Частотно-импульсный модулятор

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ ЗО 4684 Йооз Йоввтоких Социалистических Республиквисимое от авт, свидетельства Ло явлено 31.Х 11.1969 ( 1391440/18-24 присоединением заявки ЛЪ.ЧПК Н 031 с 7 Комитет по делаеобретений и открыт рите 25.Ъ.1971. Боллстець Л 1 УДК 681,337.058 (088,8 Опубл иков и Совете Министров ЕЕЕРата опубликования описания 8 ЛП.1971 Авторизобретения Р. Громов аявител ЧАСТОТНО-ИМПУЛ ЬСНЬ 1 Й МОДУЛЯТ импульсной технпфранизкочастоцог применение в ус Изобретение относится кке низкочастотного и ин одиапазонов и может найтиройствах автоматики.В известных частотно-импульсных модуляторах, содержащих транзисторы разного типапроводимости и накопительные конденсаторы,частота следования импульсов существеннозависит от напряжения питания, а возможность расширения частотного диапазона модуляции в область инфрацизких частот ограничена из-за шунтирования накопительных конденсаторов транзисторами.Цель изобретения - упростить устройство,расширить частотный диапазон модуляции 15в область ицфраццзкпх частот и уменьшитвлияние нестабильности цапряжсгшя питанияна частоту следований импульсов,Это достигается применением кремниевогостабилитроца, включенного в цепь положительной обратной связи между регецератцвцосоединенными транзисторами разного типапроводимости, один из которых является токостабилизирующим в цепи заряда накопительной емкости. Причем анод стабилитрона сосдинен с накопительным конденсатором и кол.лектором токостабилизирующего транзистора,а катод - с базой другого транзистора.Схема модулятора изображена на чертеже.Цепь заряда накопительного конденсатора 30(емкости) 1 образует токостабилпзцрующпй транзистор 2 типа гг-р-гг, в эмиттерную цепь которого включены потенциометр 8 и конденсатор 4. Базовый переход транзистора 2 шунтцрован диодом 5, который является нагрузкой для транзистора б типа р-гг-р. Стабцлигрон 7 отделяет накопительную емкость ог транзистора б, а разделительный диод 8 - от динпстора 9, включенного последовательно с ограничительным резистором 10. Анод диода 8 п катод динпстора соединены с выходом рсзпстивного делителя 11 и 12.К клеммам 18 подключен источник модулирующего напряжения, клеммы 14 - цпзкоомцьш выход модулятора для импульсного напряжения, клеммы 15 - высокоомцьш выход для пилообразного напряжения.При подаче па схеху напряжения питания начинается процесс заряда накопительной емкости через транзистор 2. Цель положительной обратной связи между регецератив о сосдинеццымц транзисторами 2 и б разомкнута до тех пор, пока напряжение на емкости це достигнет порогового напряжешя стабилитроца. В этот период времени диод 8 заперт цапряжешем с резпстцвцого делителя, плечи которого выбираются так, чтобы напряжение на выходе делителя было несколько больше порогового напряжения стабплитрона, цо хепше напряжения запуска дцнистора,сказ 1789/5НИИПИ Комнге Изд 4 748 Тирак 473 Поднпснопо делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, 7 К.35, Раугнская наб., д. 415 г)ографм, пр, Сапунова, 2 Когда напряжение на накопительной емкост 11 достигнет опорного напряжения стабилитрона, цепь обратной связи замыкается и м;новенно развивается регснеративньш процесс, открывакщий оба транзистора и диод 8. Пот)м 1 циомстр 3 в цепи эмиттера транзистора 2 в этот момент шунтирован конденсатором 1, Выключается динистор, и на клеммах 11 появляется импульс напрякения, амплитуда которого Олизк 1 к пап 151 кению истОИ 1 ик 1 питаш 1 я. Ограш 1 чительным резистором 10 определяется разрядный ток, а следовательно, и ширина импульса. После того, как ток разряд 1 упадет до величины тока выкл 1 оче 1 и 1 ого дииистора, схема возвращается в исходное состояние.Для надежной и стабильной работы описываемого модулятора достаточно, чтобы технологический допуск напряжения запуска динистОра Оказался В предел 11 х мекду иап 1 яжепием питания и пороговым напряжением стабилитрона, что легко может быть обеспечено при соответствующем выборе типов указанных элементов,Диод 5, включаемый в прямом направлении параллельно базовому переходу транзистора 2, стабилизирует рабочую точку последнего, так как в период заряда накопительной емкости представляет собой элемент параметрического стабилизатора с большои величиной бал ластиого сопротивления.Готенциометр д позволяет плавно регулировать иидепкс модуляции. Предмст изобретения10 11 астотио-импульсный модулятор, выполненный по мостовой схеме, содержащий регеперативно соединенные транзисторы раз:1 ого 1 ипапроводимости, накопительный конденсатори ключевой элемент, например лип;1 стор,15 включенный параллельно конденсатору черезразделительный диод и ограничительный резистор, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона модуляции вобласти инфранизких частот, он содерж и20 кремниевый стабилитрон, включеш 1 ый в цепьположительной обратной связи транзисторов,причем анод стабилитрона соединен с нако 1 штельным конденсатором и коллектором токостабилизирующего транзистора, а параллель 25 но базовому переходу этого транзистора включен диод в прямом направлении,