Способ опрделения адгезии электропроводного материала к диэлектрику

Номер патента: 144312

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Ласло

МПК: G01B 11/16

Метки: деформаций, изгибе, напряжений, образца, остаточных, плоского, поперечном, прибор, прогиба, целью

...в зависимости от знака напряжений в удаленном слое подъем или опускание конца 22 рычага 4, которому прогиб образца 14 передается через шарик 15 и винт 23. Поворот рычага 4 на осях 5 и б сообщается посредством нити 24 зеркалу 10, которое также поворачивается на осях 25 и 26. При этом луч 27 света, падающий на зеркало 10 от осветителя 8, получает угловое перемещение, а на фотобумаге 28, протягиваемой механизмом 29 записывающего устройства 18 мимо щели 30, получается кривая линия, соответствующая деформации образца 14, В случае необходимости визуального наблюдения деформации при помощи ручки 31 изменяется положение поворотного зеркала 11, которое отбрасывает отраженный от зеркала 10 световой луч 32 на экран 7.Регулировка прибора...

Номер патента: 857779

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Оказов

МПК: G01N 1/42

Метки: диэлектриков, жидких, замороженных, кондиционирования, образцов

...Е для образцов, изготовленных предлагаемым способом, равны6. = 3,02, тогда как без удаления лишней125 массы льда Е = 2,927, при этом отклоиениеот наиболее точного численного значения (известного) равного 3,0, составляет 2,43% (приточности метода измерения 6:10 Я).Использование предлагаемого способа позво ляет уменьшить затраты труда и времени наизготовление одного образца льда 1,0 примерно в 3 - 4 раза по сравнению с известным и нетребует использования специальной холодильной камеры, другого оборудования кроме то 35 го, что необходимо для изучения диэлектрических характеристик льдов в условиях. имитирующих космические. 40 Формула изобретения 1, Способ изготовления и койдиционированияобразцов замороженных жидких дизлектриков,...

Номер патента: 857827

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Баланкин, Башлыков, Быков, Григорьев, Гуничев, Скоров, Ярцев

МПК: G01N 25/18

Метки: теплопроводности

...пробой;б - проводимость материала образца;Т - температура; 15А - коэффициент теплопроводности.Таким образом, по экспериментально измеряемой величине минимального пробивного напряжения, и известной зависимости электропроводности материала от температуры расчетом из соотноше.ния определяют теплопроводность материала.П р и м. е р, Предлагаемым способом определяют теплопроводность засыпки порошка двуокиси урана при комнатной температуре. Порошок двуокиси урана помещают в диэлектрическую обойму, представляющую собой трубку из органического стекла с внутренним диаметром 8 мм, и заключают между ЗО двумя молибденовыми электродами. Через стенку обоймы к центру засыпки подводят хромель-алюмеливую гермопару с толщиной проволок 0,2 мм для...

Номер патента: 549449

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Волынов, Гольденгерш, Згурский, Лопухов, Никольская, Орлов, Позументиров, Саликов, Самойлов

МПК: B28B 11/24, B28B 7/24

Метки: железобетонных, тепловлажностной, форма

...автоматического контроля и регу лирования тепловой и тепловлажностной обработки железобетонных изделий.Предложенная форма содержит поддон 1с нагревательными элементами 2, стенки 3, второй электрод устройства коронного разря да 4, выполненный в виде сетки и являющий 549449ся общим для всех устройств коронного разряда 5, крышку б, разрядный электрод 7, выполненный в виде поверхности большой кривизны, например, в виде иглы, причем расстояние между электродами значительно меньше, чем диаметр отверстия в крышке б, и центре которого располагается разрядный электрод 7, ввод разрядного электрода 8.Обеспечение контроля процесса твердения изделий и автоматизация процесса теплообработки производится следующим образом. В пространство,...

Номер патента: 765915

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Простякова, Шавлов

МПК: H01M 10/48

Метки: источников, параметров, регистрации, химических

...вход двоично-десятичногосчетчика 28 и через схему ИЛИ Эна вход. двоичного счетчика 4. Свыхода двоичного счетчика 4 черезсхемы И 9, вторые входы которыхразрешены блоком управления 1,сигнал кода ячейки памяти поступаетв оперативно-запоминающие ячейки1111 1 блока памяти 12.Одновременно сигнал с выхода схемы ИЛИ 3 поступает на вход схемыИ 13, на второй вход которой поступает сигнал разрешения с блокауправления 1, С выхода схемы И 13сигнал через схему ИЛИ 14 и блокзадержки с инверсией 15 поступаетна входы 1 выбор кристалла оперативно-запоминающих ячеек 111 11,блока памяти 12, и двоичный кодо величине напряжения первого химического источника тока записываетсяв параллельный регистр 29, разрешениена запись в который дает сигнал сосхемы И 30. На...