Способ детектирования сверхвысокочастотного излучения

Номер патента: 746298

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Виленкина, Петроканская

МПК: G01R 15/06

Метки: величины, выпрямленного, высоковольтного, моста, напряжений, плечах, преобразовательного, формы

...переменного тока.С этой целью на входы 38-40 блока 4питания через трансформаторы 6 напряженияподается напряжение высоковольтной сети, откоторой питаются силовые трансформаторы 1,а через реакторы 7 - 9 с помощью трансформаторов 1013 тока пропускаются токи, протекающие по обмоткам трансформаторов 1.Напряжения, поданные на входы 38 . 40блока 4 питания, суммируются с паденияминапряжения на реакторах 7 - 9, в результатечего напряжения на выходах 41 - 43 блока 4питания воспроизводят по мгновенным значениям, в заданном масштабе, напряжения, при.ложенные к высоковольтному мосту 2 состороны переменного тока уточки 44"- 46),Напряжения с выходов блока 4 питания подаются на вход низковольтного выпрямителя 3.С помощью блока 5 управления осуществля....

Номер патента: 505104

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Войтович, Зверев, Лаптев, Цишевский

МПК: H02M 7/48

Метки: величины, выходным, заданной, напряжением, статический, формы

...на трансформаторе 11, измеренное, например, обмоткой 19 и выпрямителем, превышает опорное напряжение источника 15, то на вход фазореверсирующего блока 4 поступает сигнал, обеспечивающий работу силовой ячейки 8 в анти- фазе с ячейкой 7. В результате, напряжения на выходных обмотках трансформаторов 11 и 12 вычитаются. Их суммарное напряжение, снимаемое с обмотки 20, выпрямляется, и напряжение на цепи 17 сравнивается с опорным напряжением источника 15.Разность сравниваемых напряжений воздействует на управляющий вход фазореверсирующего блока 5.Если суммарное выходное напряжение первых двух ячеек превышает опорное, то фазореверсирующий блок 5 обеспечивает работу ячейки 9 в антифазе с ячейкой 7 и суммарное выходное напряжение ячеек 7,...

Номер патента: 1647757

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Савченко, Шапоренко, Юрченко

МПК: H02H 11/00

Метки: блокировкой, величины, включении, двум, источникам, неправильном, переменного, подключения, потребителя, различной, электроэнергии

...О:1. При этом надо иметьв виду следующее, Любое реле имеет какуюто постоянную времени на срабатывание или инерционность, значит при подключении к источнику с напряжением 01 оно сработает не мгновенно, а напряжение черезразмыкающий контакг 8 на тиристор 10 по.ступит практически мгновенно, а так как напряжение 01 больше напряжения срабатывания реле 7; то оно, если не выйдут из строя, элементы схемы, сработает быстрее и 30 . своим замыкающим контактом 14 подключит к источнику,с напряжением 01 обмотку 15, и на потребитель 6 будет. подано очень большое напряжение, Чтобы этого не произошло; параллельно выходу диодного вы прямителя 9 включен динистор 16 с напряжением вклачения выве напряжения 02, но ниже напряжения 01. Как только шй 9 р 1...

Номер патента: 1226048

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Качер, Онопко

МПК: G01B 11/16

Метки: внутренних, напряжений, пленках, тонких

...лучасвета от поверхности подложки 3 спленкой 4.Чувствительность устройства М.вследствие кривизны поверхности полу 50прозрачного выпуклого сферическогозеркала 5 возрастает по сравнениюс чувствительностью известного устройства и составляет Р 55"г=о.гс з 1( - +1) 5 ФЧ 1 Г, (ъ) где- угол между падающим и отражающимся от подложки с пленкой лучами света;1 - расстояние от подложки спленкой до полупрозрачноговыпуклого зеркала;К - радиус зеркала;Я - расстояние от выпуклого зеркала до измерительного экрана;Ь - величина перемещения светового луча в предлагаемомустройстве;а - величина перемещения лучав известном устройстве,Величина внутренних механических напряжений пленок определяется по формуле- модуль Юнга подложки; - толщина подложки;-...

Номер патента: 1280314

Опубликовано: 30.12.1986

Автор: Качер

МПК: G01B 11/16

Метки: внутренних, напряжений, пленках, тонких

...прозрачного измерительного экрана 4 в вакуумную камеру 12 на полупрозрачное плоское зеркало 8, которое отражает часть пучка излучения источника 2 света на эталонную подложку 1 О. Проходя через последнюю, это излучение регистрируется фотоприемником 9. Отраженную от поверхности эталонной подложки 10 часть излучения направляют полупрозрачным плоским зеркалом 8 на полупрозрачное выпуклое зеркало 3, отражающее это излучение на измерительный экран 4, Прошедшую через полупрозрачное плоское зеркало 8 часть излучения источ" ника 2 света направляют плоским зеркалом 5 на подложку 6 для пленки, Интенсивность прошедшего излучения регулируют оптическим клином 11 и регистрируют фотоприемником 7. Отраженную от поверхности подложки 6 с пленкой часть...