Устроство для измерения нагрузки

Номер патента: 378033

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Хидео, Хироси

МПК: G01B 7/16

Метки: датчик, полупроводниковый, усилий

...30 35 40 3На фиг. 2 показан случай, когда область 5 образована вдоль одной главной поверхности основания 1, на фиг. 3 и 4 - случаи, когда эта область образована вдоль обеих главных поверхностей. На фиг. 3 показан вырез, образованный вдоль соединения 4 на одной поверхности основания 1, на фиг, 4 вырезы выполнены на обеих поверхностях.Длина области 2, образованной в центральной части основания 1, выбрана более длинной и равной эффективной длине диффузии носителей. Поперечная площадь центральной части значительно меньше благодаря вырезу, сделанному в направлении, перпендикулярном к продольному направлению основания 1.Таким образом электрические характеристики датчика значительно улучшаются за счет поверхностной рекомбинации, в результате...

Номер патента: 262447

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Журко

МПК: G01L 1/12

Метки: датчик, дифференциальный, магнитоанизотропный, усилий

...5 2 и 2, и измерительная обмотка, состоящаяиз секций д и 3. В одной секции;в общие отверстия уложены намагничивающая обмотка одного ряда и измерительная обмотка другого ряда, причем направленность праводнвков 10 обеих обмоток в каждом ряду этой свюцииодинакова.,В другой сеюции в общие отверстия уложены намагннчивающие обмотки и измерительные обмотки рядов поочередно, причем на правленность провадников в каждом чепномряду пропивстположна направленнссти их внечетных рядах.Сеюции 2 и 2 намагничивающей обмотквключены последовательно и согласно, а сек ции 3 и 3 измерительной обмотки - последовательно и встречно. Балансировочный магнитопровод 4 состоит из пакета пласпин трансформаторной стали и скользит по боковой поверхности сеюционного м...

Номер патента: 292057

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Денискин, Трахтенберг, Хорев

МПК: G01B 7/06, G01N 27/90

Метки: amp, ipaf, ir-i, »»ч11гг, диэлектрических, нднбчвлю-ека, озная, покрытийв, толщины

...Об 1)язол.Няпряэксппс 1 з пр(смпых сстушксх 9, 11 датии 1 8 Н 1)п Отс тсвнп Око,н) НСГО пэ(э 30 д 51- ЦСО ЛСс 1(1,1 с КОЛ П(.ПСП 1)УЕТС 51 КОЛи(ССГ 01)Я - Ыи 4, д. ВПОСИЛ 10 С Пс 1 П 1)5 ЖЕППС) С ПЭИСЛ 1 НОЙ Кс 1- ТЛПКИ 9 ОО,ЬП 1 СГО дис 1 Л 1( 1)с) ЧС 1)СЗ Л И П ГС Ь О ПО.сС ). 5 П )ХОДЫ фс.)(,Ч) Б ТБПС, П)ПЬХ С ГСКТ(1)013 .1, 20, ОдП П;3 СОТрьХ ПсСТ 1 ЭОСП Б (рсзс с 3 Око ы )30:30 лждс 1 юпсЙ кс 1 тлпп(п Э,зтчи- КЯ 1, с,1)Л(ЭП В К)сД 1)сГ 3 1)С С Ппл.С)сЗС)сУСТП С(П)ПЬС;СГСК Г(11)Ь 1 19, 50 Пс 1 С Г 1)сивс 10 С 5 фс:30 врс 11,;1 ТСГ 5 ЫИ 6, 7. В 1)с;),ПТс- ТС ПсСГ)Р)011 КП СЛЗЛЛсТР .СЛЛЛ 11 РЛС 1 Д)с 1 с- Н 1)51 жси И 5;, Одпо пз сот 01) ь х и ропорппэп Ял ьпо ДСПСБПТ(.;ППО 1, с Д)ЭЛО(. Л 111)1031 СОСТс 13,ЯОПСЙ БОСПМ 010 ПЯ 11)5 ЖСПЯ...

Номер патента: 482638

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Альтман, Печук, Помпеев, Рекунов

МПК: G01L 1/22

Метки: бесклеевой, датчик, тензорезисторный, усилий

...соединен аналогичным упругим шарниром 5 с грузо- воспринимающим выступом 6. Сочленение упругого чувствительного элемента с обоими упругими шарнирами осуществляется ниже ней трали упругого чувствительного элемента.Угол конусности упругих шарниров по отношению к цилиндрической образующей большего диаметра конуса находится в пределах от 1 до 70 в зависимостями от конструктивных 10 параметров датчика с тем, чтобы в нем,преимущественно происходила деформация растяжения и сжатия, На упругом чувствительном элементе датчика расположены по окружности стойки 7 с изоляторами, по периметру 15 которых намотаны свободно натянутые тензорезисторы 8, электрически соединенные в мост.С приложением к грузовоспринимающемувыступу 6 датчика измеряемого...

Номер патента: 1017907

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Коломиец, Свиридов

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, измеритель, толщины

...сопротивление. подается на дополнительные высокопотенциальные электроды 7:и 8 которые расположены соответственно между основными высокопотенциальными 5 6 и низко- потенциальными 3;4 электродами.При подключенйи измерительного преобразователя 1 к блоку 12.основной 5 высокопотенциальный электрод б образ-цового преобразователя 2 подключается к ннзкопотенциальному электроду 4 и наоборот, при подключении образцового преобразователя 2 к блоку 12 основ- О ной высокопотенциальный. электрод 5 измерительного преобразователя 1 подключается к низкойотенциальному электроду 3Такое переключение электродов позволяет перераспределить электри ческие поля преобразователей 1 и 2 в диэлектрической подложке 9. так, что рри поочередйом подключении этих...