Датчик давления

ЗОБЗЗ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваМПК Ст 01 9(12 Заявлено 04,Х 11,1969 (лъ 1382534/18 ением заявк с присое Приор ит оиитет и изобретений и откры ДК 531,787,91(088.8) Опубликовано 21.17.1971. Бюллетень1 ри Совете Министров СССР1 Х.1971 исани ата опуоликовани Авторыизобретения И. Кривоносов, Н, А, Маркова, Г. Е. Заик Институт химической физики АН ли явите А ДАВЛЕНИЯ е- с- ие ая 10 е- ато ж 2 подбоовымитензоровать ельные 2 Кроме тра образцзначениямчувствителвысокоточцепи.Цельючувствителрасширенисвойств пр ого, трудиов тензод и начальнь ьностей не ные элект сть получ гчиков с х сопроги 1 в позволяет ические ния и одина ений интез эмери Изобретение относится к контрольно-изрительной техничке.Извес пны датчики,давленстй, содержащкорпус, чувствительный элемент, штох и элтромеханичвский преобразователь с тензозисторами, В:качестве тензорезисторовпользуются проволочные или неорганичеокполупроводниковые тензорезистивные датчиОсновным недостатком проволочных тенрезистивных датчиков является их низктонзочувствителыность. Полупроводниковыеортаничеокие тензорезистивные датчики облдают,по сравнению с проволочными повышной тензочувствительностью, однако они вже время обладают и значительно более всохой термозависимостью, что снижает тность измерений и часто, приводит к невозмоности их использования в контрольно-измертельной техничке. изобретения является увеличение ности и уровня выходного сигнала, электрических и темпер атурных меняемых материалов, 3 Эта цель достигается тем, что тензорезисторы вьсполнены на основе органических полупроводников, а именно комплексных ибн-радикалыных солей тетрацианхинондиметана с различными алкил- и аралкилзамещенньвми бисчетвертичными катионами фенангролиния и дихинолиния, причем эти соли содержат в качесгве нейтральной молекулы молекулу иода,На фиг. 1 показана схема, предлагаемого датчика с органическими тензорезисторами. Датчик состоит из корпуса 1, с которым жестко связан чувсгвительный элемент (1 мембрана) 2, Подвижный центр чувств 1 ительного элемента - шток 3 связан с электромеханичвоким преобразователем 4 в виде тензометричеокой пружины с наклеенными на нее тензорезисторами 5.Образцы тензорезисторов могут быть получены путем прессования органического полупроводникового матернала, Электрические контакты могут быть впрессованы в тензочувствительный элемент или осуществлены с помощью токопроводящего клея.Работа датчика заключается в преобразовании давления Р в электрический,сипнал тензометрического моста.Чувствительность и уровень выходного сигнала датчика определяются в основном чувствительностью тензорезисторов.301583 иг Составитель Г. Н. Невскаясдактор С. И. Хейфиц Техред Л. Л. Евдонов Корректор В. И. Жолуде Заказ 36/7 Изд. 569 Тираж 473 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, 7 К, Раушская наб д. 4/5ографпя р. Сапуноьа, 2 На фиг. 2 приведены экспериментально снятые прафики зависимостей относительного изменения сопротивления М/Ро от относительной деформации в для ряда образцов: 1 - простая ион-,радвкальная соль тетрацианхинондиметана с 1,1-диэтил-б,б-дихинолинием; 11 - комплексная ион-радикальная соль на основе 1,10-диэтил-о-фенантролвния; 111 - комплексная соль на основе 1,1-диэтил-б,б-дихинолиния с нейтральной молекулой тетрацианхинондиаметана.Обработка экспериментальных данных показала, что коэффициент тензочувствителыности исследованных образцов находится в пределах 150 - 300, что превышает этот коэффициент для неорганических полупроводников.В то же время измерительные характеристики от температуры зависят слабее, чем у германиевых и кремниевых тензодатчиков.Достоинством лредложенного датчика является простота получения тензорезисторов с заранее заданнымл значениями,начальных соцротивлений и тензометричвоких и температурных характеристик, повышение питающего напряжения и увеличение предельных измеряемых деформаций при изготовлении тензорезисторов в виде пленок, а также возмож ность изготовления датчиков заданных форм и размеров.5Предмет изобретения1. Датчик давления, содержащий размещен.1 ный в корпусе чувствителыный элемент, под.вииной ценр которого штоком связан с элек.10 тромеханическим преобразователем, выполонен.ным в виде плоской пружины с наклеенными на нее полупроводникиковыми тензорезистораями, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уровня выходного сигнала, 15 тензорезисторы выполнены на основе кокплеисных ион-радикальных солей тетрацианхинондиметана с различными алкил- и аралкилзамещеыными бисчетвертичными катионами дихиполиния и фенантролиния.20 2. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что,с целью расширения электрических и температурных свойств применяемых материалов, комплеконые ион-радикальные соли на основе дихинолиния и фенантролиния содержат в ка честве нейтральной молекулы молекулу йода.