Кристаллизатор для электрошлакового переплава
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 439182
Авторы: Кривешко, Маринский, Медовар, Островский, Шевцов
Текст
Союз СоветскнкСоциалистическихРеслублнк ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИяК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет до делам изобретеиий и открытий(72) Авторы изобретения Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени институт электросварки им. Е, О. Патона(54) КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ЭЛЕКТРОШЛАКОВОГО ПЕРЕПЛАВА15- коэффициентытемпературного расширения материала 1-го, 2-го и т 1-го слоевс оответс твенно гДе С(.,1 ф,2,. , 0,1120 Изобретение относится к области электрометаллургии, в частности к кристаллизаторвм для электрошлакового переплава.Известны кристаллизаторы с однослойной рабочей стенкой, а также криствллизаторы с рабочей стенкой, выполненной из нескольких слоев. Однако в таких криствллизаторах под действием градиента температуры в стенке, вызванного нагревом стенки с одной стороны и охлаждением с другой, рабочая стенка расширяется неравномерно по толщине и деформируется, Так, внутренние (обращенные к шлаку), более нагретые слои расширяются сильнее, чем наружные.С целью предотвращения тепловой деформации стенки в предлагаемом кристаллизаторе каждый последующий спой многослойной рабочей стенки, считая с поверхности, контактирующей с жидким металлом и шлаком, выполнен из материала с большим коэффициентом температурного расширения, чем материал предыдущего слоя,Слои стенки, обращенные к шлаку, нат- реваются сильнее, чем обращенные кохладителю. Но так как слои выполнены5из материала с различными коэффициентами температурного расширения, то всястенка расширяется равномерно. Удлинение слоя зависит от коэффициента теплового расширения материала слоя и от пере 1 Опада температуры на слое, зависящего,в свою очередь, от теплопроводностиматериала слоя и от толщины слоя, Длявсех слоев должно выполняться условие:4391 82предотвращения тепловой деформации стенев кн каждый последующий слой от поверхности, контактирующей с жидким металлом и шлаком, выполнен из материала с а 5 большим коэффициентом температурногорасширения, чем материал предыдущего ев слоя2, Кристаллизатор по и. 1, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью сня 10 тия напряжения в рабочей стенке кристаллизатора, толщина каждого из слоев этой стенки устанавливается, исходя из условия;- толщина 1-го,2-го и и-го слосоответственно- коэффициент теп 4 2илопэоводности мтериала 1-го,2-го и И-го слосоответственно.При этом все слои расширяются наодинаковую величину, и деформации непроисходит.На чертеже изображен предложенныйкристалпизатор (вариант).Кристаллизатор содержит слой 1 рабочей стенки, контактирукипий с жидким 15металлом и шлаком, слой 2 рабочей стенки, обращенный к охладителю 3.Описанный кристаллизатор прост визготовлении и имеет значительно большийсрок службы, чем известные кристаллизаторыю 25 1. Кристаллизатор для электрошлакового переплава, рабочая стенка которого, контактирующая с жидким металлом и шлаком, выполнена многослойной, о т - лич ающ ийс я тем, что, с целью 30 Заказ 2984/55 ЦНИ ж 608 Подписно илиад ПНП фПатент", г. ул. Проектная,формул а изобр етен ия д 1 д2 д йодН где о Д Д - толщина 1-го1 2 и2-го и 11-го слоевсоответственно:сА д, ", с.- коэффициенты температурного расширения материала1-го, 2-го и-гослоев соответственно:, )- коэффициенты теплопроводности материала 1-го, 2-го .и -го слоевсоответственно.
СмотретьЗаявка
1845076, 10.11.1972
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОСВАРКИ ИМ. Е. О. ПАТОНА АН УКРАИНСКОЙ ССР
МЕДОВАР Б. И, ШЕВЦОВ В. Л, МАРИНСКИЙ Г. С, ОСТРОВСКИЙ Ю. Н, КРИВЕШКО А. А
МПК / Метки
МПК: C21C 5/56
Метки: кристаллизатор, переплава, электрошлакового
Опубликовано: 05.06.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-439182-kristallizator-dlya-ehlektroshlakovogo-pereplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Кристаллизатор для электрошлакового переплава</a>
Материал рабочего слоя теплоотводящих стенок кристаллизатора
Номер патента: 715209
Опубликовано: 15.02.1980
Авторы: Вавиловская, Ефремов, Зарвин, Нефедова
МПК: B22D 11/059
Метки: кристаллизатора, материал, рабочего, слоя, стенок, теплоотводящих
...и железо, способствуют равномерному протеканию диффузионных процессов во время термодиффузионного упрочненйя. Например, для получения слоя указанного состава термодиффузионным способом состав смеси насыщения сЛедующий, вес.%:Алюминиевый порошок 15-35Окись алюминия 39-59Хлористый аммоний 1ферромарганец 15-25П р и м е р 1, Для получения слоя с содержанием, вес,%,Алюминий 5Железо 1Марганец 5Медь Остальноесостав смеси следующий, вес.%Алюминиевый порошок 15Окись алйминия 59Хлористый вммоний 1Ферромарганец 15Нагрев осуществляют со скорость 100/ч; выдержка при 800 С 2 ч; охлаждение производят с печью.П р и м е р 2. Йля получения слоя с содержанием, вес,%:Алюминий 12Железо 3Марганец 13Медь Остальное состав смеси следующий, вес.%:Алюминиевый...
Способ регулирования теплоотвода от узких стенок в пластинчатых кристаллизаторах при непрерывной разливке металлов
Номер патента: 568342
Опубликовано: 05.08.1977
Авторы: Вальтер, Вернер, Иозеф, Маркус, Петер
МПК: B22D 11/16
Метки: кристаллизаторах, металлов, непрерывной, пластинчатых, разливке, стенок, теплоотвода, узких
...значение с задан. ным, соответствующим фактической температуре разливаемого металла н скорости вытягивания слитка, и при рассогласовании заданного и измеренного количества тепла автоматически изменяют утол между узкими стенками кристаллизатора.На чертеже приведена блок - схема одного устройства для реализации способа регулирования теплоотвода от узких стенок кристаллизатора.Схема включает следующие обозначения: пластинчатый кристаллизатор 1, соответственно широкие и узкие стенки 2,3 кристаллизатора, трубы 4 для подвода охладителя к узким стенкам кристаллизатора, измерительныеблоки 5 для определения отводимого количества тепла, блок 6 сравнения, заданное количество тепла 7, отводимо. го от кристаллнэатора, вычислительный блок 8,...
Устройство для измерения температуры внутренних стенок рабочей камеры лазера на парах металла
Номер патента: 993710
Опубликовано: 23.07.1984
Авторы: Директор, Карасев, Маликов, Менделеев, Рязанский, Сковородько, Фомин
МПК: G01J 5/20
Метки: внутренних, камеры, лазера, металла, парах, рабочей, стенок, температуры
...ДИСК1;Ррвое и торле,ИМР С. Т О " В Р С Т ИЯс. 1 Т р ы к л т л рех Р д сПоцоже 1 НЦЛ (ДНОМ Рс 1 СГТ(Я НИЦ ОТ 1 ОПТ рд дис кд, рлецл:1 рлсстляцю лт цент 1 дР 1 ВОГО от РГ 1 ия 1 с оси неподниж -ЦЛЧ Дисксз ВРЛЕДКц 1(Я ДИГК СНЛсЖРНвы.тупдющимц 1,1 Ргл цс риметр лепегтки ) Цент) к лж;О 1 л )1(и(Гтк л с;вин ут с)ТНЛСИТЕЛЬЦО ПСЦТРЛ ГЛО 1 сЕТГТНКРгОем, отверстия того жс диска ня угол,ЛН:Ый ПО НЕИЧИН( И ЗцаКУ УГЛ) ЕУгдцигу ентря второго лтвергтия в не -подвижном дис.кс отнсительно центраП Р 3 О г О У гг О Б О И Р с 1 З М С Р К сэжС г О Л Рпе(:ткд больше суммы угловых размеровслстнетствующегл ему Отверстия вонр;щакщемся диске и обоих отверстегйВ ц Р и о д В иж н О м д и ( к Рр д д и ял е ц О с р д с стсяние До центра нтарогс...
Способ контроля покрытия металла гальванически осажденным слоем
Номер патента: 205309
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Мирсалимов
МПК: C25D 21/12, G01B 7/06
Метки: гальванически, металла, осажденным, покрытия, слоем
...знака, который может рассматриваться как две обкладки конденсатора. Вследствие этого сопротивление системы электрод - раствор не является чисто активным, а содержит заметную емкостную составляющую, обусловлив ающую появление сдвига фаз между током и напряжением, приложенным к электроду. Этот сдвиг фаз зависит от материала металлического электрода. Способ заключается в том, что ванну подключают периодически к источнику переменного тока, например, промышленной частоты и измеряют сдвиг фаз между током и напряжением, по которому судят о степени покрытия.Предлагаемый способ поясняется чертежом.Ванну 1 переключателем 2 отключают отисточника т постоянного тока и подключают к источнику 4 переменного тока, в качестве которого может служить...
Устройство для регулирования температуры рабочих зон кристаллизатора
Номер патента: 1118978
Опубликовано: 15.10.1984
МПК: G05D 23/30
Метки: зон, кристаллизатора, рабочих, температуры
...а теплообмен происходит как эа счет фазовых переходов теплоносителя, так иза счет циркуляции его жидкой фазы.по змеевикам, наиболее полно удовлетворяет условиям теплообмена в кристаллиэаторе и обеспечивает высокуюточность стабилизации температурысколь угодно длительное время,На фиг.1 схематично изображеноустройство для регулирования температуры рабочих зон кристаллиэатора,общий вид; на Фиг.2 представлен вариант выполнения механизма изменения величины теплового потока тепловых труб (узел 1 на Фиг.1).Устройство для регулирования температуры рабочих зон кристаллизатора содержит рабочий объем кристаллиэатора 1, включакщий рабочие зоны 2(зону выращивания монокристалла 3)и 4 (эона насыщения раствора). Рабочие зоны 2 и 4 образованы...
Предыдущий патент: Способ изготовления расходуемого электрода
Следующий патент: Способ приготовления добавок для газоразрядных источников света
Случайный патент: Прядильная головка для формования синтетического волокнабиблиотека