Матричная модель с переменной структурой

Номер патента: 600434

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Бражников, Матвеев, Соболева

МПК: G01N 29/00

Метки: газообразных, параметров, сред, теплофизических

...и 17 подают возбуждающие электрические ударные воздействия. Первым из этих ударных воздействий на излучатель 1 поступает перепад электронного напряжения отрицательной полярности с ключа 7, управляемого сигналами синхронизатора 8. При отсутствии сигналов конденсатор 3 через зарядный резистор заряжен до напряжения Е источника 5 напряжения. С поступлением на электрод 9 импульсного сигнала синхронизатора 8 ключ 7 открывается и конденсатор 3 разряжается через ключ 7, воздействуя на излучатель 1 перепадом напряжения. Под действием этого перепада в контуре, образо 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 ванном статической емкостью пьезоэлектрического излучателя 1 и индуктнвностью катушки 6, возникают затухающие электрические колебания. Для того...

Номер патента: 1179479

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Вилесов, Гальперин, Чурносов

МПК: H02J 3/46

Метки: генераторами, между, нагрузки, параллельно, переменного, работающими, распределения

...в автономных, в частности в судовых, электроэнергетических системах. 5Цель изобретения - расширение функциональных возможностей устройства для управления генераторами различной мощности.На чертеже представлена структур яая схема устройства,Она включает генераторы 1, датчики 2 мгновенной мощности, квадраторы 3 тока, интеграторы 4, блок 5 сравнения энергией, отдаваемой гене раторами в нагрузку, блок 6 сравнения потерь энергий в обмотках якорей, автоматические регуляторы 1 частоты вращения, автоматические регуляторы 8 напряжения, приводные . 20 двигатели 9, датчики тока возбуждения 10, элемент сравнения 11, пороговый элемент 12.Изменение мощностей параллельно работающих генераторов 1 и токов их 25 нагрузки фиксируется датчиками 2...

Номер патента: 217050

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Борковский, Пухов

МПК: G06G 7/34

Метки: алгебраических, модель, решения, системы, уравнений, электронная

...с резисторами во входной цепи и между сум. мирующей точкой и третьим полюсом.Эти особенности позволили повысить на дежность, уменьшить габариты и обеспечить сходимость процесса уравновешивания модели при любой неособенной матрице А и при одновременном сохранении машинного времени решения задачи, 2На чертеже приведена схема модели.Модель состоит из матрицы 1 омических проводимостей для моделирования А и источников тока 2 для моделирования 1. К вертикальныхр шинам матрицы проводимостей под Ключевая матричная схема 6 служит для циклического переключения трехполюсника 7, который содержит два усилителя 8 с большими отрицательными коэффициентами усиления и четыре равных между собой проводимости 9.При большой частоте переключения...

Номер патента: 819962

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Глазенко, Пискарев, Рудский

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...направлении источником питания дифференциального усилителя 14, что соответствует запертому (активно) состоянию силового транзистора 2. При этом вспомогательный транзистор 3 и разделительный 4 и дополнительный 5 диоды также заперты.При отрицательном управляющем сигнале на инвертируюшем входе дифференциального усилителя 1 базо-эмиттерный переход силового транзистора 2 смещен в прямом направлении, что соответствует его открытому состоянию. Напряжение на базеколлекторном переходе силового транзистора. 2 зависит от соотношения токов базы и коллектора, т. е. от степени насыщения транзистора.С уменьшением тока нагрузки увеличивается степень насыщения силового транзистора 2, что приводит к увеличению напряжения на базо-коллекторном переходе...

Номер патента: 1541767

Опубликовано: 07.02.1990

Автор: Девочкин

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

...коммутируемого сигнала,Транзисторный ключ работает следующим образом,В исходном состоянии на конденсаторе 6 устанавливается напряжение,равное напряжению стабилизации стабилитрона 8, Управляющий ключ 11 разомкнут, На клемме 1 О опорного напряжения величина напряжения равнаили несколько меньше величины напряжения стабилизации стабилитрона 8.При подаче на управляющий вход12 управляющего ключа 11 отпирающегосигнала происходит отпирание транзистора 3, в качестве которого выбирается наиболее быстродействующийтранзистор, В процессе нарастаниятока нагрузки высоковольтный транзистор 1 работает в режиме с общейбазой, что обеспечивает высокую скорость отпирания транзисторного ключа,Режим насыщения и связанная сним дополнительная задержка на...