Датчик для определения выхода магнитной муфты из синхронизма
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ1 ц 64 Союз Советских Социалистических Республик(51) М,Н 02 К 11/00 Г 16 Р 23/02 Государственныи комитет Совета Министров СССР Опубли 53) УДК 621.313(08 ано 30.05.76. Бюллетень20 о делам изобретений и открытий а опубликования описания 19.08,7 2) Авторы изобретени, М. Макарычев, А. С. Умеренков и В. К. Шиба осковский ордена Ленина энергетический инсти Заявитель(54) ДАТЧИК ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫХОДА МАГНИТНОЙ МУФТЫ ИЗ СИ НХРО Н ИЗМАФормула изооретени 25Датчимуфтыменениес разме30 ными эл нитной на изкорпус вительи, о тдля определения выхода маг з синхронизма, реагирующей агнитного поля, содержащий щенными в нем магниточувст ментами, например герконазИзобретение относится к области электротехники и может быть использовано для определения выхода из синхронизма магнитных муфт.Известны датчики для определения выхода из синхронизма магнитной муфты, реагирующей на изменение магнитного поля, содержащие корпус с размещенными в нем магниточувствительными элементами, например герконами. Однако известные датчики не во всех случаях позволяют однозначно определить выход муфты из синхронизма.Изобретение устраняет указанные недостатки благодаря тому, что датчик содержит не менее двух герконов, расположенных равномерно на отрезке дуги, равном полюсному делению муфты, электрически соединенных в схему ИЛИ.На фиг. 1 показан один из вариантов устройства; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг, 1, случай когда в устройстве использовано два геркона.Муфта содержит ведущий вал 1 с укрепленным на нем постоянным магнитом 2, герметичный стакан 3 с фланцем, ведомый вал 4 с кольцевым магнитом 5 и устройство определения выхода муфты из синхронизма б с герконами 7, 8, с размещенными в корпусе, которое крепится к фланцу герметичного стакана 3, Количество герконов практически может быть люоым, но не менее двух. Герконы располагаются равномерно на отрезке дуги, равном полюсному делению муфты, и соединены в схему ИЛИ.При синхронном вращении валов 1 и 4 разноименные полюса магнитов 2 и 5 находятся напротив друг друга и почти весь магнитный поток замыкается внутри муфты. Максимальная напряженность поля в месте расположе- О ния герконов 7, 8 незначительна и не вызывает их срабатывание.При выходе муфты из синхронизма происходит проворот магнита 2 относительно магнита 5, Характер внешнего магнитного поля 15 резко меняется. Герконы, расположенные взоне наибольшей максимальной напряженности, срабатывают, а герконы, расположенные в зоне наименьшей максимальной напряженности, остаются разомкнутыми. Электричес кое соединение герконов в схему ИЛИ обеспечивает появление сигнала управления на выходе устройства при замыкании хотя бы одного из указанных герконов.516154 Трепутнев Курилко оставите ректор А. Дзесова Редактор В, Левято Тираж 882ета Совета Министи открытийушская наб., д. 4,5 Заказ 1847 дписно Типография, пр. Сапунова л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности определения выхода муфты из синхронизма, датчик содержит не менее двух Изд.1427 ИПИ Государственного по делам изобре 113035, Москва, Жмит нии Р герконов, расположенных на отрезке дуги, равном полюоному делению муфты, электриески соединенных в схему ИЛИ,
СмотретьЗаявка
1785795, 18.05.1972
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
МАКАРЫЧЕВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, УМЕРЕНКОВ АНАТОЛИЙ СЕРГЕЕВИЧ, ШИБАНОВ ВЛАДИМИР КУЗЬМИЧ
МПК / Метки
МПК: F16D 23/02, H02K 11/00
Метки: выхода, датчик, магнитной, муфты, синхронизма
Опубликовано: 30.05.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-516154-datchik-dlya-opredeleniya-vykhoda-magnitnojj-mufty-iz-sinkhronizma.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик для определения выхода магнитной муфты из синхронизма</a>
Способ балансировки и температурной компенсации мостовых схем тонкопленочных тензорезисторных датчиков
Номер патента: 1174738
Опубликовано: 23.08.1985
Авторы: Алексеева, Жучков, Мокров, Тихоненков
МПК: G01B 7/16
Метки: балансировки, датчиков, компенсации, мостовых, схем, температурной, тензорезисторных, тонкопленочных
...Х 20 Н 75 Юс удельным поверхностным сопротивлением= 70 Ом/кВ. Маркировка резис-торов в схеме принята стандартная.Непосредственно после изготовления методами пленочной технологиимостовая схема может иметь напряжение дебаланса, близкое к 1007. номинального выходного напряжения, и значительную зависимость начального напряжения от температуры. Для мостовданного .типа напряжение питания принимают равным 6 В, при этом рабочий сигнал составляет 9 мВ,Для определения резисторов, величину сопротивления и ТКС которых необходимо регулировать, определяют величину сигнала П на выходе мостовой схемы при максимальной рабочей темо пературе (в данном примере плюс 100 С) и при минимальной рабочей температуре (в данном примере минус 90 С). Затем...
Датчик приращения тока дуги
Номер патента: 595884
Опубликовано: 28.02.1978
Авторы: Астапенко, Бейнарович, Волков
МПК: H05B 7/148
Метки: датчик, дуги, приращения
...СО ВходОм ус 1,исГи 21, е Выходу еОторОГО ИОД 1 л 10 чены ДОНО,1- нитсльныс конденсатор 22 и транзстор;ый Е,1 О 25, И 1)И 1 СМ УПР 2 ВЛ 51 ЮЩИЕ ВХОДЫ 1)сп;И- сторых 1.,3 Очси 5 10 соединены с выходаы1 - 3 олоков управлспия 32, ЗЗ, а И 1 авл 5110 щи ВЕОд дои о;1 ние;1 ьно 0 т 1) аизис 1 ОРноГО 1 л 012 -3 иоделОссн . ВыхОд доиогп 11- сльиого формироватс;и 3)3 угЬсов 3;, вход соторого прпсосдшсн к вьхода)3 35 -38 оло.Ов уирс 11.1 СИ 135 32, 33.1 ааоо 201 д 2 тчик пр 1 ращсни 53 ГОеа дуГ 3 сссЭ 30 ц 3) Ооразом.112 3 С 131 испу 0 Об)031;Э траисфорх 2 ораИОС 1 уиас 3 иаир 51 жспис, И 130 порциоиалы 10 с тО ДУи (КРивс 5 1, фиг. 2,Г)32031 измспсиии огибающси которой (кривая 11, риг. 2,и) взят 3 РОИЗВОЛЫЫ.1 аоочис вгоричпые обмотки 2, 3 чсрсз вып...
Устройство для снятия динамических временных характеристик
Номер патента: 941937
Опубликовано: 07.07.1982
Автор: Агаронянц
МПК: G05B 23/02
Метки: временных, динамических, снятия, характеристик
...- наибольший воздушный зазор;оР - входное сопротивление;К - клеммник тока обмотки возбуж- бдения электромагнитного элемента;К - клеммникшлейфа тока магнито."Ыэлектрического осциллографаМО;0Х -Х - первый, второй, третий и цет4вертый датчик Холла;ОВХ - обмотка возбуждения датчикаХолла ХА,ОВХ - обмотка возбуждения датчика 152Холла Х,,ОВХ 4 - обмотка возбуждения датчикаХолла Х,Р Ь - регулировоцное сопротивлениев цепи обмотки возбуждения 20датчика Холла Х,Р - регулировочное сопротивлениеРЬв цепи управления датчикаХолла Х,Е- электродвижущая сила источни Рка питания в цепи управлениядатчика Холла Х,Р Ь - регулировочное сопротивлер гние в цепи обмотки возбужде 30ния датчика Холла Х,РР - регулировочное сопротивление в цепи управления...
Датчик магнитного поля
Номер патента: 1290214
Опубликовано: 15.02.1987
Авторы: Зорин, Тельминов, Уткин
МПК: G01R 33/02
Метки: датчик, магнитного, поля
...бпричем выходгенератора 1 соединен с измерительным контуром 2, сердечник вместе спьезокерамической пластиной 4 и виброгасящим основанием 5 размещен ввакуумированном баллоне 6, а пьезокерамическая пластина 4 подключенак генератору 1. Устройство работает следующим образом.Сигнал с генератора 1 подается на измерительный контур 2, который частично расстроен по отношению к частоте генератора. Расстройка контура выбирается такой величины что. бы частота возбуждения приходилась на нижнюю границу полосы пропускания, т.е. на индуктивную ветвь. Измеряемое магнитное поле, направленное вдоль сердечника, вызывает изменение индуктивности катушки контура 2, в результате чего изменяется частота по отношению к частоте генератора 1, а следовательно,...
Индукционный датчик переменного магнитного поля
Номер патента: 1450608
Опубликовано: 23.09.1990
Автор: Кореневский
МПК: G01R 33/02
Метки: датчик, индукционный, магнитного, переменного, поля
...на фиг. 2 -Фупрощенный вид одной из его секций;на Фиг. 3 - электрическая схема сое"динения секций индукционного датчика.Индукционный датчик (фиг, 1) со держит изолированные плоские секции1 со.спиральным изолированным провод.ником 2 (фиг. 2), устанавливаемыепараллель 1 но друг другу и перпендикулярно к направлению измеряемой компоненты индукции переменного магнитногополя В по всей высоте Н полосхи, от"веденной для установки датчика в об, щем корпусе измерительной системы,где размещены и другие устройства,Расстояние между соседними секциями501 определяется только толщиной изоляции проводника 2. В общем "лучае форма.сечения внутренней поверхности полости в месте установки отдельнойсекции 1 (а стало быть и спиралей)может быть любой, а...
Предыдущий патент: Система электродов
Следующий патент: Установка пропитки и термообработки обмоток статоров электродвигателей
Случайный патент: Квантовый магнитометр