Всесоюзнля i natektko-tcxhjilecfffti

Номер патента: 1770778

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Сидорюк, Скворцов, Шестаков

МПК: G01J 5/00

Метки: неоднородности, оптического, поглощения, пространственного, распределения

...типные лазеры, объективы, приемники теплового излучения и системы обработки электрических сигналов, то можно. исходить из равенства минимальных значений Опв и Опв регистрируемых переменных состав ляющих теплового излучения в обоих рассматриваемых случаях, т.е,Ови = Огпп30 В прототипеОаи = К Рйви (2)где К - коэффициент, определяемый тепло 35 физическими характеристиками образца,его начальной температурой и регистрирующей аппаратурой;Р - плотность мощности лазерного излучения;40 аь - минимальный измеряемый коэффициент локального поглощения,В заявляемом способеО,= К Р (и - а) вь, (3)45где а 1 и а 2 - предельные значения коэффициентов локального поглощения на участке сканирования;(а) - а 2)аь - минимальное регистрируемое значение...

Номер патента: 201726

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Свет

МПК: G01J 5/60, G01K 15/00

Метки: коэффициентов, неизменности, оптических, приборов, проверки, спектральной, чувствительности

...отношения с числом компонент, большим двух ивозведением в необходимую степеньзчачений одной или нескольких из этих компо 35 нвнт.Для технической реализации способа получения отношений вида Е 1,2 и Я не зависящих от температуры, можно использоватьразличные аналоговые и дискретные вычисли 40 тельные устройства. Для ряда задач рациональным является получение логарифмов отношений вида Р и Е.В качестве логарифмирующих устройств могут быть использованы, в частности, логариф 45 мические логометры, имеющиеся в схемах цветовых пирометров спектрального отношения,и др,В исследовательской практике описываемыйспособ можно реализовать, применяя для по.50 лучения отношений вида Е и Р, вместо спе.циальных устройств, предварительную градуи.ровку в...

Номер патента: 312227

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Калашников, Франтов

МПК: G01V 3/165

Метки: излучатель, поля, приемник, электромагнитного

...осуществляют одновременное излучение (прием) электрических и магнитных составляющих электромагнитного поля с жестким совмещением их начальных пространственных координат.Известны излучатели и приемники электрического и магнитного полей, выполненные конструктивно самостоятельно. Недостатком этих устройств является невозможность излучения (приема) одновременно электрических и магнитных составляющих при жестком и точном совмещении начала координат в пространствеВ предложенном излучателе этот недостаток устранен благодаря тому, что катушка индуктивности выполнена в виде двух секций. намотанной по периметру и намотанной соленоидально вокруг нее.На чертеже представлена схема предложенного излучателя (приемника),Секция 1 с витками то 1...

Номер патента: 1459426

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Аламян, Аракелян, Барсегян, Паносян

МПК: G01N 21/59

Метки: диэлектриков, коэффициента, оптического, поглощения, полупроводников

...Кмн251-К е 1 К(К КК+1)М." - Хи -ф 26 Кми К П р и и е.р, Определялся коэффициент оптического поглощения сС монокристаллического образца рутила35(все нижеприведенные результаты былиполучены при комнатной температуре).Сначала был измерен коэффициент однократного отражения К в областипрозрачности рутила, (фиг. 1, крнвая 1) для чего, в первую очередь,была проведена грубая шлифовка тыльной поверхности образца. Отметим,чтополученное значение К удовлетворительно совпадает со значением Кассчитанным по формуле К "(и) /(и+1) , согласно известному значениюпоказателя преломления и прнведенНого в справочниках. Для рутйла и"2,9467, соответственно значение дляК получается 0,24.После этого, тыльная поверхностьрутилового образца отполировалась...

Номер патента: 2001390

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Карпович, Планкина

МПК: G01N 21/84, H01L 21/66

Метки: коэффициента, образцов, оптического, поглощения, полупроводниковых, фотоэлектрический

...оптического поглощения полупроводниковых материалов, заключающемся в освещении плоскопараллельнсго образца мснокроматическим светок, измерении спектральной зависимости относительной фсточувствительности образца и опред;-;ленни коэффициента по лсщения а и;, срд(ровэнной на единицу в максимуме спекральной зависимссти относиельнсй фсточувствительнссти 5 ф ( 1. ), в котором, согласно иэобретекно- вс-первых, производят изменение фотоответа г режиме поперечной фстопроводимсг,и (электроды нанесены на обе боковые грани образца),- вс-вторых, фотоответ .мелю о г всего обьема образца (элеггсды нассят нэ всю площадь боковыхэей образца),- в третьих, обра.г ц дополнительно освещают излученилиной вол ы Л. о, где л.; - дл а волны, сос 1...