408454

, Кл. Н 031 с 3/5Н 021 7/ Заявлено 21.Х 11.1971 ( 1727475/26-9 с присоединением зПриоритет -Опубликовано 10,Х и -Государственный комитеСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий УДК 621.316.9 088.8 1973, Бюллетень47описания 18 Х 1.1974,ата опубликован Авторыизобоетения В, В, Овчаренко, Н. А. Кушнир, Н, П. МакарущенА. И, Иванченко явите СТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА РАБОТАЮЩЕГО В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕазом.ременн едующим интервал 1Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для защиты сило вого транзистора, работающего, например, в устройстве для заряда конденсатора.Известно устройство для защиты преобразователя, содеркащее транзистор, стабилитро. ны, подключенные через резисторы к источнику питания,Однако в известном устройстве не преду;.- мотрена защита силового транзистора от перегрузки по мощностипревышающей допустимую.Целью изобретения является предотвращгние перегрузки силового т)ранзистора по мощ,ности, превышающей допустимую.Для этого между, коллектором и стабилитроном выключен диод с накоплением заряда (ДНЗ), анодом к коллектору, а параллельн стабилитрону через резистор подключен д - полнителыный источник,питания.На чертеже приведена схема устройства ,для защиты 11 ранзистора.Устройство для защиты силового транзистора, работающего в импульсном режиме, содержит транзистор 1, дроссель-трансформатор , диод 8, накопительный, конденсатор 4, дополнительный источник питания 5, ДНЗ б, резистор 7, стабилитрон 8.Устройство работает сл обр В течение некоторого а в транзистор 1 открыт и в дросселе-трансформ 1- торе 2 линейно нарастает ток, так как в силу указанного направления включения обмоток диод 3 закрыт. После достижения максималь ного значения тока коллектора (он же тзкдросселя), то есть после достижения максимальной запасенной энергии в дросселе-транс - форматоре 2, транзистор 1 закрьнается. При этом кзллекторное напряжение начинает бысг ро возрастать.Коллекторный же ток спадает гораздо медленнее и скорость его спада определяет.я инерционностью транзистора, В течение этого времени и происходит выделение огромной 15 импульсной мощности, губительной для транзистора. После достикения коллекторным напряжением того уровня, при котором откры.вается диод, начинается передача энергии, запасенной в дросселе-трансформаторе 2, нако,пительному конденсатору 4.Предполагается, что ДНЗ б имеет времявключения намного меньше, чем у транзисгора, и достаточно большой накопленный заряд.При открытом транзисторе через него про текает дополнительный ток по цепи: положительный полюс дополнительного источни к питания 5, транзистор 1 ДНЗ б, резистор 7, отрицательный полюс источника 5, так ка напряжение стабилизации стабилитрона 30 больше суммарного падения напряжения наЗаказ 179 Изд.320 Тираж 768 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР,по делам изобретений и открытий Москва, Ж-Зо, Раушская наб., д. 4 5Типография24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул. Маркса - Энгельса, 14 транзисторе, находящемся в состоянии насыщения, и ДНЗ б. Резистором 7 можно устанавливать необходимый прямой ток ДНЗ б. Этот ток выбирается примерно на порядок меньше максимального тока транзистор,В течение некоторого интервала времени в ДНЗ б накапливается заряд, Сразу после запирания транзистора большой ток дроссел г ,протекает от источника Е через стабилитроч 8, ДНЗ б, трансформатор 2. Током через резистор 7 можно пренебречь в силу его малости. Таким образом, после запирания транзистора через ДНЗ б протекает большой обратный ток, ЭТИМ ТОКОМ 4 ВЫтяГИВаЕтея Заряд ИЗ ДНЗ б, наколленный при открытом транзисторе.В это время (во время обратного тока через ДНЗ б) падение напряжения на транзисторе 1 будет определяться падением напряжения на ДНЗ б и напряжением с 1". Если с 1" выбрагь ,порядка 3 - 5 в, то падение напряхкения на транзисторе 1 составит единицы вольт. Таким образом, большая импульсная мощ ность будет выделяться на ДНЗ б. Однако для ДНЗ б это не представляет большой опасности, так как время запирания ДНЗ б на один- Б два порядка меньше, чем у силового транзистора 1. Предмет изобретенияУстройство для защиты силового транзисто ра, работающего в импульсном режиме, например, в устройстве для заряда конденсатора, содержащее стабилитрон, подключенный параллельно участку коллектор-эмитгер силового транзистора, отличающееся тем, что, с целью предотвращения перегрузки силового транзистора по мощности, превышающей д- пустимую, между коллектором и стабилитроном включен диод с накоплением заряда, анодом к коллектору, а параллельно стабилитрону через резистор подключен дополнительныйисточник питания.