Имплантируемый кардиостимулятор

Номер патента: 262964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Антонов, Иванов, Шагиахметов

МПК: G11C 11/02

Метки: импульсами, питания

...5.Выходной контакт б устройства связан с источником 8 напряжения питания не непосредственно, а через дополнительное сопротивление - резистор 7, который зашунтирован конденсатором 8 на потенциал земли. Через диод 9 контакт б соединяется с дополнительным источником 10 напряжения питания, величина (абсолютная) Екоторого меньше величины Е основного источника 8, причем диод включен в прямом направлении по огноше нию к току генератора.К приходу импульса тока (фиг, 1) или кмоменту замьвкания ключа 4 (фиг. 2) на контакте б устанавливается напряжение Е, диод 9 закрыт. С началом импульса тока конден сатор 8 разряжается, и напряжение на контакте б понижается. Когда напряжение упадет до величины Еоткрывается диод 9, и ток замыкается через...

Номер патента: 832791

Опубликовано: 23.05.1981

Автор: Хлебцевич

МПК: H05G 1/34

Метки: излучателя, катодарентгеновского, накального, питания, схема

...через масштабный усилитель 10 и пороговый элемент 11 к базе регулирующего транзистора 5, образуя цепь обратной связи.Схема работает следующим образом.Трансформатор 3 понижает напряжение сети (например, до 60 В). Это напряжение через регулирующий транзистор 5, подключенный к выпрямителю 4, прикладывается к трансформатору 2 накала, питающему катод рентгеновского излучателя 1, находящегося под высоким напряжением относительно корпуса. Конструктивно излучатель соединен с трансформатором 2 кабелем, На практике при замене излучателя возможно короткое замыкание накала, вызванное неправильной сборкой.Напряжение на катоде излучателя 1 регулируется путем изменения проходного сопротивления транзистора 5, управляемого от усилителя (на чертеже...

Номер патента: 1729305

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Джерри, Йоханнес

МПК: H02J 7/10

Метки: батареи, заряда, зарядным, питания, схема, током

...задерживая начало следующего интервала прямого хода, Транзистор Т 4 в то время удерживается в необходимой мере в проводящем состоянии, Если пренебречь незначительным падением напряжения на резисторе Р 1 и напряжением коллектор-эмиттер транзистора Т 4, то напряжение на резисторах В 4 и Й 5 будет равно напряжению батареи, Транзисторы Т 2 остается в проводящем состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С 1 не уменьшится настолько, что транзистор Т 4 закроется и напряжение на резисторе В 4 станет слишком малым для сохранения проводимости транзистора Т 2, Теперь может начаться следующий интервал прямого хода, По меньшей мере одно напряжение база-эмиттер остается в распоряжении на С 1, так что Т 1 немедленно переводится в...

Номер патента: 691827

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Богатов, Голицын, Табаков

МПК: G05F 3/00

Метки: клистрона, отражательного, питания, схема

...достигается тем, что в пмом устройстве в место еоединени1 в тора минитрона с . делителем напвключен стабилитрон Катодом к .реминитрона.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства,ство состоит из источника 1 пизонатора минитрона 2, плюсовая орого соединена с резонатором ми, а минусовая - с катодом ми и через резистор 3 - с плюсой источника 4 питания отражате.овая шина которого соединена с елем минитрона 2, причем точка соерезистора 3 и плюсовой шины испитания отражателя через после69827 формулп изобретения С. Швая Составительн Техред О. ЛугТираж013ЦНИИ ПИ Государственногопо делам изобретений113033, Москва, Ж - 35, Раулиал ППП х Патент, г, Ужго товКорректор М. ПожПодписноеа СССРрытнйнаб., д. 4/Бл Проектная 4 Редактор И, Кога...

Номер патента: 711889

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Корнаков, Спевакова, Столов

МПК: G21B 1/00

Метки: tepmo-ядерной, tokamak, питания, поля, сверхпроводящейобмотки, схема, тороидального, установки

...разрядом этого соленоида на активное сопротивление, расположенное вне криостата 11,Эффективность .защиты возрастает с увеличением величины внешнего актив-й ного сопротивления, однако при этом возрастает напряжение на токоподводах магнитной системы, что требует, усиления изоляции. Рабочее напряжение на токоподводахи напряжение обмотки относительно корпуса может быть снижено путем секционирования обмотки и шунтирующего ее сопротивления, дальнейшее снижение уровня изоляции обмотки может быть получено заземлением Зй средней точки любого из элементов секции,Ближайшим техническим решением является схема питания сверхпроводящейобмотки тороидального поля термоядерной установки - токамака,. включающаянизковольтный источник постоянного тока...