Уст ро п ст во

Номер патента: 1004982

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Захаров, Крысин

МПК: G05B 23/02

Метки: входной, выходной, неисправностей, операционного, усилителя, цепях

...усилителя .2.к недостаткам этого устройстваотносится невозможность Фиксациикороткого замыкания входа операционного усилителя, что снижает достоверность результата контроля.Цель изобретения - повышение достоверности результатов контроляпутем обесгечения дополнительной воэможности фиксации коротких замыканий входа операционного усилителя.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство для контролянеисправностей во входной и выходкой цепях операционного усилителя, 6 Осодержащее входной согласующий элемент; последовательно соединенныепассивные элементы, выходной согласующий элемент, вход которого соединен с выходом операционного усилите- у ля, введен нуль-орган, первый входкоторого соединен с выходом входногосогласующего...

Номер патента: 724000

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Асеев, Косой

МПК: H01L 27/02

Метки: мощный, свч, транзистор, широкополосный

...тем,что в широкополосном СВЧ транзисторе эмиттерные области транзисторов, выполненные в виде гребенчатой структуры, охватывающей базовой области, и крайние секции конденсаторов охватывают по периферии со стороны общей базовой металлизации секции согласующих МДП-конденсаторов, соединены металлической дорожкой между собой и индуктивно связаны только с общей базовой металлизацией. На чертеже схематически показанпредлагаемый мощный широкополосныйСВЧ транзистор.Он содержит корпус 1, базовый,эмиттерный и коллекторный выводы 2,1/3 и 4 соответственно, контактнуюплощадку под МДП конденсатор 5,кристалл транзистора 6 и кристалл МДПконденсатора 7. Кристалл транзистора 6 состоит из трех ячеек 8, каждая из которых имеет ряд транзисторных...

Номер патента: 581571

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Белоусов, Тюрин

МПК: H03H 7/20

Метки: вч-усилителя, защиты, мощности, транзисторов

...1 и входом датчикачик 3 рассоглв- Ддя повышения надежности вспомогателный усидитель 9 может быть, в частности,сования через дополнктельно введенные 10первый коммутатор и второ о7 й к ммутатор выполнен нв полевых транзисторах, которыек замыкающим контактам которых подкдвдкдю иэ-за отсутствия явления вторичного пробои,8, к эвмыквюшинного биполярным транзисторам, нечены соответственно вход и выход вспомога- . свойственного иподввдяющему вь восприимчивы и рассогдасоввнию нагрузки.тельного усилителя 9 а к управляющему щ 4Таким об азом, в предлагаемом устройсяхоа бп ока 4 усипения и формирования сигнв аким разом, в преходу пока уве не возникает ограничений на степень раола рассогласования подключены управляющиесогласования нагрузки, что...

Номер патента: 675584

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Ардашев, Меэрин

МПК: H03F 9/00

Метки: выходного, защиты, импульсного, перегрузки, транзистора, усилителя

...резистор 4, а базой - к коллекторной нагрузке 5 выходного транзистора через резистор 6. Резисторы 7, 8 определяют ток базы выходного транзистора, а их соотта ношение определяет величину критическогозначения коллекторного напряжения,При отсутствии входного сигнала транзисторы 2, 3 закрыты, а конденсатор 1 разряжен.При подаче управляющего сигнала транзистор 2 открывается током конденсатора 1, Напряжение на коллекторе транзистора 2 падает, что приводит к открыванию транзистора 3. Открытый транзистор 3 пропускает базовый ток транзистора 2 и обеспеео чивает разряд конденсатора 1. Если приподаче управляющегб сигнала коллекторное напряжение превышает критическое значение, транзистор 3 не открывается и пос, с675584 формула изобретения...

Номер патента: 731554

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Баскин, Калинин

МПК: H03F 1/32

Метки: транзисторе, усилитель

...увеличении скачком мощности, рассеиваемой в транзисторе 1, на выходе дат чика 6 и на выходе вычцтателя 4 появитсяположительный скачок напряжения, который интегрируется инерционной цепью 3, последняя регулируется так, чтобы ее постоянная времени была равной постоянной 20 времени процесса нагревания кристаллаполупроводника в транзисторе 1. Поэтому на выходе инерционной цепи 3 появится напряжение, изменяющееся с той же постоянной времени, что ц температура крцстал ла в транзисторе 1, то есть синхронно сией.Это напряжение подается в течение всего переходного процесса прогрева кристалла как дополнительное смещение на базу транзистора 1. Прп этом регулируется его вели чина и полярность. Таким образом, измене731554 3 Составитель Е,...