Способ определения компонент тензора термо-э. д. с.

О П И А Н И 1167860ИЗОБРЕТЕНИЯ баюа Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 01.04.76 (21) 2341389/18-25 51) М, Кл г б 01 М 25,с присоединением заявки М сударственный комитет 23) Приоритет43) Опубликоьано 30.10.77. Бюллетень М 445) Дата опубликования описания 28.10.77 Совета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий. К, Панкратов Заян:;тель новицкий ордена Трудового Красного Знамени государственный университет 54) СПОСОБ ОПР ЛЕНИЯ КОМПОНЕНТ ТЕНЗОРАЕРМО-ЭДС Е 1 д-) 1(Е+Е. с 1 д)аЙ Т) вычисляОптнм поперечн моэлектрЧерте Еслг оси х, (с компоне носящие числя ют(огай Т),ЛУ,+АУ ырсзают в кр под углом р и определяю т с 1 дср 1Ьхв / Изобретение относится к исслсдованшо термоэлектрических явлений в анизотропных материалах.Известен способ определения отдельных компонент тензора термо-ЭДС, по которому 5 из монокристаллического слитка вырезают образцы вдоль каждого кристаллографического направления и на каждом из них определяот одну из диагональных компонент тензора термо-ЭДС путем создания градиента тем пературы вдоль образца и измерения составляющей напряженности термоэлектрического поля Еь совпадающей по направлснио с градиентом температуры.Этот метод громоздок, так как нужно иметь 1 д образцы по числу диагональных компонент тензора термо-ЭДС, и предъявляет жесткие требования к однородности слитка, из которого вырезаются образцы. Погрешность в конечный результат вносит не только возможное 20 различие образцов по качеству монокристаллической структуры и составу, например, примесей, но и различная обработка образцов, различные условия эксперимента.Целью изобретения является повышение 25 точности определения и уменьшение трудоемкости эксперимента.Для этого образец вграфчес(ой плоскостисталлографической осит 30 ительно составляющую апряженности тероэлектрпческого поля Е, направленную перпендикулярно к градиенту температуры и по формулам1 от компоненты тензора термо-ЭДС. альным углом является гр=45, когда ая составляющая напряженности терического поля максимальна.поясняет предлагаемый способ. радиент температуры создан вдоль м. чертеж), искомые диагональные нты тензора термо-ЭДС аи агг, отся соответственно к осям хи хг, выпо формулам:(Е+Е, с 1 д) угад Т 25 22 Составитель С. БеловодченкоТсхрсд И, Карандашова Корректор Л, Брахнина Рсдактор Н. Коляда Подписное Заказ 2403/7 Изд.846 Тираж 1109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Если градиент температуры создан вдоль оси х 2, искомые компоненты тензора термо- ЭДС вычисляются по формулам:(дгас 1 Т)2ду,+до,2 1 д (дТ)2Лх/где Е, и Е, - составляющие напряженности термоэлектрического поля вдоль осей х 2 и х 2;(дгас 1 Т)1 и (дгас 1 Т), - составляющие градиента температуры вдоль осей х 2 и хз;дс/1 и дс/2 - разности потенциалов на отрезках дх 1 и дха;Дхг и Дхз - линейные размеры образца.Вторые части приведенных формул справедливы при следующих допущениях: температурное поле имеет линейный характер(дгас 1 Т), =1 ЬТ);1 Ьх;) температурной зависимостью коэффициентов термо-ЭДС в интервале температур ДТ можно пренебречь.Предложенным способом на образце сурьмянистого кадмия стехиометрического состава, вырезанном в плоскости (100) под углом гр=45 к кристаллографической оси для двух компонент тензора термо-ЭДС при 300 К были получены значения а оо 1 -- 325 мкв/град, 5ого =149 мкв/гРаД. Способ определения компонент тензора термо-ЭДС анизотропных материалов путем создания вдоль образца градиента температуры и измерения составляющей напряженности термоэлектрического поля Е и, совпадающей по направлению с градиентом температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и уменьшения трудоемкости эксперимента, образец вырезают в кристаллографической плоскости под углом ср к кристаллографической оси и определяют дополнительно составляющую напряженности термоэлектрического поля Е, направленную перпендикулярно к градиенту температуры и по формулам вычисляют компоненты тензора термо-ЭДС.302. Способ по п. 1, отличающийся тем,что образец вырезают под углом гр=45 ккристаллографической оси.