Дискретный полупроводниковый отражающий
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 307448
Авторы: Гор, Сестрорецкий
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 307448 бова Советских Социалистических РеспублинЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 06 Л.1970 394573/26 МП присоединением заявки ПриоритетОпубликовано 21.Ч 1.1971. Бюллетень2Дата опубликования описания 26 Х 111.197 Комитет лс делам иаовретений и отирытий при Совете Министров СССР. М. Горячев и Б. В. Сестрорецкий аявитель ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОТРАФАЗО В РАЩАТЕЛ Ь раженной от первогоВ этом случае фазочки других состояниймых линий, Наклонпо мере удаления отрщего диода от первог ующего диода.хар актер исти. ид почти пря увеличивается о коммутируюк компеьсируоммутир астотные имеют в которыхжающег . Так к Ч-диа. дискках и бразковь ащи й конт оложе расстоянии в -4ором угим нанс 1 На фиг. предлагаех фазочастот Отражаю цз ряда У мутирующ стояний фоящии 20ком- У со- ирующим дом на расстоянии ло редмет изобретения лагаетс мент 2, контура За нача я компенсирующивыполненный внастроенного нльный отсчет при еактивныи элее резонансного еднюю частоту. фаза волны, от Изобретение относится к технике СВ Назона и может быть использовано в ретно-коммутационных антенных решет других схемах, где необходимо скачкоо Но менять фазу волны.Известны дискретные полупроводни отражающие фазовращатели, содерж отрезок закороченного волновода, в кот вдоль оси включены стоящие один за др несколько коммутирующих полупровод вых диодов.С целью расширения полосы часто предлагаемом устройстве перед первым дом на расстоянии 1 т расположен резо ный контур,1 изображена электрическая схема ого фазовращателя; на фиг, 2 - ные характеристики.щий фазовращатель, сост - 1, стоящих друг за другом х диодов 1, обеспечивает азы, Перед первым коммут от первого коммутирующего диода, то амплитуда стоячей волны в первом состоянии на контуре максимальная, и он максимально влияет на изменение фазы в диапазоне частот.При отражении волны от среднего коммутирующего диода, когда ЛИР=180, в области компенсирующего элемента находится минимум стоячей волны и не наблюдается увеличения частотной зависимости фазы в этом состоянии. При всех других состояниях фазы на конпенсирующем контуре напряжение поля стоячей волны меньше, чем в первом состоянии, и влияние компенсирующего контура становится неполньп. Дискретный полупроводниковый отражающий фазовращатель, состоящий из отрезка акороченного волновода, в котором вдоль307448 ф 7 2 1 оставитель Н, Степа едактор Т. Мороз Техред Л, Я, Левин рректор 3. И, Тарасов каз 2232/13 Изд.880 Тираж 473 ПодписноеНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушскан наб., д. 4/5 ипографин, пр. Сапунов Оси включены стоящие один за другим несколько коммутирующих полупроводниковых диодов, отличающийся тем, что, с целью расширения полосы частот, перед первыМ диодом на расстоянии /., расположен резонансный контур,
СмотретьЗаявка
1394573
И. М. Гор чев, Б. В. Сестрорецкий
МПК / Метки
МПК: H01P 1/185
Метки: дискретный, отражающий, полупроводниковый
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-307448-diskretnyjj-poluprovodnikovyjj-otrazhayushhijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Дискретный полупроводниковый отражающий</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления безламельного железного электрода щелочного аккумулятора
Следующий патент: Диэлектрическое гибридное соединение кольцевого типа
Случайный патент: Способ работы теплоэлектроцентрали