Эмиттерный повторитель

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пц 535218 Союз СоветскихСоциалистических Республик 61) Дополнительное к авт 22) Заявлено 25,05.73 (21) 1920286 Г 3/ 51 М заявкиприсоединен Государственный комитет Совета Министров СССР,(088.8) 76, Бюллетень42 о делам изобретени крытии опубликования описания 10.11.76 72) Автор изобретепи.силрапе Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в различных устройствах импульсной техники и радиоэлектроники,Известен эмиттерныи повторитель, содержащий первый и второй основные транзисторы одного типа проводимости, в коллекторной цепи первого основного транзистора последовательно по цепи питания включен первый дополнительный транзистор того же типа проводимости, а в колекторной цепи второго основного транзистора последовательно по цепи питания включен второй дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, при этом база первого дополнительного транзистора соединена с коллектором второго основного транзистора, база второго дополнительного транзистора - с соответствующим электродом первого дополнительного транзистора, а эмиттеры первого и второго основных транзисторов через резистор соединены с общей шиной 1.Однако известный эмиттерный повторитель ладает значительным дрейфом нуля из-заьного изменения базового тока транзистопри изменении напряжений питания и темратуры.С целью уменьшения дрейфа нуля в предлагаемом эмиттерном повторителе базы основных транзисторов через соответствующие дополнительные резисторы соединены с лектором первого основного транзисторНа чертеже приведена принципиаэлектрическая схема предложенного эми р 5 ного повторителя.Эмиттерный повторитель содержит первыйи второй основные транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости, в коллекторной цепи перво го основного транзистора 1 последовательно 10 по цепи питания включен первый дополнительный транзистор 3 того же типа проводимости, а в коллекторной цепи второго основного транзистора 2 последовательно по цепи питания включен второй дополнительный 15 транзистор 4 противоположного типа проводимости, при этом база первого дополнительного транзистора 3 соединена с коллектором второго основного транзистора 2, база второго дополнительного транзистора 4 - с коллекто ром первого дополнительного транзистора 3,эмиттеры основных транзисторов 1, 2 через резистор 5 соединены с общей шиной 6, а их базы через соответствующие дополнительные резисторы 7, 8 - с коллектором первого ос иовного транзистора 1, база которого соединена с входом эмиттерного повторителя. Коллектор первого дополнительного транзистора 3 и эмиттер второго дополнительного транзистора 4 через соответствующие резисторы 9, 30 10 соединены с шиной 11 источника питания,Составитель Г, ТепловаКорректор А. Камышникова Редактор Т, Янова Корректор Л. Орлова Заказ 2355/20 Изд, Мо 1748 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 эмиттеры основных транзисторов 1, 2 соединены с выходом эмиттерного повторителя.Эмиттерный повторитель работает следующим образом,Каскад на транзисторе 4 уравнивает токи основных транзисторов 1 и 2, поскольку сопротивления резисторов 9 и 10 одинаковы, благодаря этому эмиттерный повторитель не критичен к изменению нагрузки,Транзистор 3 поддерживает коллекторное напряжение на первом основном транзисторе 1, равным коллекторному напряжению на втором основном транзисторе 2. Таким образом, при изменении входного напряжения или напряжения питания, а также тока нагрузки режимы основных транзисторов 1, 2 остаются постоянными. Транзистор 2 включен по схеме с глубокой обратной связью таким образом, что весь его базовый ток протекает через резистор 8. Поскольку сопротивления резисто. ров 7 и 8 одинаковы, то такой же ток течет в базу первого основного транзистора 1, полностью компенсируя его базовый ток. За счет транзисторов 3, 4, поддерживающих постоянный режим транзисторов 1, 2, эта компенсация устойчива к любым внедним дистабилизирующим факторам. Эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй основные транзисторы одного 5 типа проводимости, в коллекторной цепи первого основного транзистора последовательно по цепи питания включен первый дополнительный транзистор того же типа проводимости, а в коллекторной цепи второго основного 10 транзистора последовательно по цепи питаниявключен второй дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, при этом база первого дополнительного транзистора соединена с коллектором второго основного 15 транзистора, база второго дополнительноготранзистора - с соответствующим электродом первого дополнительного транзистора, а эмиттсры первого и второго основных транзисторов через резистор соединены с общей шиной, 20 отличающийся тем, что, с целью уменьшения дрейфа нуля, базы основных транзисторов через соответствующие дополнительные резисторы соединены с коллектором первого основ ного тр а из истор а.25 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе изобретения:1. Авт. свид. СССР Мо 391702, М. Кл.а ОЗР3/26, 1971 г. (прототип).