Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления

Номер патента: 316177

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гуревич, Петровский

МПК: H03F 3/60

Метки: волн, дециметрового, диапазона, многокаскадный, транзисторах, усилитель

...высокочастотный 20 разъем 20.Резисторы в цепи эмиттера каждого транзи.стора 21 - 23 обеспечивают установку оптимального смещения на базу транзистора. Резисторы 24 - 26 с соответствующими конденса торами 27 - 29 служат для питания на коллекторы транзисторов. Конденсаторы 30 - 32 замыкают цепь эмиттера по высокой частоте на земляную обкчадку фольгированного фторопласта. Навесные стандартные дроссели ЗЗ - 30 36 с соответств ющнмн высокочастотнымиконденсаторами 37 41 обеспечивают требуе316177 Тг76 - -:Ь-К)56 Е 55 мую развязку по питанию между каскадами. Вся схема усилителя помещается в экранироВанный кожух. Констръкци 5 межкаскадной связи предлагаемого устройства вклочает в себя полосковую линию 42, которая с одной стороны подключена к...

Номер патента: 932595

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Голицин, Табаков, Устинов

МПК: H03G 3/20

Метки: автоматической, многоканального, мощности, регулировки, усиления, усилителя

...причем многоканальный усилитель 3 мощнополнен в виде последовательно сое 3 93259 диненных усилителя 7 мощности, канальных модулей 8 и сумматора 9, а Формирователь 6 корректирующего сигнала включен между дополнительными выходами канальных модулей 8 и 5 управляющим входом усилителя 5 постоянного тока.Устройство работает следующим образом.При нормальной работе всех й 1 О канальных модулей 8 многоканального усилителя 3 мощности сигнал на выходе Формирователя корректирующего сигнала 6 отсутствует. В этом случае кольцо автоматической регулировки усиления выполняет функцию стабилизации полного уровня выходной мощности Р=Р й, где Р - номинальная мощность на выходе одного канальногомодулч, 8, лоПри выходе из строя И из общего числа...

Номер патента: 1201874

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Артеменков, Братов, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 7/06

Метки: барьерным, переходом, полевых, считывания, транзисторах, усилитель

...схемах запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение быстродействия усилителя,На чертеже изображена структурная схема усилителя,Усилитель содержит триггер 1, первый 2 и второй 3 выводы питания которого подключены к шине 4 питания и общей шине 5 соответственно, входы установки нуля 6 и единицы 7 вк первой 8 и.второй 9 разрядным шинам (РШ) соответственно, а прямой 10 и инверсный 1 выходы - к входам 12 первого 13 и второго 14 инверторов, у которых первый 15 и второй 16 выводы питания подключены к шинам 4 и 5 соответственно, а входы 17 - к входам 18 соответственно первого 19 и второго 20 нагрузочных эле-. ментов, выводы 21 питания которых подключены к шине 4 питания, а выходы 22 - к 20 шинам 8 и 9 соответственно. Усилитель...

Номер патента: 150875

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Сохен

МПК: H03G 3/00

Метки: автоматической, импульсного, коэффициента, регулировки, усиления, усилителя

...1 находится в пределах заданных значений С,ы,)С, )У, то импульсы не пропускаются схемой 3 фиксации уровней и на выходе схемы сигнал отсутствует. При значениях амплитуды импульсов У выходящих за указанные пределы, сигнал проходит на выход схемы 3, при этом при выполнении неравенстваЬо 150875 У,) Увыдается положительный импульс, а при выполнении неравенства С,) С, - отрицательный. Передним фронтом выходных импульсов схемы 3 опрокидывается реверсивная ключевая схема 4, по. строенная так, что каждый последующий импульс той же полярности что и предыдущий, переводит схему 4 в последующее состояние, тогда как каждый последующий импульс, вызывающий обратную предыдущему полярность, возвращает схему 4 в предшествующее состояние.Реверсивная схема...

Номер патента: 560192

Опубликовано: 30.05.1977

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/27

Метки: коррекции, полевых, температурной, транзисторов, характеристик

...термостабильной точке, и выбрать результирующий коэффициент усиления схемы коррекции при нормальной температуре 1 ь равным единице, то напряжение управления У источника 2 будет в точности соответствовать напряжению затвора /з полевого транзистора 1, а амплитудная характеристика устройства коррекции будет занимать положение В. При повышенной температуре Ь результи рующая амплитудная характеристика схемы коррекции должна занимать положение Г, изменив наклон по отношению к своему положению В при 1 на некоторый угол гр. Чтобы построить этот угол, достаточно задаться ка ким-либо значением проводимости канала полевого транзистора 6 или 6 г, отстоящего от значения проводимости термостабильной точки, и спроектировать точки...