ZIP архив

Текст

299932 Союз Советских Сокиалиотичеоких Республикт авт. свидетельстваЗависимое МПК Н 031 1/О Заявлено 25.Х 11.1969 ( 1389059/2 рисоединением заявкиКомитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССРПриоритет621.375.4 (088.8 26.111.1971. Бюллетень12 уолпкова Дата опубликования описа 4 Л.197 Авторыизобретенияаявитель РАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛ т- иИзвестны транзисторные усичители,Цель изобретения - повышение к.п.д., увеличение выходной мощности и улучшение температурной стабильности.Для этого между полупроводниковым телом 5транзистора и его корпусом встроена полупроводниковая термобатарея, электрически включенная последовательно в цепь эмиттера в таком направлении, что проходящий по ней токвызывает охлаждение полупроводникового тела транзистора,На чертеже изображен предлагаемый усилитель.Корпус транзистора 1 крепится к холодному спаю термобатареи 2, которая горячим 15спаем прикреплена к радиатору 3. Термобатарея чключена последовательно в цепь эмиттеоа транзистора и ее без значительного изменения габаритов транзистора можно разместитьв корпусе транзистора - холодным спаем к 20телу коллектора, горячим - к корпусу транзистора. В этом случае корпус транзисторакрепится к радиатору,Усилитель работает следующим образом.Постоянная составляющая тока эмиттера, 25проходя через термобатарею, создает перепадтемпературы до 30 С между спаями термобатареи, благодаря чему полупроводник транзистора охлаждается и его температура можетбыть ниже температуры окружающей среды. 30 Хорошее отведение тепла от полупроводника транзистора позволяет повысить мощность, рассеиваемую на транзисторе, и, следовательно, повысить отдаваемую мощность. С увеличением температуры среды активное сопротивление термобатареи возрастает, и падение напряжения на ней увеличивается не только изза роста с температурой тока эмиттера, но и из-за увеличения сопротивление термобатареи. Таким образом термобатарея не только охлаждает транзистор, но и стабилизирует его режим работы как нелинейный элемент. Кроме того, на спаях термобатареи появляется термо-э. д. с., которая зависит от перепада температуры между спаями термобатареи и, следовательно, от тока эмиттера.Эта термо-э. д, с. приложена между эми тером и базой так, что дополнительно стаб лизирует режим работы транзистора. Суммарное стабилизирующее воздействие термобатареи оказывается более качественным, чем термостабилизация тремя резисторами и по качеству приближается термостабилизации четырьмя резисторами. Таким образом, охлаждая транзистор и стабилизируя режим его работы за счет нелинейности сопротивления и термо-.э. д. с. термобатарея обеспечивает увеличение отдаваемой мощности и стабильный коэффициент передааказ 1173/12 Изд,524 Тираж 473 ПодписноНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 ипография, пр. Сапунова чи по мощности в широком диапазоне температуры среды. Предмет изобретенияТранзисторный усилитель, отличающийся тем, что, с целью повышения к. п. д., увеличения выходной мощности и улучшения температурной стабильности, между полупроводниковым телом транзистора и его корпусом встроена полупроводниковая термобатарея, электрически включенная последовательно в цепь 5 эмиттера в таком направлении, чтобы проходящий по ней ток вызывал охлаждение полупроводникового тела транзистора,

Смотреть

Заявка

1389059

Г. П. Балан, В. Я. Баржин, Г. В. Кошарновский, А. Ф. Петров, Ю. П. Рондин

МПК / Метки

МПК: H03F 1/02

Метки: потека

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-299937-poteka-1.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Потека 1</a>

Похожие патенты