаются вплотную друг к другу, при этом по окружности устанавливается наибольшее количество активного магнитного материала.ИзВестны также констр кции экранированных магнитных муфт, состояшис пз ведущей и ведомой полумуфт с постоянными магнитами, отделенных экраном, и пмсющис па одной из полумуфт элсктропроводнуо короткозамкнутуо дсмпфсрную обмотку, стержни которой расположены между постоянными магнитами, Благодаря наличию дсмпфсрной обмотки тахая магнитная муфта обладает повышенной устойчивостью при колебаниях момента сопротивления на валу ведомой полумуфты, однако размещение стержней демпферной обмотки между магнитами нс позволяет использовать поверивость этой полумуфты полностьо для заполнения активным материалом(магнитом), что, В свою очередь, уменьшаетвеличину передаваемого врацающсго моментамуфты,Целью изобретения является увеличение велчпны передаваемого вращающего моментаот Ведущей к ведомой нолумуфтс,Поставленная цель достигается за счет того,что в мапштной м; фте анпзотропные магнитыустановлены в два слоя, в наружном слоемагниты установлены по всеи окружностивплотную друг к другу, а во внутрсннем слоемяп 11 т ы устанОВлспы с промсзю ткями, В которых размещены стержни дсмпфсрной обмотки.5 На фиг. 1 изображена магнитная экранированная х;уфта; на фиг, 2 - один нз вариантовизготовления сталыой оосчайкн; на фиг. 3 -вариант исполнения наружной полумуфты. еЧагпптная экранированная муфта па анпзотропцых магнитах (типа окспднс-барпсвых) содсрзкнт магниты 1, устяеОВ,синьс по ОкружнОсти ВплотнгО Один к дрггомг, стержни дсмпфсрной обмотки 2, установленные под слоем магнитов в промежутках, сделанных стальной обсчайке 3, на которой крепятся (приклеиваотся) магниты. Такая конструкция даст 1007 о заполнения магнитами окружности полумуфты. При этом демпфсрная обмотка можст Оыть устанОВлсня у 1 сазянным спосооом584403 970 Тираж 917 венного комитета пиетров СССР етений и открытиг 5, Раушская наб.,Изд Кз О Государе Совета М делам изоб Москва, Жпо035,нпография, пр. Сапунова, 2 3на наружной или на внутренней полумуфтах,или на обеих,Стержни демпферной обмотки 2 можно наклеивать на стальную цилиндрическую обечайку 3 (фиг. 2), а пространство между стержнями заполняется ферромагнитными стальнымипластинами 4 прямоугольного сечения, которые также приклеиваются к обечайке, а затемкрепятся магниты 1.Таким способом может быть выполнена как 10внешняя, так и наружная полумуфты,Пластинки 4 из ферромагнитной стали можно заменить постоянными магнитами (фиг. 3).Преимущество такой конструкции магнитноймуфты состоит в следующем.Увеличивается намагничивающая сила магнитов, что ведет к увеличению магнитного потока и увеличению момента, передаваемого муфтой от ведущей полумуфты к ведомой, приодних и тех же зазорах между магнитами ведушей и ведомой полумуфт. Формула изобретения Магнитная муфта, содержащая ведущую и ведомую полумуфты с постоянными анизотропными магнитами, отделенные немагнитным экраном, демпферную обмотку, о т л и ч аю ш а я с я тем, что, с целью увеличения вращающего момента, передаваемого от ведущей к ведомой полумуфте, анизотропные магниты установлены в два слоя, в наружном слое магниты установлены по всей окружности вплотную друг к другу, а во внутреннем слое магниты установлены с промежутками, в которых размещены стержни демпферной обмотки. Составитель А. ТрепутневаРедактор Н. Каменская Техред Н. Рыбкина Корректор Л. Тарасова