Способ измерения объемного соотношения компонентов двухслойного стеклопластика

Номер патента: 391498

Автор: Авторы

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства-М. К 01 г 27/28 аявлено 03,1 Х,1970 ( 1476704/26 с присоединением заявк сударственныи комитетсвета Министров СССРпо делам изобретенийн открытий нор итет УДК 621.317,619Опубликовано 25,Л 1.1973. БюллетеньДата опубликования описания 10.Х 11.197 Авторыизобретения С, Бернштейн, Н. Н. Каримо К. Шаков Заявит Московский станкоинстр тальныи институт ЕРЕНИЯ ОБЪЕМНОГО СООТНОШЕНИЯ В ДВУХСЛОЙНОГО СТЕКЛОПЛАСТИКА СПОСОБ ИКОМПОНЕН 2 араллельнои тсклопласти- электрическ радиотехнике и для разработки сигулирования соотперпсндпкулснты стексктора элекИзвестный способ измерения обьемного соотношения компонентов двухслойного стеклопластика, основанный на измерении распределения поля в линии передачи с образцом диэлектрика, характеризуется большим временем процесса измерения.Цель изобретения - ускорение процесса измерений.Для этого к измерительной линии подключают короткозамкнутый отрезок волновода и фиксируют частоты, при которых один из узлов поля в измерительной линии совпадает по своему положению при отсутствии стеклопластика в упомянутом отрезке и при введенной в отрезок ленте стеклопластика, нити которой ориентированы по отношению к вектору электрического поля параллельно в одном случае и перпендикулярно в другом. Объемное соотношение компонентов стеклопластика вычисляют как соотношение:( ., ) / ., )где цо - частота генератора до внесения ы стеклопластика; Изобретение относитсяможет быть использованостемы автоматического реношения наполнитель - связующ ь 1 - частота генератора при и ориснтации нитей ленты с ка относительно вектора кого поля;а 2 - частота генератора при лярной ориентации нитей лопластика относительно тричсского поля,На чертеже представлена блок-схема, поясняющая сущность предлагаемого способа.На схеме приняты следующие обозначения: генератор 1 с управляемой частотой; дстектор 2; короткозамкнутый волновод 3 со щелью; блок 4, управляющий частотой генератора 1; частотомер 5.При измерении подбирают частоту генератора такой, чтобы в месте подключения детектора 2 к волноводу 3 находился узел напряжения стоячей волны. После этого в щель волновода вводят исследуемую стекл оленту, нити которой располагаются параллельно вектору электрического поля в волноводе. Наличие в поле волновода диэлектрика вызывает смещение узлов и пучностей стоячей волны. Вследствие этого блок 4 (на вход которого поступает выходное напряжение детектора 2) вырабатывает сигнал, изменяющий частоту генератора 1 до тех пор, пока сместившийся узел напряжения не вернется к точке391498 ка, основанный на измерении распределения поля в линни передачи с образцом диэлектрика, отличающийся тем, что, с псль 1 о ускорения процесса измерений, к измерительной 5 линии подключают короткозамкнутый отрезокволновода и фиксируют частоты, при которых один из узлов поля в измерительной линии совпадает по своему положению при отсутствии стеклопластика в упомянутом отрезке и 10 при введенной в отрезок ленте стеклопластика, нити которой ориентированы по отношению к вектору электрического поля параллельно в одном случае и перпендикулярно в другом.15 2. Способ по п. 1, Отличающийся тем, чтовычисляют объемное соотношение компоненты стеклопластика, например, как соотношение: ыащ 1 Тст(аст 1) + 1 см(асм 1))- 1 тст/сст + тем/асм 20 Предмет изобретения 1, Способ измерения объемного соотноше- ЗОния компонентов двухслонного стеклопластиСоставитель Л, Слашининаактор А, Батыгин Техред А. Камы пникова Корректор Н Тираж 755 омптета Совета Министров СССР ретений и открытий аушская наб., д. 4/5Изд. М 840 дарственного по делам изо осква, Ж,каз 3252/11Ц 11 ИИПИ Го одписное ипография, пр. Сапунова,подключения детектора 2 к волноводу 3, Затем исследуемый материал вводят в щель волновода, чтобы нити стеклоленты располагались перпендикулярно вектору электрического поля.При последней ориентации стеклолснты относительно вектора электрического поля происходит еще одно изменение частоты питающего генератора 1. По частотомеру 5 измеряют все три значения частот (кв, соь ав) генератора, при которых в точке подключения детектора 2 к волноводу 3 устанавливается узел напряжения.Объемное отношение компонентов исследуемого материала определяют по формуле: ГДЕ Вс т П Есм ДИЭЛСКТРИтССКИС ПРОНИЦЗСМО сти стекла н смолы;где со, - частота генератора до внесения ленты стеклопластика;он - частота генератора при параллельнойориентации нитей ленты стеклопластика относительно вектора электрического поля;оз 2 - частота генератора при перпендикулярной ориентации нитей ленты стеклопластика относительно вектора электрического поля.

Смотреть

Заявка

1476704

А. С. Бернштейн, Н. Н. Каримов, К. Шаков Московский станкоинструментальный институт

Авторы изобретени

МПК / Метки

МПК: G01R 27/32

Метки: двухслойного, компонентов, объемного, соотношения, стеклопластика

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-391498-sposob-izmereniya-obemnogo-sootnosheniya-komponentov-dvukhslojjnogo-stekloplastika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения объемного соотношения компонентов двухслойного стеклопластика</a>

Похожие патенты