Способ изготовления резонансных дек к роялям и пианино

Номер патента: 1453624

Опубликовано: 23.01.1989

Автор: Осетров

МПК: H04R 29/00

Метки: акустического, давления, дальнем, излучателя, поле, пьезоэлектрического, резонансного, спектра

...вычисления спектра чу) колебательной скорости по спектру и(И) электрического сигнала, возбуждающего преобразонатель, достаточно знать Функции КИ) и г(У).Комплексная амплитуда РИ) акустического давления в точке дальнего поля (точке измерений) описывается выражениемОР(,)Я) = - - е, (5)) с ) где Е - вещественная величина, зависящая от вида пьезоэлектрического излучателя.15 Обозначая г (я) = гйд)МЬэ получим 3. Вычисление спектра Р (я) по Формуле (7).Величина В с одной стороны, должна выбираться такой, чтобы обеспечить проведение измерений в дальнем поле излучателя, т,е. В,ъ ЗЛ /я, где 1) - наибольший размер излучающей системы; 9 - длина волны, соответствующая наименьшей частоте полосы йропускания пьезоэлектрического излучателя, т.е. И . С...

Номер патента: 552634

Опубликовано: 30.03.1977

Автор: Абоимов

МПК: G10C 3/06

Метки: пианино, роялей, штег

...ухудшает звучание.Для уменьшения давления струн на резона- торную доску в предлагаемом штеге каподастор с металлической пластиной зажат на струнах в подвешенном состоянии, а для фиксации предназначены винты,На фиг. 1 изображена часть штега, в плане; на фиг, 2 - разрез по Л - Л на фиг, 1; на фиг, 3 - разрез по Б - Б на фиг, 1,Штег состоит из металлической и деревянной частей 1 и 2, разделенных воздушным промежутком. Металлическая часть 1 выполнена в виде профильной пластины, например неравностороннего угоника с вертикальнойполкой, на горизонтальном участке которогорасположены трехгранные призмы 3, отсекающие в каждом хоре струны 4, зажатые капо 5 дастром 5,Каподастор с металлической пластиной зажат на струнах в подвешенном состоянии...

Номер патента: 1574316

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Богданов, Брук, Куклин, Попов

МПК: B21D 11/00, B21D 11/20

Метки: двоякой, заготовок, кривизны, листовых, формообразования

...пуансоном и матрицей, сохраняют с помощью прокладок 7,укладываемых снизу и сверху заготовки перед гибкой, Так как на первом переходе изгибу подвергается практически вся поверхность заготовки,то этот прием используется также для ее правки в состоянии поставки. Способ позволяет формообразовывать детали с различными радиусами кривизны вдоль и поперек заготовки. В случае седлообразной формы детали обычно кривизна в продольном направлении больше,а радиус соответственно меньше, поэтому в этом направлении и производят изгиб на первом пере 1574316ходе, а затем заготовку кантуют и укладывают сверху две прокладки,а снизу - одну,т.е.наоборот по сравнению с получением парусовидной формы.5П р и м е рЛисты толщиной более 40 мм, габаритами 2 х 8 м для...

Номер патента: 920351

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Шалагин

МПК: G01B 5/22

Метки: кривизны, поверхности, радиуса, сферической, сферометр

...поверхностями 5 и 6 иотсчетное устройство 7,Измерение радиуса кривизны с помощью сферометра осуществляется следующим образом.На контролируемую сферическую.поверхность накладывают сферометрконтактной поверхностье 2 базовойопоры 1. Измерительный стержень. 4доводят его контактной поверхностью5 до контролируеМой поверхности.С отсчетного устройства 7 снимаютпоказания. Затем накладывают сферометр на эту же контролируемую поверхность, но уже контактной поверхностью 3 базовой опоры 1, Иэмерительный стержень 4 доводят его контактной поверхностью 6 до контролируемой поверхности, и с отсчетногоустройства 7 снимают показания,Разность отсчетов является удвоеннымзначением высоты сферического сегмента контролируемой поверхности.Способ...

Номер патента: 1471235

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Дернов, Коваль, Колбасов, Сурнин, Ярыш

МПК: H01L 25/02

Метки: преобразовательное

...минимальное сопротивление линий 9. совмещения всех стенок перегородок 4-6,проникает в каналы охладитсля, гдетакже вследствие больших радиусовкривизны, минимально теряя напор,выходит из охладителя. Кроме того,прямоугольная форма поперечногосечения каналов охладителя обуславливает приближение большей части ихсмачиваемой поверхности к контактнымповерхностям полупроводниковых приборов, что в конечном итоге позволяет большему количеству хладагентаомывать поверхности каналов длявыноса тепловыделений и охлажденияр-и-структуры полупроводниковых приборов,1Выполнение стенок перегородок каналов охладителей сходяппюися у входаи выхода в канал в линии позволяетпо сравнению с известным устройством,существенно снизить давление на входах в каждом...