Фазовый дискриминатор

Номер патента: 1176426

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Вильфрид

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающего, питания, приборах, проводимости, сетевого, схема, транзистора, фазой

...так как нельзя избежать перегрузки по мощности переключающего транзистора,Целью изобретения является улучшение регулирующих свойств приборов сетевого питания и снижение требований к времени накопления и коэффициенту усиления по току переключающего транзистора.В основе изобретения лежит задача выполнить схему для управления фазой проводимости переключающего транзистора в приборах сетевого питания с управляющей обмоткой и управляющим транзистором в цепи эмиттера переключающего транзистора так, чтобы с минимальными дополнительными затратами достичь управления током базы, пропорциональным коллекторному току, и существенно ум ньшить отрицательное влияние времени накопления переключающего транзистора на регулирующие свойства прибора...

Номер патента: 1173499

Опубликовано: 15.08.1985

Автор: Вильфрид

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающего, питания, приборах, проводимости, сетевого, схема, транзистора, фазой

...стабилизации выходного напряжения, ограничивая коллекторный ток переключающего транзистора путем вывода его из насыщения. Недостатки этого решения состоят в том, что относительно зависящего от входного напряжения управления тока базы переключающего транзистора и вследствие вывода из насыщения переключающего транзистора эти технические решения неприменимы . для приборов сетевого питания с высокими входными напряжениями питания, так как нельзя избежаТь перегрузки по мощности переключающего транзистора,Цель изобретения - улучшение регулирующих свойств приборов сетевого питания и снижение требований к времени накопления и коэффициенту усиления по току переключающего транзистора.В основе изобретения лежит задача создания схемы для...

Номер патента: 725220

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Орловский, Чуев

МПК: H03K 5/20

Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...

Номер патента: 748812

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Гордун, Фролов

МПК: H03K 3/2893

Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной

...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...

Номер патента: 669300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Пиняев, Порубай

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером

...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...