Способ управления параметрами устройств, использующих эффект ядерного эха

Номер патента: 378939

Авторы: Паугурт, Пашин, Петров

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 27.Х 11,1971 ( 1731564/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 18.1 Ч.1973. Бюллетень19Дата опубликования описания 23 Х 11,1973 л. б 111 т 9.00 Комитет по деп изобретений и открытий при Совете Министров СССР. П. Петров, В. ф, Пашин и Паугур ститут полупроводников АН СС явитель ПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ УСТРОЙСТ ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ЭффЕКТ ЯДЕРНОГО ЭХАИзобретение представляет собой способ оперативного управления процессами стирания информации и восстановления готовности устройств, основанных на явлении ядерного эха и предназначенных для запоминания и обработки электрических сигналов.Известные способы управления устройствами, использующими эффект ядерного спинового эха (линии задержки, фильтры, блоки сжатия частотно-модулированных сигналов), обладают относительно низким быстродействием, так как после обработки и запоминания одной информации требуется продолжительное время для восстановления готовности устройства к вводу следующей информации. Восстановление готовности и стирание информации обусловлены процессами ядерной продольной и поперечной релаксации Т и Т,. Известный способ управления быстродействием устройств путем приложения к рабочему веществу импульсного магнитного поля предполагает изменение времени релаксации в 3 раза.Цель изобретения - ускорение процессов стирания информации и повышение быстродействия устройств, в которых в качестве рабочего материала применяются магнитоупорядочные вещества.Для этого предлагается способ использования явления электронного (ферромагнитного или антиферромагнитного) резонанса путеМ облучения рабочего вещества радио- или СВЧ-импульсами (импульсы накачки). При этом используется новое явление, заключаю щееся в том, что если в образце, например виттриевом феррите-гранате, возбудить с помощью нелинейного электронного резонанса параметрические спиновые волны в диапазоне 3 см, то происходит изменение времени ядер ной релаксации. Например, при превышениимощности накачки над порогом нестабильности спиновых волн на 10 - 15 дб происходит ускорение Т 2 для ядер Ре 5 т в 1000 и более раз.Это явление можно использовать для опера тивного стирания информации.В тот момент, когда необходимо изменитьскорость релаксации, на рабочее вещество подается импульс накачки. Его величина должна быть достаточна для возбуждения в 20 рабочем материале нелинейного электронногорезонанса. При этом возбуждаются параметрические спиновые волны, которые обеспечивают ускорение ядерной релаксации. Поскольку влияние нелинейного электронного 25 резонанса ца скорость ядерной релаксацииочень велико, то длительность импульса накачки может быть небольшой (порядка 1 - 5 мксек), что позволяет достичь высокого быстродействия и эффективного стирания иц 30 формации.378930 Предмет из обр етен и я Составитель С. Каленков Техред Т. Миронова Редактор А. Батыгнн Корректоры: Е. Давыдкина и А, НиколаеваЗаказ 1980/10 Изд,497 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Если требуется стереть полностью информацию, то импульс накачки подается после появления сигнала эха, Однако, если требуется частичное стирание информации или частичная запись, то импульс накачки подают в более ранний момент времени, Е 1 апример, если требуется записать не всю информацию, а только часть ее, импульс накачки следует подавать одновременно с информационными сигналами. Та информация, которая подана после включения импульса накачки, будет записана, а та, которая подана до импульса, - записана не будет. Способ управления параметрами устройств, использующих эффект ядерного эхав магнитоупорядоченных веществах, отличаюиийся тем, что, с целью повышения быстродействия и ускорения стирания информации,в том числе и выборочного стирания, магнитоупорядоченное вещество подвергают облу 10 чению радио- или СВЧ-импульсами, возбуждающими в нем нелинейный электронныйрезонанс,

Смотреть

Заявка

1731564

Институт полупроводников СССР

М. Петров, В. Ф. Пашин, А. П. Паугурт

МПК / Метки

МПК: G11C 15/04

Метки: использующих, параметрами, устройств, эффект, эха, ядерного

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-378939-sposob-upravleniya-parametrami-ustrojjstv-ispolzuyushhikh-ehffekt-yadernogo-ehkha.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ управления параметрами устройств, использующих эффект ядерного эха</a>

Похожие патенты