Устройство для измерения слабых постоянных циркулярных магнитных полей

Номер патента: 538404

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Бакшис, Епишкин, Лукошявичюс, Масиленис, Повилионис, Римайтис, Шполянский

МПК: G11B 5/42

Метки: головки, магнитной, магнитопровода, сборки

...на 40-60%уменьшает затраты, связанные с ручным трудом по сборке магнитопровода, Производи тельность устройства около 3000 штукмагнитопроводов в час. Устройство можетбыть использовано в комплексе обшей автоматической линии по сборке магнитных головок,5 ремещения полусердечников и все они объединены общим боковым пазом,На фиг. 1 показано описываемое устройство; на фиг. 2 - элементы магнитопровода, подвергающиеся сборке.На основании 1 выполнен боковой паз 2, имеющий углубление 3 и окна 4-7, а также паз 8, соединенный с пазом 2 через окно 6, Паз 2 через окна 4, 5 и 7 сообщается с пазами соответственно 9, 10 и 11. Паз 10 пересекает направляющий паз 12, в котором перемещается отрезной нож 13. Продолжением паза 8, но в вертикальном...

Номер патента: 1499291

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Енгалычев, Морщакова

МПК: G01R 33/00

Метки: испытания, кольцевых, магнитных, магнитопроводов, характеристик

...разъема, после" довательно соединяя проводники обмоток. Оставшиеся свободными контакты штепсельного разъема служат для подсоединения,проводников б, по которым подается намагничивающий ток, и проводников 7, которые подсоединяются к 45 измерительному прибору.Длина, проводников в жгуте выбрана.исходя иэ геометрических размеров кольцевого магнитопровода 8. 91 4Схема электрических соединений (фиг.2) показывает последовательное подсоединение проводников 1 к контактам штепсельного разъема и образование непрерывной цепи намагничивающей и измерительной обмоток вокруг магнитопровода 8.Устройство работает следующим образом.Жгут проводников 1 равномерно и плотно навивается вокруг испытуемого кольцевого магнитопровода 8 и штеп" сельные разъемы 2 и...

Номер патента: 1697200

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Оруджев, Франкфурт, Цветиков

МПК: H02K 15/02

Метки: магнитных, магнитопроводов, машин, пластин, статоров, характеристик, электрических

...трехфазной измерительной обмоткой 3, полюсной измерительной обмоткой 4. Измерение тока в намагничивающей обмотке 2 производит. ся тремя амперметрами 5, потери в сталиР АКАЯ . Аш 1,норм О30 РА 1 Р 21 Формула (1) выведена на основе формулы(3) В формуле (3) Е - полное магнитноенапряжение магнитной цепи машины на пару полюсов.Подставляя в формулу (3) вместо полного магнитного напряжения вычисленныедля ярма и зубцов магнитопровода статора:(АРАБ + А%23), получают расчетное значейие тока намагничивания листов статора,выражаемое формулой (1),Формула (2) выведена на основе формулы РА 1 = КРмгла; Р 21 = КягРму " п 1,В формулах (4) и (5):РА 1 - потери в ярме магнитспроводв; Кяа кОэффициент, учитывающий влияние технологических факторов на потери в...

Номер патента: 955373

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Кузурман, Макаров, Недорезова

МПК: H02K 3/48

Метки: клин, крепления, магнитный, магнитопровода, обмотки, пазах, электрической

...наполнителя (например, жел:зного порошка)и связующего в смесителе с Е-образной мешалкой в течение 1,5-2 ч.Затем формуют заготовку при комнатной температуре при кратковременном давлении 250+5 кГс/см.На заготовку (брикет) накладывают 1-3 слоя комбинированной сеткиопределенных размеров и запрессовывают их в брикет таким образом, чтобы верхний слой сетки совпадал с плос-костью брикета. При этом запрессовку производят при комнатной температуре и кратковременном давлении 300350 кГс/см. Размер получаемой заготов 2ки соответствует размеру загрузочной камеры (матрицы) - Формы длягорячего прессования. Перед переработкой полученную заготовку сушат всушильном шкафу. Температура сушки200-30 С, время сушки 60-120 мин.Прессование производят в...

Номер патента: 566262

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Авдеева, Гончаров, Нефедкин

МПК: G11B 5/42

Метки: головок, магнитных, магнитопроводов

...растворе соляной кис промывают проточной при 140-10 С в течен обе стороны подготсв наносят фоторезист и в течение 15-20 мин. Затем лист с Фоторезис ют между двумя стеклянным лонамн и экспонируют. Рисуляют в растворе тринатрийфосфата втечение 20-25 с. После промывки. водой лист сушат на воздухе и подвергают термообработке при 130+10 С втечение 30-40 мин. Эатем проводятдвухстороннее травление мест листа,не закрытых Фоторезистом.В результате травления на рабочемполе листа образуются элементы 2магнитопроводов, скрепленные перемычками 3 с листом и базовыми отверстиями 4 на технологическом поле длясовмещения листов при сборке и склеиванииПосле травления Фоторезист удаляют раствором едкого натра при 20++2 С в течение 2-3 мин. Листы...