Способ измерения напряженности магнитного поля
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОЬЕЕТ ЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ335652 Союэ Соаетских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства0 ( 1467497/26-25 Заявлено 17,Н 11. с присоединением Кл. 6 01 ъ 3/14 явкириорите Номитет по делам изобретений и открытийковано 11,Ъ,1972. Бюллетень1публикования описания 17,Ч.1972 Опуб Дата К 550,838(0 ри Сонете Министра СССРАвторыизобретения Н. Лебедев, В, М. ий институт земно радиоволн Сригорьев, Н, В. Клочек и Н. И. Кобано аявитель Сиби магнетизма, ионосферы и распространенирского отделения АН СССР ОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ Изобретение относится к способам измерения напряженности магнитного поля астрофизических объектов, а также квазистационарной лабораторной плазмы по зеемацовскому расщеплению спектральных линий.Известен способ измерения напряженности магнитного поля по зеемацовскому расщеплению спектральной линии, основанный ца пространственном разнесении противоположно поляризованных компонент расщепления.Недостатком этого способа являются низкая чувствительность и систематические ошибки, обусловленные инструментальной поляризацией. Предложенный способ отличается от известного тем, что лево- и правополяризовапные по кругу, компоненты зеемацовского расщепления превращают в линейно поляризованные, производят прострацствецнуто модуляцию взаимного расположения компонент в направлении дисперсии и измеряют колебания светового потока, пропорциональные напряженности магнитного поля.Предложенный способ позволяет увеличить чувствительность измерения напряженности магнитного поля не менее чем в 10 раз,Схема, реализующая предлагаемый способ, представлена ца фиг. 1, 2,С помощью электрооптнческого кристалла 1 право- и левополяризоваццые по кругу компоненты зеемацовского расщепления спектральной линии превращают в линейно поляризованные, модулируют взаимное расположениеплоскостей этих компонент, а с помощью пла 5 стицки исландского шпата 2, расположеннойза кристаллом, разносят компоненты зеемановского расщепления на величину полушцрцныспектральной линии. Щель т фотометра 4 располагают между разнесенньвш компонентами10 расщепления,Пусть напряжение, приложенное к кристаллу 1, таково, что он приобретает свойство+7,/4-пластинки (фиг, 1), тогда в спектре получают изображения о -компоненты слева и15 о+-компоненты справа, которые разнесены нарасстояние Л 7,о - 2 ЛХн, где Л 7 о - величинапространственного разнесения пластинкой 2,Л 7,н - величина магнитного расщепления.Если напряжение, приложенное к кристаллу20 1, таково, что он приобретает свойсгво 7./4-пластинки, положение плоскостей поляризации,прошедших через кристалл 1 ст-компонент, меняется на обратное (фпг, 2) и в спектре получают изображения этих компонент, разнесен 25 ных на расстояние ЛХ,+2 Л 7т 1 ерез щель 3 фотометра 4 всегда проходит световой поток отобеих компонент расщепления, причем расстояние между ними меняется с амплитудой4 Л 7,и ц с частотой изменения приложенного к30 электрооптическому кристаллу 1 напряжения,. Ьайдакова 1(амышкик ставитель Техред Редактор Т, Орловска Е. со орре 1 пикав 16 о 17 1," Лц 515 Тнракк 448 Подписное1- 1 Г 1 Комите 1 а ио делим ивобрстеиий и открытий ири Совете Минитров СССРМосква, Ж.З 5, 1 аушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова,а на выкодс фотометра 4 получаот электрический сипал, пропорциональный напряженности магнитного поля,Предмет изобретенияСпособ измерения напряжснпостн магнитного поля по зсемановскому расщеплению спектральной линии, отгичающсшся тем, что, с целью повышения точности, лево- и правополяризованные по кругу компоненты расцепления превращают в линейно поляризованные, производят пространственнуо модуляцию взаим.5 ного расположения компонент в направленииднсперцни и измеряют колебания светового потока, пропорциональные напряженности магнитного поля,
СмотретьЗаявка
1467497
Сибирский институт земного магнетизма, ионосферы, распространени, радиоволн Сибирского отделени СССР
Н. Н. Лебедев, В. М. Григорьев, Н. В. Клочек, Н. И. Кобанов
МПК / Метки
МПК: G01V 3/14
Метки: магнитного, напряженности, поля
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-335652-sposob-izmereniya-napryazhennosti-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения напряженности магнитного поля</a>
Способ измерения напряженности магнитного поля
Номер патента: 457053
Опубликовано: 15.01.1975
Автор: Кобанов
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитного, напряженности, поля
...разиости определяют полярность поля. На чертеже показана схема, поясняющаяпредлагаемый способ.На схеме обозначено: 1 - электрооптический модулятор, 2 - входная щель фотометра,5 3 - фотоприемник, 4 - синхронный накопитель, 5 - генератор управляющего напряжения, 6 - измеритель скважности,Фотоприемник 3 соединен с синхронным накопителем 4, сигнал с которого поступает на10 генератор управляющего напряжения 5, выходкоторого соединен с электрооптическим модулятором 1, синхронным накопителем 4 и измерителем скважности 6. В случае наличиямагнитного поля к связанного с ним Зеема 15 новского расщепления спектральной линии нафото приемник 3 падает переменное излучение, промодулированное электрооптическиммодулятором 1. При этом на емкости...
Способ определения напряженности магнитного поля
Номер патента: 1705787
Опубликовано: 15.01.1992
МПК: G01R 33/032
Метки: магнитного, напряженности, поля
...фазы. Предварительное облучение слоя 6 начинается с момента открывания оптмческо. го затвора 4, происходящего после подачи управляющего импульса с первого выходе генератора 17 импульсов, Одновременно происходит запуск развертки запоминающего осциллографа 18. Предварительное облучение слоя 6 приводит к появлению в его объеме наведенной энизотропии, ось которой совпадает с первой осью легкого намагничивания слоя 6, и перестройке доменной структуры освещаемой области слоя 6. Характер такой перестройки зависит от исходного состояния доменной структуры слоя б. и может быть различным. Тем не менее, к моменту формирования в освещаемом обьеме слоя б однородного распределения наведенной энизотропии.иэменения доменной структуры...
Устройство для измерения напряженности магнитного поля
Номер патента: 554513
Опубликовано: 15.04.1977
Автор: Васильев
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитного, напряженности, поля
...по всей длине провода контура. Для определения магнитного потенциала в определенной точке пространства, окружающего источник магнитного поля, необходимо количество электричества разделить на длину проводника 1,Я С;,яу Ом Ь(3) В потенциальном магнитном поле напряженность магнитного поля Н равна градиенту магнитного потенциалаЙ=- дгас 1 , (4)Если измерять изменение магнитного потенциала в одном направлении, например направлении х, то уравнение (4) можно записать в следующией формеО 1 м (5)дх где х - единичный вектор в направлении измерения.На основании уравнения (5) величина напряженности определяется приблизительно следующим равенствомО-Ь =С ф (6)Ьх 1. Ьх где 9 м = 9 м, 9 м,Лх - расстояние между точками измерения величины магнитного...
Устройство для измерения напряженности импульсного магнитного поля
Номер патента: 995034
Опубликовано: 07.02.1983
Авторы: Баранов, Бречкин, Старцев, Суворов
МПК: G01R 33/02
Метки: импульсного, магнитного, напряженности, поля
...света осуществлена с помощью стекловолоконных оптических линий связи.На чертеже представлена структурная схема устройства.Устройство содержит осветитель 1, в качестве которого используется оптический квантовый генератор, передат. чик, включающий магнитоакустический преобразователь 2 и акустооптическую35 ячейку 3, приемник 4 света, регистрирующий прибор 5 и стекловолоконные оптические линии 6 связи.40Оптический квантовый генератор, фотоприемник и регистратор расположены вне поля действия регистрируемого импульсного магнитного поля и помещены в электромагнитный экран.458 основу устройства положено явление дифракции света на ультразвуке.Для повышения эффективности дифракции света на ультразвуке геометрия акустического взаимодействия...
Способ измерения напряженности магнитного поля
Номер патента: 552578
Опубликовано: 30.03.1977
Авторы: Даукаев, Кувашов, Сапельников
МПК: G01R 33/06
Метки: магнитного, напряженности, поля
...5 и производят градуировку зависимости величины емкости ячейки от напряженности магнитного поля.На фиг. 1 показано устройство, реализующее предлагаемый способ; на фиг, 2 - завп- О симость величины емкости от напряженностимагнитного поля.Электроды 1, соединенные с измерительным прибором 2, помещаются в магнитное поле 3; пространство между электродами за полняется жидким кристаллом 4.В качестве жидкого кристалла используется нематический жидкий кристаллСНзи+( О - СеН 4 - СООНпомещенный в ячейку, образованную двумя О электропроводящими пластинами со сторонами 15 Р,20 мм и расстоянием между ними 100 мкм. Эти пластины служат электродами при измерении емкости жидкого кристалла.Ячейка помещается в магнитное поле, и из меряется величина...
Предыдущий патент: Способ георазведки электрометрическими зондированиями
Следующий патент: 335653
Случайный патент: Зажим для закрепления изделий