Способ изготовления герметизированной микрополости

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 345639 Йоюз СоветскихСоцналистнческнх-, Ресстблнк АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ етел ваависимое от авт. св М. Кл. Н 051 с 604684/26 07.Х 11,1970 явл с присоединением зая рите Комитет по деламзобретений н открытпри Совета МинистрСССР. Бюллетень М 22 га опубликования описания 8 Х 111.1972 Авторизобретения В. В. Чесноков явител СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕРМЕТИЗМИ КРОПОЛОСТИ АННОЙ лектронной тех я тонкопленоч Изобретение относи нике, к способам изг ных элементов,При создании микр ной области которых десятки кубических ми бы изготовления стек или металлической коИзвестен способ соз рополости путем наст вакууме герметизирую с микронными отверсти ся к товле азмеры активют единицы и вестные спосокерамической рименимы.акуумной микнапыления в нки на пленку оламп, составл крон, и лянной,лбы недания вильногощей плями,Недостатки способа следующие; размеры полости не могут быть большими; полость в плоскости подложки может иметь только круглую форму; отношение диаметра полости к ее глубине не должно превышать 0,5 - 1,0 вследствие подпыления материала в отверстие, возможно загрязнение электродов микролампы.Целью изобретения является устранение перечисленных недостатков и повышение надежности герметизации, а также обеспечение получения на подложке микрополостей в несколько слоев. Цель достигается благодаря тому, что подложку с нанесенными слоями нагревают в неактивной среде до температуры диффузии буферного материала в подложку и герметизирующие слои.Способ поясняется фиг. 1, 2. На подложку 1 (фиг, 1) одним из известных способов, например напылением в вакууме через трафарет, наносят буферный материал 2 в количестве и конфигурации, соответ ствующих объему и конфигурации микрополости. Затем на всю подложку с участками буферного материала наносят сплошной герметизирующий слой 3, Коэффициент диффузии буферного материала в материал герме тизирующего слоя должен быть больше коэффициента обратной диффузии.Полученную систему нагревают до температуры, при которой заметна диффузия буферного материала 2 в толщу герметизирую щего слоя 3. В результате диффузии буферного материала на местах его нанесения образуются полости 4 (фиг. 2). Материал вокруг полости 4 - слой 5 оказывается обогащенным буферным материалом 2. Так как 20 количество и состав газов, заполнивших полость 4, зависит от количества и состава газов, растворенных в буферном и герметизирующем материалах, для получения высокого вакуума в объеме микрополости нанесение 2 З материалов на подложку должно производиться в сверхвысоком вакууме без выноса на воздух. Электроды микроламп наносят на поверхность подложки в те места, на которые будет нанесен буферный материал, в качест- ЗО ве которого можно выбрать легкоплавкийокисел или металл.345639 Предмет изобретения Уиг 2 Составптель И. Мышустин Техред Т. Ускова Корректор О. Тюрина Редактор Т. Орловская Заказ 3309/14 Изд.1018 Тираж 406 Подписное.ЦНИИПИ Книнтета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Упрощение технологии о:обенно .заметно приизготовлении предлагаемым способам многоэтажных, многослойных систем, Качество герметизации не зависит от плоскостности и гладкости поверхности подложки или нижнего слоя. Форма получаемых поверхностей может быть цилиндрической, сферической и т. п. Способ изготовления герметизированноймикрополости, включающий нанесение на об 4.ласть .формирования .микрополости буферното материала в количестве и конфигурации, соответствующих объему и конфигурации будущей микрополости, и слоя герметизирую щего материала на всю поверхность подложки, отличаюи 4 ийся тем, что, с целью повыщения надежности .герметизации и обеспечения возможности получения на подложке .микрополостей в несколько слоев, подложку с 10 нанесенными слоями нагревают в неактивной среде до температуры диффузии буферного материала в подложку и герметизирующие слои.