Функциональный преобразователь перемещений

Номер патента: 126187

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Абрамович, Викулов, Папировский

МПК: G01R 17/10, G01R 27/02

Метки: активного, изменения, моста, переменного, плече, сопротивления, сравнения

...осуществить измерение эффективной емкости и эффективного тангенса угла диэлектрических потерь в широком диапазоне измеряемых величин,Это достигается путем шунтирования плеча сравнения моста эквивалентным сопротивлением цепи, состоящей из потенциометра, включенного параллельно диагонали моста, и постоянного сопротивления, под126187 Предмет изобретенияСпособ изменения активного сопротивления в плече сравнения моста переменного тока, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения пределов измерения, плечо сравнения шунтируют эквивалентным сопротивлением цепи, состоящей из потенциометра, включенного параллельно диагонали моста, и постоянного сопротивления, подключенного между средней точкой потенциометра и концом второй диагонали, к...

Номер патента: 1128108

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Михеев, Нечаев

МПК: G01B 7/16

Метки: активного, изменения, сигнал, сопротивления, электрический

...изменения активного сопротивления в электрический сигнал содержит источник 1 биполярныхимпульсов тока, последовательно соединенные тензорезисторы 2 и 3 включены между инвертирующнм и неинверти.рующнм входами операционного усили3 11281 теля 4, резистор 5 отрицательной обратной связи включен между выходом и инвертирующим входом операционного усилителя, Общий вывод тензорезисторов 2 и 3 подключен к источнику 1 би. полярных импульсов тока, Двусторонний ограничитель 6 включен между неинвертирующим входом операционного усилителя 4 и общей шиной.В установившемся режиме выходной 10 ,сигнал преобразователя описывается выражением 1 Й Ц Вихст о + г 3" ст СмеПолагая величины Д токов питаниятензорезисторов в предлагаемом и из вестном...

Номер патента: 133492

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Лямичев, Першин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, изменения, кремниевых, обратимого, обратного, сопротивления

...напряжения Сl - меняется яркость свечения электролюминесцентного элемента.Заведенная информация сохраняется до тех пор, пока импульсный сигнал стирания через диод Д 2 не разрядит конденсатор С дАналогичным образом проходит запись и стирание информации в запоминающем устройстве на конденсаторах с диодами.При применении предлагаемого способа в указанных схемах (и аналогичных им) для введения разнополярных импульсных сигналов достаточно иметь один диод с изменяемым обратным сопротивлением. В качестве диодов могут быть использованы кремниевые диоды типа Д- ;Д, которые в импульсном режиме обеспечивают восстановимое изменение обратного сопротивления.М 133492 Экспериментальным исследованием было установлено, что режим восстановимого изменения...

Номер патента: 711479

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Карандеев, Новик, Сурду

МПК: G01R 17/06

Метки: выбора, измеряемых, комплексного, мостах, параметров, переменного, сопротивления, универсальных, экстремальных

...тока свидетельствовало бы орасположении вектора тока 1 вдольлинии ОА, т.е. синфаэно с нанряжение)кПосле определения квадранта, вкотором расположен вектор тока 1с этим вектором суммируют другой модуляционный ток 1 1, вектор которогонаправлен перпендикулярно линии раздела секторов найденного квадранта:в первом случае перпендикулярно линии ОС, во втором - перпендикулярнолинии ОР, и повторяет описанную ранее последовательность действий,т.е. периодически инвертируют фазувекторад 1 и находят знак приращениясуммарного вектора тока при этом инвертировании. Юля,первого примера1 +д 1 Д,1-ЬЯ, следовательно, вектор 1, лежит выше линии ОС,т.е. в пределах 1 сектора (ВОС)полуплоскости % , для второго примера 1+дед 1";д 1 , следовательно,...

Номер патента: 769438

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Журавлев, Карандеев, Новик, Сурду

МПК: G01R 17/10

Метки: выбора, измеряемых, комплексного, мостах, параметров, переменного, сопротивления, универсальных, экстремальных

...2 раэ меньше амплитуды тока объекта измерения, то зона неопределенности будет минимальной. Покажем это. С этой целью проанализируем, как влияет на ширину эоны неопределенности погрешность формирования модуляционных токов. Будем считать, что амплитуда модуляционного тока в 42 раз меньше амплитуды тока объекта измерения. Формирование модуляционных токово 1и 1, сдвинутых по фазе на 90 не представляет трудности. Более трудной задачей является обеспечение равенства амплитуд этих токов. Поэтому рассмотрим, как будет влиять на точйость Определения сектора комплексной полуплоскости неравенство ампли+ туд модуляционных тОкОВ 1 и 1, Пусть вектор тока объекта измерения 1(см, фиг. 3) совпадает с линией раздела ОВ сектора 1 и 11. При равенстве 1 и Х...