Способ нанесения антидинатронного покрытия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
асср о 1 оэ 1-,ия4и но -;,ничосинкс О П И СА-"Й-Й Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(51) М, Кл,оН 01 Ю 9 исоединением заявкиГосударственный комитет Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий(45) Дата опубликования описания 25.06.77(5 ОСОБ НАНЕСЕНИЯ А ие имеет существенно более ни ект ропроводность, чем медь, что приводит к ухудшению резонансных систем ЭВП и росту потерь на высокой частоте.Целью изобретения является повышение стабильности антидинатронных свойст крытия и увеличение электропроводно скрытия до величины, практически не отлича.ощейся от таковой для меди.Предлагаемый способ нанесения антидинатронного покрытия на металлическиеэлектроды путем электролитического осаждения металла с последующим отжигом отличается от известных тем, что в электролит, например, меднения вводят мелкодисперсный порошок материала, имеющего низкий коэффиент вторичной электронной эмиссии, например углерод, и проводят процесс электроли.ического осаждения при непрерывном перев пости п мешивании,Для нанесени берут электролит става (в вес,еб)Сы ВО Н,бо 9 5 Изобретение относится к способам нанесения антидинатронного покрытия, например, на металлические электроды электровакуумных приборов (ЭВП).Известен способ получения антидинатрон ного покрытия, например, из углерода на металлических деталях электронных ламп, в частности на электродах, путем электролитического осаждения материала покрытия.Способ состоит в том, что на предваритель но окисленные на воздухе поверхности металлическгх деталей методом электрофореза наносится слой формиата никеля, на который затем наносится также второй слой из окиси никеля. Покрытые таким способом детали 15 отжигаются в водороде.Сднако образующаяся в результате отжига пористая губчатая поверхность адсорбирует остаточные газы, что приводит к длительному газоотделению в процессе откачки и 20 работы прибора. Покрытия из окислов разлагаются под действием электронной бомбардировки, что приводит к нестабильности вторичноэмиссионных свойств в процессе работы прибора. Кроме того, получаемое покрыв 25 антидинатронного покрытия например, следующего со517078 Составитель Г. ЖуковаТехред М. Левицкая Корректор Л. Власенко РедакторТ. Орловская Заказ 952/166 Тираж 977 Подписчое ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 282.0-84,4в который вводят мелкодисперсный порошокнапример. углерода марки Св количестве5,8-6,5 вес.%, В электролизер загружаюточищенные электроды, причем поверхности,не подлежащие покрытию, изолируют с помощью кислотостойкого лака, и при непрерывном перемешивании электролита, комнатнойтемпературе и катодной плотности тока 45 а/дм" в течение 1-2 мин производятосаждение покрытия, Детали затем отжига-7ют в вакууме 10 - 10 торр при темпераотуре 600-700 С в течение 10-15 мин. Полученное покрытие имеет максимальный коэффициент вторичной электронной эмиссии6 = 0,9-;0,95,максТаким образом, предлагаемый способ нанесения антидинатронного покрытия позволяет снизить коэффициент вторичной электронной эмиссии металлических деталей ЭВП довеличины б = 0,9-;0,95, обеспечитьмакс хорошую электропроводность покрытия, практически не отличающуюся от таковой для меди, повысить стабильность свойств покрытия,достичь однородности наносимых покрытийпо толщине независимо от конфигурации покрываемых деталей. формула изобретения Способ нанесения антидинатронного покрытия, например из углерода, на деталиэлектронных ламп, в частности на электрод.;.,путем электролитического осаждения материала покрытия, о т л и ч а ю ш и й с ятем, что, с целью повышения стабильностиантидинатронных свойств и электропроводности покрытия, порошок материала вводятв электролит меднения, после чего при непрерывном перемешивании производят процесс осаждения,
СмотретьЗаявка
2074273, 10.11.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2058
МИХАЛЕВ АЛЕКСАНДР КОЗЬМИЧ, ЛЕБЕДИНСКИЙ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, МАЛЫНИН ЮРИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, ШЕРСТНЕВ ЛЕВ ГАВРИИЛОВИЧ, КНЯЗЯТОВ ЕВГЕНИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ГОСТИЕВ ВЛАДИМИР ГАБИЦОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01J 9/02
Метки: антидинатронного, нанесения, покрытия
Опубликовано: 05.06.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-517078-sposob-naneseniya-antidinatronnogo-pokrytiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ нанесения антидинатронного покрытия</a>
Предыдущий патент: Машина для выпрямления внешней части электродов люминесцентных ламп
Следующий патент: Коллектор электронного прибора
Случайный патент: Рабочая жидкость для виброабразивной обработки деталей из цветных сплавов