Стекло

БРЕТЕНИЯ соубли АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ полнительное к авт. свид-ву, Кл з С ОЗС 3/12 2) Заявлено 30.12 2101963 33 псоединением заявки-Приоритетбликовано 30.0 Госурарствениыи комите Совета Министров ССС УДК 666,117.9::537.226 (088 ллетеньо релам изобретений и открытийата опубликования описапи 03.05.7 Авторыизобретени. К, Яхкинд, В, А, Харьюзов, А. М. Тютикови Г. А. Чебан вчаренк 71) Заявитель СТЕК С целью коэффициен ла предлага жит 8 гО и ВзОз, ТазОз понентов, в СиО 3 - 11; ЯгО 1 - 4 и ВзОз, ТаОз Изобретение относится к области производства стекла, а именно к стеклам, имеющим полупроводниковый характер электропроводности, сочетающийся с наличием вторичной электронной эмиссии, и может быть применено в электронной и радиоаппаратуре, в частности в электронных умножителях с непрерывными эмиттерами, например в микроканальных усилителях яркости изображения.Известно стекло, включающее Те 02, ЧОз, СцО, СеОз, МЬзОз, %0 з 1Недостатком известного стекла являются: низкие значения вязкости в интервале температур размягчения и высокие значения коэффициента термического расширения, что делает невозможным вытягивание из расплава стекловолокна, состоящего из полупроводникового стекла-оболочки и растворимого стекла-сердцевины, вследствие более высокой вязкости растворимого стекла,повышения вязкости и снижения та термического расширения стекемое стекло дополнительно содеродин окисел из группы ВаО, бе 02, при следующем соотношении комес, %: Те 02 48 - 58; УзОз 17 - 28; Се 02 б - 8; ХЬзОз 3 - 7; ЮОз б - 10 один окисел из группы: ВаО, Сте 02, - 1 - 6. Составы, электрические и эмиссионные свойства предлатаемых стекол приведены в табл. 1.В табл. 2 приведены значения вязкости стекла в интервале температур размягчення и ко эффициентов термического расширения, обеспечивающие совместимость полупроводникового стекла оболочки с растворимым стеклом- сердцевиной.Стекло обладает достаточно высокой хими ческой устойчивостью: потери в весе при действии воды с температурой 80 С за 6 час составляют 0,1 мг/см 2, а также достаточно низкой кристаллизационной способностью, делающей стекло пригодным для промышленного 15 производства, Варка стекла производится вкварцевых тиглях при температурах 750 - 850 С с использованием известного производственного оборудования.Сочетание указанных свойств позволяет вы тягивать стекловолокно, состоящее из полупроводникового стекла-оболочки и растворимого стекла сердцевины, которое после дальнейшего спекания, перетяжки и выщелачивания сердцевины водою может быть получено 25 в виде микроканальных пластин с диаметрамиканалов до 20 мкм при малых отклонениях диаметров отдельных капилляров между собой и по толщине пластины, что позволяет повысить разрешающую способность микрока нальной пластины.552311 Таблица 1 Удельное электрическое со- противление при20 С С о с т а в, в е с. у Номерп/п окисел из группы ВаО, ОеО В,ОТавО;Коэффициент термического расширенияя, град Стекло 9 8 10 12 13 167 10388 348 361 374 364 378 322 405 424 Полупроводни- ковое 309 336 393 349 160 10 421 334 449 305 319 Растворимое СиОСеОзЮзОзЬгОи один окисел из группы:Та 20 э - 1 - 6. 3 - 11 6 - 8 3 - 7 6 - 10 4 - 1 ВаО, беОз, Вв 03,Формула изобретения Стекло, включающее ТеОв, Ъ 20 з, СцО, СеОз, КЬ 20 з, %0 з, отличающееся тем, что, с целью повышения вязкости и снижения коэффициента термическото расширения, оно дополнительно содержит ЬгО и один окисел из группы; ВаО, Сте 02, В 20 з, ТазОз, при следующем соотношении компонентов, вес. :Те 02 48 - 58 Ч 20 з 17 - 28 Источники информации,мание при экспертизе: 1, Авт. св.456509, кл,принятые во вниС ОЗС 3/12, 1973. Составитель Л. Петрова Корректор Н, Аук Техред А. Овчинникова Редактор И. Астафьева Заказ 768(13 Изд, Мв 342 Тираж 589 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 1 3 4 5 б 7 8 9 56,6 54,3 54,3 54,8 48,1 54,0 51,4 54,1 58,0 17,8 19,2 21,0 19,4 27,1 18,7 17,0 19,1 20,5 9,7 3,6 10,2 4,6 4,6 4,7 З,б 3,6 7,4 7,2 6,9 7,6 7,0 7,0 7,1 6,9 6,9 7,4 3,3 3,23,5 3,2 3,2 3,3 6,4 6,3 3,4 7,0 7,0 7,1 9,7 6,9 1,2 3,0 3,2 3,1 3,1 3,3 5,0 10 5,0 10 в 1,2 10 в 1,4 10 в 1,9.10 в 4,0 10 5,0 10 в 6,3 10 2,0 10 в Максимальный коэффициент вторичной электронной эмиссии 29 3;0 3,0 3,2 3,1 3,4 3,0 3,1 3,2