Способ формовки анодов электролитических конденсаторов

Номер патента: 526961

Авторы: Марков, Маркова

ZIP архив

Текст

О П И САЙИЕ р 526961ИЗОБРЕТЕН МЯ Сава Советских Социалистических(51) .Ч. Кл.- Н 016 92 Государетвениый комите Совета Министров ССС по делам изобретенийи открытий 53) хДК 621 396 6 Ч(54) СПОСОБ ФОРМОВКИ АНОДОВЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОР Изобретен саторостроен Известен с торов, основ работке их в Но по это кость на еди тельного траие относится к областиия.пособ формовки анодов канный на электрохимиче электролите 1,му методу нельзя увеличницу поверхности без пвления анодов. онде нденса кой об ть ем- едвариФормула из етсн Спос конден ской о щи йс ной ех соба беа С 1, пои начиналотности оверхно электролитических на электрохпмичеолите, отличаю- увеличения удельенсификации проП р и м е р. Для осущест рут 19 - 20%-ный водный гружают в него танталов ют быстро вводить напряж тока 20 а/дм до появлени об формовки анодов саторов, основанный бработке их в электр я тем, что, с целью ткости анодов и инт вления сп раствор 1 Х 1 ю фольгу ение при искр наЦель изобретения - увеличение удельнои емкости анодов и интенсификация процесса.Для достижения цели при способе формовки анодов электролитических конденсаторов, основанном на электрохимической обработке их в электролите, электрохимическую обработку анодов в электролите проводят при напряжении, превышающем напряжение искрения электролита, в режиме образования микродуговых разрядов.По этому способу сокращают время формовки примерно в 100 раз и увеличивают удельную объемную ем.;ость в 2 - 5 раз. Так же можно формовать объемно-пористые алюминиевые и танталовые аноды. сти, Продолжают вводить напряжение с той же скоростью, пока искрение не перейдет в микродугообразование. До начала микродугообразования окспдная пленка не меняет своей структуры и качества. Прп образовании микродуг на поверхности плотность тока снижают до 5 - 10 а/дмз и далее напряжение повышают плавно, не допуская превышения указанной плотности тока (с целью сохранения хорошего качества диэлектрика) до момента образования требуемой толщины диэлектрика, затем напряжение снижают до нуля,После образования микродуговых разрядов на поверхности анода происходит качественный скачок в образовании диэлектрика, а именно: начинает происходить образование плавленного диэлектрика, происходит качественное изменение самого диэлектрика, при этом увеличивается и диэлектрическая проницаемость диэлектрика, увеличивается и рабочая поверхность анода. Все это увеличивает емкость на единицу объема конденсатора.526961Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: цесса, электрохимическую обработку анодовв электролите проводят при напряжении, превышающем напряжение искрения электролита,в режиме образования микродуговых раз. Патент ФРГ1193167, кл. 21 д 10/03, рядов, 5 1968, Составитель В. Лякишев Редактор А. Купрякова Техред А, Камышникова Корректор О. ТюринаЗаказ 1793/14 Изд, Мз 1551 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ТипограФия, пр. Сапунова, 2

Смотреть

Заявка

1751524, 24.02.1972

МАРКОВ ГЕННАДИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, МАРКОВА ГАЛИНА ВАСИЛЬЕВНА

МПК / Метки

МПК: H01G 9/04

Метки: анодов, конденсаторов, формовки, электролитических

Опубликовано: 30.08.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-526961-sposob-formovki-anodov-ehlektroliticheskikh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формовки анодов электролитических конденсаторов</a>

Похожие патенты