317136

Номер патента: 203606

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Кравченко, Рудельсон, Хорьков

МПК: B21B 39/14

Метки: круглого, направления, проката

...по стрелке А на фиг. 1.Холостые направляющие профилированные ролики 1 смонтированы на осях 2, опоры которых входят в пазы качающихся рычагов 3 и поджимаются пружинами 4. Качающиеся рычаги крепятся на валах 5 шпонками,Валы 5 установлены в расточках вращающегося корпуса б, представляющего собой скобу с полой цапфой 7 и приливом 8. Рычаги 9 также закреплены на валах 5 и связаны стяжкой 10, гайка которой опирается своими буртами на площадки прилива 8. Полая цапфа 7 на подшипниках качения смонтирована в опоре 11, которая держится на колоннах 12 винтом 13, застопоренным контргайкой 14.11 еред пропуском партии проката определенного диаметра устанавливается раствор 5 направляющих роликов 1 на размер, несколько меньший диаметра пропускаемого и...

Номер патента: 1489465

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Гриценко, Захарченко, Синицын

МПК: G11C 27/00

Метки: временного, свч-радиоимпульса, хранения, частот

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВРЕМЕННОГО ХРАНЕНИЯ ЧАСТОТ СВЧ-РАДИОИМПУЛЬСА, содержащее лампу бегущей волны, состоящую из электронно-оптического узла, коллектора и замедляющего узла длиной L, первый и второй направленные ответвители, линию задержки и полосовой пропускающий фильтр, причем выход лампы бегущей волны соединен с входом первого направленного ответвителя, первый выход которого является выходом устройства, а второй выход через последовательно соединенные линию задержки и полосовой пропускающий фильтр соединен с первым входом второго направленного ответвителя, выход которого соединен с входом лампы бегущей волны, а второй вход является входом устройства, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения за счет возможности временного...

Номер патента: 628446

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Кириллов, Ребизов

МПК: G01R 23/12

Метки: свч-диапазона, флуктуаций, частоты

...Оиал с выхода фазового детектора 6 поступает на один из входов перемножителя7, на второй вход которого поступает синусоидальный сигнал с перестраиваемогогенератора 8. Через фильтр 9 проходятсоставляющие . шумового сигнала, заключенййе в диапазоне Р + 1 , гдесрР П - частота перестраиваемого генератора 8; 1 с,5 - частота среза фильтра. Составляющие шумового сигнала, прошедшиечерез фильтр 9, поступают на детектор10, в нагрузке которого выделяется постоянное напряжение, пропорциональноемощности шумового напряжения (в качествве детектора 10 может быть примененквадратичный детектор или детектор эффективных значений). Постоянное напряжение с нагрузки детектора 10 поступаетна индикатор 11. В режиме калибровкисинусоидальный сигнал с...

Номер патента: 1141342

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Верный, Волошина, Кацман, Корнейчук, Лезов

МПК: G01R 23/04

Метки: свч-диапазона, частоты

...мощности и входом памяти электронно-счетного частотомера включен измеритель индекса фазовой модуляции, при этом выходы блока управления соединены соответственно с установочным входом фазового модулятора и входом блокировки счетного входа электронно-счетного частотомера,а вход блока удравления подключен к информационному выходу измерителя индекса фазовой модуляции.60На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства дляизмерения частоты СВЧ-диапазона.Предложенное устройство содержитопорный кварцевый генератор 1,смеситель 2, блок 3 управления, перестраиваемый СВЧ-генератор 4, импульсно-фазовый детектор 5, усилитель 6 постоянного тока, полосовой усилитель 7, делитель 8 мощности, электронно-счетный частотомер 9, фазовый...

Номер патента: 1529141

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Бабенко, Чупис

МПК: G01R 23/04

Метки: свч-импульса, частоты

...поле Е является величиной, зависящей только от свойств полупроводникового мате 55 риала и частоты СВЧ-поля. При Е)Еконцентрация ионизированных носителей увеличивается с ростом напряженности поля практически экспоненциально, обуславливая высокое быстродействие устройстваКак видно из приведенных графиков на фиг. 2, наиболее существенным фактором, определяющим распространение ионизирующей волны, является логарифмический закон изменения Е(г), где г - расстояние до поверхности пластины. Графики приведены для арсенида галлия (СаАэ). Следствйем этой закономерности является практическая независимость глубины проникновения ионизирующего поля в полупроводниковую пластину от амплитудного значения СВЧ-поля на ее поверхности, На расстоянии...