413625

ОПИС ИЗОБРЕ Союз Соаетских циалистическ РеспубликЗависим ельств от авт, св 98073/2 1. 1 хл. Н 031 с 17,6 Х,1971 ( вле нецием заявки с присоед осударстееииыи комитетСовета Мииистроо СССРпо делам ноооретеиийи открытий иорц:с681.3.055(08 Ьюллете,; цо 30.1.1974..)цу блцко: иковация описа ця 6 Л 1.19 та оп Авторыизобретешая Паринов и Г В. Кружанов, Е, П рсин Заявител СКОНТАКТНЫЙ П ЕРЕКЛ 1 ОЧАТ Полупроводниковая г - р - г (р - п - г)- структура состоит из высокоомной базовой области 1, высоколегировацной области 2 с типом проводимости, противоположным проводимости базовой области 1, низкоомцой области 3, расположенной между областями 1 и 2, с типом проводимости, соответствующим проводимости базовой области 1 и образующей с областью 2 р - и-переход 4, омическо го контакта 5, сформированного на области 2,омического контакта 6, ацтиза парного контакта 7, расположенного между высокоомцой базовой областью 1 и омцпеским контактом 6, омипеского контакта 815 Структура тг - р - г или р - гг - г типа коммутирует ток в нагрузке 9, включенной последовательно с источником питания Ув зависимости от управляющего сигнала, который поступает с мостовой схемы управления, со стоящей из чувствительного к внешнему воздействию элемента, например магнитодиода 10, стабилитроца 11 и резисторов 12 и 13, причем резистором 12 устанавливается режцм стабилитроца, а резистором 13 -- магццто диода.Мостовая схема управления заццтываетсяот отдельного источника l цостояццого напряжения.Рабочие30 пинией наг изобретениеэлектроники, вреключающимзоваться в выпитике.Известен бесконтактный переключатель, содержащий коммутирующий элемент и мостовую схему управления, состоящую из стабилитроца и элемента, чувствительного к внешнему воздействию, включенных в первые два плеча мостовой схемы, другие два плеча которой содержат резисторы.Однако в известном устройстве время переключения зависит от длительности фронтов управляющего воздействия, а отношение токов в открытом и закрытом состояниях невелико.Целью изобретения является обеспечение независимости времени переключения от длительности фронтов управляющего воздействия и повышение токов в открытом и закрытом состояниях.Для этого в предлгггаемом переключателе в качестве коммутирующего элемента использоваца и - р - г (р - и - г) -структура, р - и- переход которой включен в диагональ мостозой схемы управления.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства,относится к области радио астности к бесконтактным пе стройствам, и может исполь слительной технике и автома топки магцитодиода определяются рузки резистор 13 ц величиной413625 3 Я . ( Я г+Вз) Рмд. Ж 1 г + г(з) Предмет изобретения Составитель Л. Багяидиктор Г. Караулова Текрсд Г, Васильева Корректор Л, Новоя(ялова акая 121)/5ЦНИИ Тираж 811комитета Совета Миииретеиий и открытийаушска 1 иаб., д. 4/5 Изд.1288 Госуда рствеииого ио делам изо Москва, Ж, Подписноев СССР Типограйи 1, ип. Саиуиов; напряжения источника с/г. Стабилитрон 11 включен встречно с магнитодиодом 10.Пока магнитодиод находится вне магнитного поля, сигнал со схемы управления имеет отриг 111 ельнуо полярность, При этом ииход- НОС СОП 1 зотИВЛЕНИЕ Йигак МОС 1 ОВОЙ С ХЕ 1 Я УН рзвлення невелико, посколькуйв==/(е (Г(,г+ /(, ) ГДС /(мд - ДИффЕРСНЦИЯЛЬНОС СОПРОтИВЛСННС мягнитодиодя в рабочей точке;/(г и Я 1 а - сопротивления резисторов 12 и 13 соответственно. В магнитном поле сигнал со схемы управления имеет положительную полярность, а выходное сопротивление в этом случае велико, тяк как Полупроводниковая и - р - -структура представляет собой структуру с 5-образной ВАХ, которая может управляться как с помощью изменения сопротивления Яи, шунтирующего ее р - и-переход, так н путем изменения напряжения, приложешюго к р - и-переходу. Увеличение Яи уменьшает величину напряжения срыва ВАХ и - р - г-структуры. Увеличение управляющего напряжения положительной полярности уменьшает 11 апряжение срыва, а напряжение отрицательной полярности переводит структуру из проводянего состояния в режим отсечки.Отношение токов в проводящем состоянии и режиме отсечки составляет 3 - 4 порядка.Благодаря наличию на ВАХ структуры учястка с отрицательным дифференциальным сопротивлением время включения составляет величину порядка единиц мксек, выключение - десятков мксек независимо от скоро стей нарастания и спада управля 1 ощих сигналов (С/а, /(ги) и, следовательно, от длительности фронтов унрявляощего магнитного поля.Полупроводниковая и - р - г-структура находится в режиме отсечки, если магнитодиод 10 находится вне магнитного поля (оба управляющих фактора с/е и т(и, действуют согласно - на запирание), и в проводящем состоянии, если магнитодиод находится в магнитном ПОЛЕ (У И г(п таижЕ ДЕ 11 СТВУ 10 СОГЛЯСНО 15 на отпирание и - р - г-структуры) .Схема работает аналогично и при использовании в качестве чувствительного и опорного других элементов, например термосопротивления.20 Бесконтактный переклочатель, содержащийкоммутиру 1 ощий элеме 11 и мостовую схему 25 управления, состоящую из стабилитрона иэлемента, чувствительного к внепшему воздействию, включенных в первые два плеча мостовой схемы, другие два плеча которой содержат резисторы, отличающийся тем, что, 30 с целью обеспечения независимости временипереключения от длительности фронтов управляющего воздействия и повышения отношения токов в открытом и закрытом состояниях, в качестве коммутирующего элемента использо вана и - р - г (р - и - г)-структура, р - ипереход которой включен в диагональ мостовой схемы управления.