Способ очистки моносилана методом низкотемпературной ректификации
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(22) Заявлено.03,01,72 (21) 1733873/23 Кл.25/ 3/О вием заявкиприсое Государственный комнте Совета Министров ССС оо делам иааоретеннй и открытий(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ МОНОСИЛАНА МЕТОДОМ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ РЕКТИФИКАЦИИ ом тводе при есеи. ащени рь моносилана и Для сок уменьшения ся вести пр последовате В начал бе испаритехладагента, предлагает 2 р истки при следующей операций,иод температуру в курживают равной темпечищаемой примеси, при- рб расхода оцесс оч льности ный, пе ля лодд рзання атуре зам Изобретение относится к технике разделения газов и жидкостей, в частности к способу очистки полупроводниковых материалов при использовании в химической технологии кремния высокой, чистоты.Известен способ очистки моноснлана методом низкотемпературной ректификации; по которому процесс получения чистого продукта проводят в одну стадию с вывод примесей вместе с моносиланом из верхней и нижней частей колонны в количестве 20-30% от исходного количества очищаемого продукта.Недостатком указанного способа является длительность процесса очистки, что при- И водит к повышенному расходу хладагента и значительным потерям моносилана при мов, А. Г. Петрик, А. И. Семеновн, А. П. Горшков и И, В. Поселяни,чем примесь выпадает на стенках куба втвердом виде, без возврата в колонну. Заотем температуру повышают на 20-40 С,примесь переходит. в жидкое состояние истекает в нижнюю часть куба колонны.При этом осуществляют интенсивный отбормоносилана с расходом 50-250 л/час;количество отводимого моносилана не превышает 4-10% от исходной смеси. Далеепроводят термоочистку моносилана, увеличивая температуру стенок куба до 200 С.Примеси в виде гидридов и органическихсоединений либо разлагаются настенках, либоболее летучие соединения превращаются вменее летучие и накапливаются в кубе.При этом отбор моносилана из куба испарителя уменьшают до 10-30 л/час и отбирают 1-3% от исходной смеси,П р и м е р. При очистке моносиланаосновными примесями являются тетраэтоксилан и диборан.Сначала в кубе полного испарения поддерживают температуру минус 82 оС, чтосоответствует температуре плавления тет, раэтоксилана. Затем температуру повыша432792 Составитель А. Певцов Редактор А 1 орченко Текред 1.Миронова Корректор Л.ОРлова Заказ 4 Р 5 Изд.//.Я Тираж Я б, 11 однисное И 1 осударственного комитета Сове 1 а Министров СССР но делам изобретений и открытий ,Москва, 13035, Раушская наб., 4 Нднни 1 тне 4 атент. Москва. Г.яя елгюж,с ол ют на 30 оС, увеличивают отбор до 200л/час н берут анализ на содержание тетраэтоксилана в лтоносилане. После отбора5% от исходной смеси в пробах отсутствует тетраэтоксилан. Далее температуру повышают до 200 оС и уменьшают отбордо 30 л/час. Процесс очистки считают законченным, когда отобрано , 3% от исходной смеси. Об окончательнйх результатахочистки судят по удельному сопротивле Онию кремния, полученного из этого моносилана, после одного прохода (уровень подонорам) и 15 проходов (уровень по беру)на печах бестигельной зонной плавки ввакууме. Результаты показывают, что 15уровень по донорам 500 ом см, а уровеньпо беру 12000 омсм (соответственнопротив 2 00 ом см и 3000 омсм, получаемых обычным методом). При этомпотери моносилана снижаются на 20%, а 3расход хладагента (жидкого азота)на 15%. Предмет изобретени я цСпособ очистки моносилана методом низкотемпературной ректификации в колон.не при выводе примесей из куба полного испарения колонны потоком части пара моносилана, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью уменьшения количества от водимого моносилана, загрязненного примесями, и сокращения расхода хладагента, температуру в кубе испарителя поддерживают сначала равной температуре замер зания очищаемой примеси, затем тел 1 пературу повышают на 20-40 С и отбираютомоносилан в количестве 4-10% от загрузки из куба испарителя, после чего тел 1-пературу поднимают до 50-200 оС и суменьшением скорости отбора отводят1 "3% от йсходного количества очищаелюго продукта.
СмотретьЗаявка
1733873, 03.01.1972
ЗЕЛЬВЕНСКИЙ Я. Д, ЕФРЕМОВ А. И, ПЕТРИК А. Г, СЕМЕНОВ А. И, ШВАРЦМАН Л. Я, ГОРШКОВ А. П, ПОСЕЛЯНИН И. В
МПК / Метки
МПК: F25J 3/08
Метки: методом, моносилана, низкотемпературной, ректификации
Опубликовано: 05.11.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-432792-sposob-ochistki-monosilana-metodom-nizkotemperaturnojj-rektifikacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки моносилана методом низкотемпературной ректификации</a>
Предыдущий патент: Способ управления излучением оптического квантового генератора
Следующий патент: Разъемный корпус с подшипника
Случайный патент: Программное устройство для управления водоподготовительными фильтрами