407211

Номер патента: 131950

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Трушин

МПК: G01B 17/02, G01N 3/56

Метки: износ, износа, испытании, образца, степени, трение

...в цем электрические колебания, фаза которых будет зависеть от длины образца.1 аким образом, при изменении длины образца будет изменяться и фаза отраженных колебаний. Подавая на Фазометр 5 колебания отра13950 Предмет изобретения 1. Устройство для измерения степени износа образца при его испытании на износ и трение, содержащее вращающийся с равномерной скоростью диск из абразивного материала, к поверхности которого при. жимается торцом испытываемый цилиндрический образец, о тл и ч а ющ е е с я тем, что, с целью определения уменьшения длины образца в процессе испытания, на свободном конце испытываемого образца установлен излучатель-приемник ультразвуковых колебаний, воспринимающий колебания, отраженные от истираемой поверхности образца.2....

Номер патента: 1239568

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Горелов, Космодемьянский, Сорокин

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, поверхности

...в процессе изготовления изделия,на выходе порогового элемента 10получают сигнал о (С) и по его наличию судят о годности или негодности контролируемого изделия.В связи с тем, что по предлагаемому способу компенсируется коррелированная составляющая шумов, определяемых шероховатостью поверхностиизделия, увеличивается величина отношения сигнал-шум и повышается надежность, обнаружения дефектов на поверхности изделий,П р и м е р. Способ реализуют в макете для контроля механических дефектов поверхности. стальных изделий, изготовленных на автоматических роторных линиях вытяжными операциями. Габаритные размеры изделий: диаметр й .= 6,мм, длина Й = 60 мм, частота обработки поверхности И = 0,63 мкм. Корреляционную функцию коэффициента...

Номер патента: 835209

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Котляров, Сорокин

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, обнаружения, поверхности, фотоэлектронное

ФОТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ПОВЕРХНОСТИ, содержащее излучатель, фотоприемник, расположенный в ходе лучей зеркально отраженного светового потока, измерительный усилитель, соединенный входом с выходом фотоприемника, и дополнительный фотоприемник, установленный в ходе лучей диффузно отраженного светового потока, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности контроля, оно снабжено дополнительным усилителем и управляемым сопротивлением, включенным в цепь отрицательной обратной связи измерительного усилителя и соединенным управляемым входом с выходом дополнительного усилителя, вход которого соединен с выходом дополнительного фотоприемника.

Номер патента: 903761

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Карасев, Мезинцев, Хилков

МПК: G01N 29/04

Метки: акустико-эмиссионный, высокого, давления, дефектов, динамики, испытаниях, оценки, прочностных, развития, сварных, сосудов

...повторно снимают нагрузку, дополнительно наносят не менее одного имитатора дефекта в основном материале сосуда и в третий раз нагружают сосуд.Составитель В. УрусовРедактор Р. Цицика Техред Ж. Кастелевич Корректор О Билакт т Тираж 882 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, ч/5 Заказ 102/25 г. Ужгород, ул, Прсн.кажная,Филиал ППЙ "Патент",Способ осуществляется следующим образомНаносят на сосуд высокого давления в зоне сварного шва один или несколько имитаторов дефектов, нагружают сосуд внутренним давлением, создающим деформации материала сосуда, не превышающие упругие. Принимают в процессе нагружения сигналы акустической эмиссии от имитаторов дефектов и...

Номер патента: 1182354

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Беспалов, Киселев, Плотников, Салецкий

МПК: G01N 21/91

Метки: дефектов, локальных, поверхности

...молекул на величину ЬЭ= - Э - Л, причем вероятность этого процесса в каждой точке образца пропорциональна числу заряженных центров - акцепторов энергии И(х, у). Поэтому, измеряя изменение интенсивности люминесценции молекул дЭ(х, у) после заряжения дефектов, непосредственно получают картину распределения этих дефектов на поверхности об" разца И(х, у).П р и м е р 1. Определение заряженных областей в структурах Се СеО - эритрозин и Б 1 - БО - кумарин.Структуры типа полупроводник - диэлектрик на основе кристаллов Се и Б используют при создании большинства современных полупроводниковых приборов, в частности при создинии эффективных элементов памяти. Информацию записывают путем инжекции электронов светом из валентной зоны...