Подстроечный конденсатор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 449385
Автор: Матис
Текст
(51) М Н 01 0 аявки -с присоединение32) Приоритет -осударственный кометеСовета Мнннстров СССРпо делен нзооретеннйн открытнйпубликовано 05,11,бюллетень4 я описаиия 1511 б) Дата опубликова 72) Автор изобретения Г Лати СТИТУТ МЕХЭНИЕИ ПОЛИ твийской ител ЫИ КОНДЕНСАТОР полни ВХОДЫ ТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕИтродО 3 И. 4 еСОЮДИ.ные с выходами фазовращателя 5,которого подключены к электродам 1 и 2.Жботает подстроечный конденсатор слеД,ИЩим Образом, Зажимы электродов 1 и 2 подключают к измерительной схеме, в которой необходимо изменить емкость. Дополнительные электроды 3 и 4 получаже питание через фазовращатель 5. Изменяя фазы напряжения по отйощению е напряжению питания электроДа 1 и 2 от О до 180, можно добиваться различного распределения н 8 пряженности пОля между электродами 1,2 и дополнительны;- ми злеитродамй. При сдвиге фаз на 180 электроды 1,3 и 2,4 обазуют электрическое йоле обикновенного плоскопараллельного конденсатора. При сдвиге фаз мезщу напряжениями питбющими электро Лы 1,2 и 3,4,до О" картина поля 1Изобретение относится и прибой ростроению, может быть использовано в приборах дпя определения характеристик или диэлектрических свОЙств конденсаторов.5Известны подстроечное конденсаторы, содержащие высокопотенКИОЛЬНЫВе НИЭИОПОТЕНЦИВЛЬНЫЕеДО полнительные электроды и элемент перестройки. 10Цель изобретения - изменение емкости на расстоянии достигается тем, что В предлагаемом ЕОН- дансаторе элемент перестройки выполнен в виде фазозращателя,выход которого подключен и дополнйтельным алеитродам, а вход - к высоко- потенциальномуи низиопотенциальному электродам.На чертеже приведена схема подстроечного конденсатора.Между основными високойотенциальным и низиопотенциальным электродами 1 и 2 размещены до449 385 Составитель А ТУЛЛК едактор 3,Ф тоВ текред Н .СЕНИН Заказ фзд. М ЮT мнтета Совета Мнннстров ССС еннй н открытийРаушская наб., 4 И.11111111 Государственного кно делан нзобр Москва, 113035,редрннтне Патент, Москва, Г, Бережковская наб.,3между электродами резко меняется.Так как поверхностная плотность на электродах пропорциональна напряженности поля, сумма поверхностных зарядов, определяющая емкость ионденсатора, зависит от напряженности поля, т.е. от распределения эивипотенциальйых и токовых линий поля. Максимум емкости подстроечного конденсатора - при сдвиге раз 18 Оо 1 с а минимум - при,сдвиге фаз питающих напря зний до О. Поствпеннное изме- нение з от Одо 180 приводит и плавному изменению емкости между этими крайними значениями. Таким 15 образом, емкостью подстроечного конденсатора можно управлять по 4проводам на расстоянии и без присутствия оператора.ПРРДВТ ИЗОВЯГЮИЯ Подстроечный конденсатор, содержащий высокопотенциальные, низиопотенциальные, дополнитеиьные элект, роды и элемент перестройки. о тличающийс я тем,что,с целью изменения емкости на рсстоянии,элемент перестройки выполнен в виде фазовраиртеля, выход которого подключен к дополнйтельным элеит родрм, а вход - и жсоиопотенциальному и низиопотенциальному электродам. краж ЯФ Подписное
СмотретьЗаявка
1735152, 05.01.1972
ИНСТИТУТ МЕХАНИКИ ПОЛИМЕРОВ АН ЛАТВ. ССР
МАТИС ИМАНТ ГУСТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01G 7/00
Метки: конденсатор, подстроечный
Опубликовано: 05.11.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-449385-podstroechnyjj-kondensator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Подстроечный конденсатор</a>
Предыдущий патент: Конденсатор переменной емкости
Следующий патент: Устройство для электризации полимерной пленки
Случайный патент: Способ получения гетероциклических соединений