Управляемая схема задержки

28 О 674 ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваКл. 21 о, 4,05 Заявлено 05.11.1968 ( 1215921 г 18-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 03.1 Х.1970, Бюллетень28Дата опубликования описания 7,Х 11.1970 МПК Н 031 с 17/52УДК 621.374.3 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРАвтор изобретения А, И. Певнев Заявитель УПРАВЛЯЕМАЯ СХЕМА ЗАДЕРЖКИ Предлагаемое изобретение относится к элементам вычислительных устройств, точнее к заторможенным мультивибраторам.Известны мультивибраторы в заторможенном режиме,Эти схемы обеспечивают стабильность генерируемых импульсов по длительности в пределах 2 - 5%, при этом наблюдается довольно значительная длительность фронтов импульсов. Известны также мостовые схемы задержки, содержащие времязадающие цепочки КС и инвертор, которые обеспечивают хорошую стабильность длительности импульсов, но крутизна фронтов выходного импульса остается значительной длительности, а для управления необходим импульс по длительности, больший времени восстановления схемы в исходное,положение.Цель изобретения - расширить диапазон электрического регулирования длительности импульса на выходе, улучшить его стабильность и,крутизну фронтов, а также обеспечить возможность запуска схемы короткими импульсами.Это достигается тем, что в состам мультивибратора на двух транзисторах (в ждущем режиме) входит интегрирующая емкость и последовательно включенный резистор; потенциал с этого резистора ооеспечивает управление по базе, первым транзистором мультивибратора сразу же после прихода запускающего импульса и до окончания заряда интегрирующей емкости; заряд же интегрпруощей емкости осуществляется кодлекторным током 5 третьего транзистора (поставленного в режимгенератора тока по входу) до момента сравнения с коллекгорным потенциалом второго транзистора мультивибратора; момент срав нения потенциалов на интегрирующей емкости 10 и на коллекторе второго транзистора фиксируется диодом сравнения, который также после момента сравнения обеспечивает разряд интегрируюпей емкости через себя и второй транзистор.15 На фиг. 1 изобрансенз схема управленясхемы задержки; на фпг. 2 - эпюры напряжений.В исходном положении транзистор 1 закрыт положительным смещением +-Е 3, а тран знстор 2 открыт. При эгом интегрирующая емкость 3 разряжена через диод 4 и открытый транзистор 2. В момент прихода короткого запускаюшего отрицательного импульса на базу транзистора 1 либо положительного на ба зу транзистора 2 последний запирается, атранзцстор 1 отпирается отрицательным потенциалом, снимаем:м ссзн,тора б, так как в момент заппрания транзистора 2 диод 4 закрывается, и происходит заря емкости 3 не из,"енным коллекторным током транзистора б.280674 Предмет изобретения фрз в Составитель В. Гордоно Техред 3, Н. Тараненко орректор Г, С. Мухин Рсдакто Тимофеева Заказ 3442/3 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, 1(-35, Раугпская паб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Скорость заряда будет неизменной, а это обеспечивает чрямоугольный отрицательный импульс на базе транзистора 1 до момента сравнения (см. эпюру Ь на фиг. 2). В момент же сравнения этот отрицательный прямоугольный импульс скачком изменяет полярность, так как прекращается заряд емкости 3, и,происходит лавинообразный процесс возвращения схемы в исходное положение (положительный скачок на базе транзистора 1 вызывает его запирание, а следовательно, и отпирание транзистора 2, и разряд емкости осуществляется по цепи: резистор 5, интегрирующая емкость 8, диод сравнения 4 и коллекторэмиттер транзистора 2). Скорость заряда емкости 3 устанавливается потенциалом в базе транзистора б и величиной резистора 7. Управляемая схема задержки, содержащаяинтегрирующий конденсатор в составе мультивибратора, выполненного на двух транзисторах, токостабилизирующий транзистор и схему сравнения на диоде, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения включения коротким 10 импульсом и повышения стабильности, однапластина конденсатора подключена через резистор к базе первого транзистора мультивибратора, а другая подключена к коллектору токостабилизирующего транзистора и через диод сравнения - к коллектору второго транзистора мультивибратора,