Есблу г f -“у “-л •ibj”t ii-»-

Номер патента: 217049

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Батшевер, Дрокин

МПК: G11C 11/06

Метки: магнитной, развязки, элемент

...прямоугольности петли гистерезиса на участке модуляции магнитного сопротивления.Между отверстиями 8 расположено отверстие 11 с проходящей через него обмоткой И", с помощью которой осуществляется индикация состояния ЭМР (логические 1 и О) в режиме статического считывания информации.Выполнение отверстия 11 в форме эллипса позволяет получить максимальную амплитуду полезных выходных сигналов, а его расположение обеспечивает уменьшение амплитуды сигналов помех, возникающих при переключениях рабочего потока на этапах записи и стирания информации.Последовательность работы ЭМР может быть самой различной. С помощью этого элемента могут решаться различные переключательные функции. Его можно использовать также в цепочечных схемах (регистры...

Номер патента: 830593

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Кашин, Курников, Тарасов

МПК: H01F 13/00

Метки: импульсныммагнитным, магнитных, намагничивания, полем, размагни-чивания, систем, элементов

...стабильный по.напряжению сигнал постоянного тока, который поступает на управляющий вход системы 3 импульсно"Фазового управления, Сигнал постоянного тока воздействует на фазосдвигающее устройство, входящее в схему системы 3 импульсно-фазо 20 вого управления, и определяет фазовый сдвиг импульсов на выходе системы 3 в пределах от Т/4 +ти и до Т/2. Каждому значению Фазы импульсного сигнала и, следовательно, моменту включения вентиля 4 или 5 в течение полупериода (Т/2) источника 6 соответствует определенная амплитуда напряжения и величина потенциала, до которого заряжается емкостной накопитель 16 в течение нескольких зарядных циклов. Заряд емкостного накопителя за несколько циклов позволяет снизить потребляемую из сети мощность....

Номер патента: 1728810

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Голенко, Оганесян, Семочкин, Хянникяйнен

МПК: G01R 33/12

Метки: коэрцитивной, магнитной, реле, силы, цепи, электромагнитных, элементов

...блока 5 соответствуетподынтегральной функции в выражении (7),а сигнал на выходе интегратора 11 - текущему значению магнитной индукции В.Описанные процессы имеют место в ра 35 бочем режиме, когда переключатель 18 находится в состоянии замыканияпереключающих контактов на соответствующие нормально замкнутые контакты 23,24: прежде чем перевести устройство в ра 40 бочий режим, подключают диагностируемоереле 3 с обмоткой 2 и переводят переключатель 18 в режим калибровки, замыкая егопереключающие контакты 25, 26 на нормально разомкнутые контакты 21, 22. При45 этом образуется мостовая схема, в плечикоторой включены соответственно прецизионные резисторы 14 и 15, прецизионныйреостат 16 и обмотка 2 реле 3, а в диагонали- соответственно источник 13...

Номер патента: 1763402

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Максимов, Соловьева

МПК: C03C 8/24

Метки: головок, легкоплавкое, магнитных, спаивания, стекло, элементов

...температур 20 - 300 С; температура растекания Триест при которой краевой угол смачивания ферритовой подложки становится менее 15 О; микротвердость по Виккерсу Нч, измеренная при нагрузке на индентор, равной 100 г; химическая устойчивость - потери массы образцов РЬ и ри кипячении в дистиллированной воде в течение 8 часов; глубина затекания Ь в зазор между ферритовыми магнитопроводами шириной 1,0 - 1,5 мкм при температуре растекания,Стекла синтезируются в платиновом тигле при температуре.1250 - 1300 С, Рас текаются при столь же низкой температуре, что и стекло-прототип, Хорошо согласуются по термическому расширению со всем марганец-цинковыми ферритовыми и не магнитными керамическими материалам. магнитных головок. Характеризуются удов...

Номер патента: 1823863

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Максимов, Соловьева

МПК: C03C 8/24

Метки: головок, легкоплавкое, магнитных, преимущественно, соединения, стекло, элементов

...микротвердости при высокой кристаллиэационной устойчивости. отсутствии склонности образовывать пузырьки и растравливать поверхность ферритовых магнитопроводов.Сущность изобретения характеризуется тем, что легкоплавкое стекло, преимуще 80,1 - 84,00,6-1,212,5-14,00,3-0,50,01-0,20.5-2,00,02 - 2,50,1 - 4,820,002-П 2ышению адгеся воэможносры ширинойформирояани1823863 25 Таблица 1 Таблица 2 для сохранения свойств феррита и снижения энергозатрат.Кристаллизационная устойчивость стекла достаточна для проведения всех необходимых технологических операций,Стекло не склонно образовывать пузырьки и растравливать поверхность ферритовых магнитопроводов.Конкретные примеры составов предлагаемого стекла, подтверждающие воэможность осуществления...