Номер патента: 322665

Авторы: Акс, Гаджиев, Кадымов, Касимов

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советски Вщиалистическив Рвадубаи322665 ВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬ Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 02.1,1969 ( 1298527/18-10. Кл. б 0111/18 вкиприсоединени Комитет но делам зобретений и открытий ори Совете Министров СССРриорите публиковано ЗО.Х 1,1971. Бюллетень36ата опубликования описания 17.11.1972 УД К 531.786.91(088.8 Авторыизобретени ев, Ф. Д. Касимов, И. Г. Аксянов и Г. Г. Кадымов н. Д,явител ТЧИК ДАВЛЕ Предмет изобре Датчиктрическийный преотонкопленочающийсяструкциитвор полевпринимаюмента,езоэлек- вторичв виде а, отлия кюнсти, за. а невосго эле. ии пь ент и ненный зистор прющ ониогично ылен н ительно я, содержа щ тельный элем тель, выпол олевого тран , с целью у чения технол нзистора нап рону чувств давлени чувстви бразова чного,п тем, что и обеспе ого тра щук сто Изобретение относится к электрическимметодам измерения давления,Известен датчик давления, в котором ис.пользуются пьезоэлектрические свойства полупроводникового материала Сто, служащего активным материалом тонкопленочного полевого триода с изолированным затвором. Однако такой датчик характеризуется, во-первых,технологической трудностью создания тонкойпленки Сд 5, обладающей пьезоэлектрически Оми свойствами; во-вторых, ограниченным выбором полупроводникового материала, дик.туемым наличием у этого материала пьезоэлектрических свойств; в-третьих, необходи.костью иметь в качестве подложии материал, 15обладающий достаточной упругостью и гиб.костью, чтобы передавать давление.Предлагаемый датчик отличается тем, чтозатвор полевого транзистора непосредственнонапылен на невоспринимающую сторону чув.ствительного элементаЭто позволяет упростить конструкцию иобеспечить технологичность.На чертеже представлена конструктивнаясхема датчика, 25Он представляет собой тонкопленочный полевой транзистор с изолированным затвором н состоит из подложки 1, выполненной из пьезоэлектрического материала, затвора 2, диэлектрика 3, канала 4, истока Б и стока 6.Работа такого транзистора основана на эффекте модулирования тока в канале напряжением, подаваемым на затвор. В предлагаемом датчике ток в канале 4 будет модулироваться зарядом, возникающим на затворе 2 вследствие приложенного к подложке механического воздействия.Таеим образам, стокавый ток транзистора будет изменяться пропорционально приложенной нагрузке, что позволит определять последнюю.Заказ 866 Изд,174-7 Т:исаж 473 Подпионое ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и отирытый при Совете Миаистров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография24 Главполиграфпрома, Москва, Г, ул. Маркса - Энгельса, 14

Смотреть

Заявка

1298527

Д. Гаджиев, Ф. Д. Касимов, И. Г. Акс нов, Г. Г. Кадымов

МПК / Метки

МПК: G01L 1/18

Метки: давления, датчик

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-322665-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик давления</a>

Похожие патенты