Устройство для определения рассеивающей способности электролитов

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 17,Ч.1971 ( 1662171/18-10)с присоединением заявкиПриоритет М. Кл. 6 01 п 13/О Комитет по делам зобротений и открытийДата опубликования онисания З.Ч 111.19 вторызобретения А. В, Касьянов, Ю. М. Лошкарев и Д, К, ВорвулевМорской гидрофизический институт АН Украинской ССР,-1 Заявитель УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РАССЕИВАЮЩ СПОСОБНОСТИ ЭЛЕКТРОЛИТОВУстройстно предназначено для измеренияраспределения электрического тока в электролитических растворах гальванических ванн,может быть использовано в гальванотехникена промышленных предприятиях и в исследовательских лабораториях.Известны устройства для определения рассеивающей способности электролитов, содержащие погружной датчик, включенный в электрическую измерительную схему. Распределение тока между электродами измеряется амперметрами, и по измеренным величинам токаи по толщине гальванического покрытия рассчитывается рассеивающая способность электролита. 15Известные устройства громоздки и неудобны для использования в гальванических производствах,Предлагаемое устройство позволяет производить измерения быстро, непосредственно в 20рабочих ваннах, получать объемные (а не водной плоскости), более полные воспроизводимые результаты, вести контроль и определятьоптимальные режимы работы ванн в производственных условиях, Оно отличается тем, 25что погружной датчик выполнен в виде шара,разделенного эбонитовым основанием на пятьэлектропроводящих сегментов, служащих катодными электродами, над которыми расположен общий анод. 30 На фиг. 1 изображен погружной датчик; на фиг. 2 - принципиальная схема приставки в сочетании с датчиком.Датчик выполнен в виде шара с пятью шаровыми,сегментами К - К, из нержавеющей стали с полированной поверхностью и одинаковой площади. Сегменты, являющиеся катодами, закреплены на эбонитовом основании 1. К каждому сегменту припаян изолированный провод 2. Провода 3 от сегментов выведены через отверстия в основании, эбонитовую трубку 4 и полихлорвиниловую трубку-шланг б к разъему (на фиг. 1 не показан). Через боковое отверстие в эбонитовой трубке выведен кронштейн б из толстого медного провода. На выходе из эбонитовой трубки к проводу-кронштейну припаян изолированный провод, выведенный через шланг к разъему. Кронштейн покрыт кислотостойким лаком. На торце его крепится с помощью штыря-разъема 7 съемный электрод-анод 8. Полость эбонитового основания 1 и трубки 4 с проводами от шаровых сегментов-катодов залита полиэтиленовой смолой, чем достигнута герметичность датчика, Под выступом 9 эбонитовой трубки расположен пенопластовый поплавок 10, сообщающий датчику положительную плаьучесть при погружении его в электролит.Измерительная приставка (фиг, 2) представляет собой коммутирующую схему на372481 ираж 755 аказ 2077/14 Изд,52 Подписное Ц 11 ИИПИ Комитета изобретений и открытий Министров ССС 4 осква, Ж, Раушскаяпо делампри Совете Р наб., д. 4/ Фиг. 2 юграфия, пр. Сапунова 3микропереключателях МП, - МП, и измерительную схему из двух миллиамперметров А А, с шунтами Ш, Ш, для измерения пределов измерения с помощью переключателя П. В цепь электрода К - Кз включены резисторы Я - Рз, сопротивления которых равны внутреннему сопротивлению миллиамперметра Аа, для компенсации режима по току при измерении тока через каждый электрод. Схема питается от двух сухих батарей Б, ток регули руется потенциалом Я. Датчик подсоединен к измерительной приставке через контакты 11 1 б разъема.При погружении датчика в электролит (свободно зависает на поплавке) замыкается цепь между анодом 8 и шаровыми сегментами-катодами К - Кз, Через нормально замкнутые контакты микропереключателей МП - МПз и резисторы Я, - Рз электроды-сегменты К, - Кз, подключенные параллельно к общей точке схемы О, образуют, таким образом, по току цельное шарообразное тело, через поверхность которого в электролите от анода 8 замыкается электрический ток. Общий ток регистрируется миллиамперметром А. Последовательно переключая контакты микропереключателей МП, - МП 2 и т. д., каждый из электродов-сегментов Кт - К и т. д. подключается к общей точке 4схемы О через второй миллиамперметр А 2, включенный последовательно с первым А,.Таким образом измеряется ток через поверхность каждого из электродов К - К 5, являю шихся частью шарообразного тела. Разница ввеличинах токов, проходящих через каждый электрод, зависит от рассеивающей способности электролита - в электролитах с хорошей рассеивающей способностью эта разница мень ше. Так как рассеивающая способность зависит, в частности, от плотности тока, то, определив расхождение в величинах плотности тока, изменяя его величину в определенном диапазоне, можно определить оптимальный токо вый режим работы электролита. Предмет изобретения Устройство для определения рассеивающей 20 способности электролитов, содержащее погружной датчик, включенный в электрическую измерительную схему, отличающееся тем, что, с целью оптимизации воспроизводимости результатов, погружной датчик выполнен в виде 25 шара, разделенного эбонитовым основаниемна пять электропроводящих сегментов, служащих катодными электродами, над которыми установлен общий анод. Составитель Г. Невская Редактор С. ЧижоваТехрсд Т. Ускова Корректор О. Усова