Устройство для измерения ширины угольного целика

Номер патента: 1712845

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Лукьянович, Савицкий

МПК: G01N 24/08

Метки: магнитного, поля, постоянного, распределения, ямр-томографе

...вдоль оси У (фиг, 4) в течение времени Ту и импульсом градиента вдоль оси Х (фиг. 5) в течение времени 1 х. После этого воздействуют ВЧ магнитным импульсом, поворачивающим ядерные магнитные спины на 180 О, и затем изменяют амплитуду градиента вдоль оси Х (фиг. 4).Дискретные значения амплитуды сигнала эха регистрируют в запоминающем устройстве. При этом в момент времени,соответствующий максимуму эха, изменяетамплитуду градиента вдоль оси Х и частотудискретизации ва раз Е,(Х, Ууса/где Е - частотная производная неоднородности магнитного поля по координате х;10 1 - полоса пропускания канала регистрации данных;у- гиромагнитное отношение ядер образца;а - линейные. размеры исследуемой об 15 ласти образца.Нижняя граница для а определяется...

Номер патента: 1800477

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Ветярис, Йокужис, Лукошявичюс

МПК: G11B 5/455

Метки: геометрических, головки, магнитного, магнитной, напряженности, поля, размеров, распределения

...14, где аналоговый видеосигнал преобразуется в бинарный (изображение А), Уровень бинаризации устанавливается таким, чтобы можно было бы четко различить доменную структуру пленочного магнитооптического датчика 6. С выхода компаратора видеосигнала 14 бинарный сигнал поступает на вход данных 21 блока кадровой памяти 15. По первому кадровому синхроимпульсу, следующему за сигналом "Измерение", командный блок 13 начинает отсчет времени, Через время задержки (необходимое для установления переходных процессов устройства) кратное периоду кадрового синхроимпульса, по сигналу управления, поступающего с выхода 19 командного блока 13 на вход управления 20 блока кадровой памяти 15, работающего синхронно с видеокамерой 12, блок кадровой памяти 15...

Номер патента: 1251001

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Болотин, Левитас, Рагаускас, Эймантас

МПК: G01R 33/022, G01R 33/06

Метки: градиента, индукции, магнитного, поля

...элементов 1 и 2 расположены на расстоянии л друг от друга в плоскостивектора градиента магнитной индукции )с 1 Б,5 Устройство работает следующимобразом,К ГМР-чувствительным элементам1 и 2, шириной д , расположеннымв интервале (О, д д ) оси х. системыкоординат (фиг, 2) и помещенным внеоднородное магнитное поле с век -торами индукции В. (х) и ее градиентом ад 5 (фиг, 1), приложен постоянный так, поступающий от двух)5 полюсного источника постоянного тока4. В результате ГМР-эффекта на выходе ГМР-чувствительного элементаформируется выходное напряжение20 1О =К - 8 (Х)дх -с Ь , (1)огде К - магниточувствительностьГМР-чувствительных эле 25ментов 1 и 2, В/Тл,д - ширина ГМР-чувствительныхэлементов 1 и 2;К (х)- амплитуда индукции измеряемого...

Номер патента: 1336728

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Беломестнов, Бодров, Виноградова, Емельянова, Зотов, Ипатов, Кожухова

МПК: G01R 33/02

Метки: индукции, магнитного, поля

...Происходит лавинообразный процесс, приводящий к полному выбросу электронов с дырочных энергетических уровней компенсации в зону проводимости.Структура переходит в состояние отрицательного дифференциального сопротивления, в ней образуется шнур тока, Сопротивление чувствительного элемента 1 в шнуре резко падает до цвух порядков. Напряженность электрического поля резко возрастает, При этом напряжение, приложенное к чувствительному элементу, практически полностью падает на области максималь. ной проводимости (на шнуре тока). Напряженность электрического поля вне шнура падает. Электроны, перешедшие до этого в зону проводимости, возвращаются на компенсирующие уровни золота. В отсутствие магнитного поля шнур тока остается...

Номер патента: 298905

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Ленинградский, Персианова, Рекалова, Шахов

МПК: G01R 33/07

Метки: индукции, магнитного, поля

...введена примесь р-т 1 ипа, т. е, соз дан плоскостной р-гг-переход. Измеряемое магнитное поле направляется параллельно плоскости этого перехода. Выходная цепь содержит источник питания н сопротивление нагрузки.В цепь смещения входят сопротивление смещения и батарея смещения.Устройство работает следующим образом.На р-и-переход кристалла подается отрицательное смещение, Область объемного заряда, обедненная носителями, распространяет ся внутрь гг-области на значительную часть еетолщины, оставляя для прохождения электронон, дрейфующих от истока к стоку, тонкий проводящий канал 4. Его толтцина определяет.ся величиной отрицательного смещения затвора 3 и напряжением выходной цепи и может регулироваться в достаточно широких пределах (от...