Способ определения объемного веса ячеистого бетона

Номер патента: 443262

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Бельман, Гондза, Немченко, Пильгуй, Тарасенко

МПК: G01G 23/36

Метки: вагон-весами, веса, дистанционной, загружаемой, передачи, регистрации, шихты

...информации не ведется, так как магнитоуправляемый контакт 2 разомкнут. В 10 момент подъема шестерни вращения затвора бункера размыкается контакт 9, при этом конденсатор 10 заряжается через обмотку управления 5 и резистор П. Ток заряда, проходя и нерез обмотку управления 5, создает магнитный поток, замыкающий контакты 2. Сигнал частотного преобразователя 1, пропорциональный весу содержимого карманов ваган-весов до ао загрузки,поступает по линии связи Ф навходй блока управления 5 и элемента совпадения 7.Блок управления 5 формирует сигналы для запуска и синхронизации ю генератора б и подготовки реверсив. ного счетчика 8 к операции фвычитание". Приложенный к элементу совпадения 7 временной сигнал от генера) тора б позволяет вычесть...

Номер патента: 316920

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Афонюшкин, Сахно, Специальное, Толмачев

МПК: G01B 5/26

Метки: веса, квадратного, метра, площади, полотна, сетного, фиктивной

...а, - а 4 по диагональной нитке 1, выходящей из узла А.Определение веса квадратного метра фик 5 тивной площади сетного полотна по предлагаемому способу производится как в известных способах путем определения отношенияего веса к фиктивной площади,Измерение выполняют в два этапа: внача 10 ле определяют фиктивную площадь образца,а затем его вес,Определение фиктивной площади образца(5 ф = Н, 1 где Н, - ширина,длина образца в жгуте) производят путем измерения длины целых диагональных отрезковнитей ( 1) и остатка (А) по всейдлине образца, начиная с крайнего верхнегоили нижнего узла А. При этом сумма всех20диагональных отрезков нитей Х 1,) и остатка ф соответствует длине образца в жгуте(Е), а средняя длина одного целого диагоранального...

Номер патента: 126619

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Оржевский, Фистуля

МПК: G01C 11/28

Метки: объемных, площади, поперечного, сечения, тел

...лучу, интенсивность которого нарастает по линейному закону, помещают измеряемый образец, приводят его во вращение и по усредненному току фотоэлемента судят о площади поперечного сечения. На чсртеые изображена скелстная схема устройства по описываемому способу.Световой поток, п 1 олучеццый от источника света 1, формируется в плоский пучок оптической системой 2 и падает на фотоэлемент 3. Перед фотоэлементом перпендикулярно пучку света помещен образец 4. Прц одинаковой интенсивности светового пучка по его сечению освещеннос.ь фотокатода фотоэлемента пропорциональна затемненному участку пучка света, который образуется площадью тела (образца) 4. Если тело 4 привести во вращение, то ток фотоэлемента будет п 1 ропорционален среднему радиусу...

Номер патента: 18427

Опубликовано: 31.10.1930

Автор: Богданов

МПК: B23C 7/02

Метки: весов, подвесных, серег, станку, товарно-багажных, токарному, фрезерования

...сбоку; фиг. 2 - вид его спереди.Предлагаемое приспособление (фиг. 1 и 2) укрепляется на бруске Б, зажимаемом ъ суппорте токарного станка и снабженном на конце засечкой Б, с бруском Б связан направляющий стержень Х и в бруске Б имеется отверстие, в котором при помощи щпильки .Е укреплен винт В с правой и левой нарезками по концам. На направляюмгий стержень Хнадеты с двух сторон фасонпые с насечкой губки Д, и Дснабженные на концах насечкою и отверстиями, нарезанными винтовой нарезкой, в которые входит винт В,Перед началом работы подлежащая ебработке серьга Ь устанавливается между( бруском Б. укрепленным в суппорте станка , и губками Д, и Д, при чем последние, с целью надлежащего зажима серьги Л; плотно прижпма 1 отся к ней...

Номер патента: 1132267

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Уродов, Фишер

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: дефектов, локальных, обнаружения, образцах, объемных, полупроводниковых

...в корпус Отбракованцых приборов без их вскрытия.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающий воздей. ствие на образец сфокусированного рентгенов. ского излучения, направленного в толщу об. разца, и контроль качества образца И.Недостатком этого способа является невоз. можцость осуществлять контроль локальпых объемных дефектов в полупроводниковых структурах и приборах.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей преимуществен- . но для контроля качества готовых полупроводн 5 псовь 5 х приборов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, обнаружения локальных объемных дефектов в...