Институт ан ссср
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 251011
Авторы: Струтынский, Эненштейн
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 251 ОИ октз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства М 1 а-, 18/08 аявлено 25.Ч.1967 ( 1159701,126-9) тсоединением заявки Ъс МПК Н ритет Комитет по делам обретений и отквьт.,й ри Совете ййинистсав СССРано 26.Ч 111.1969. Ьюллстсиь,ЪЪ 2 публик ата опубликоваштя описаштя 5.П,1970 Авторытзобретения ен атей, Ф. Струтынский Геологический институт АН ССС вител ИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛ оэффициен. табильно в Известные устроиства с применением час. тотно-зависимых обратных связей для получения большого входного сопротивления не обеспечивают желаемого эффекта для сигналов низкой входной частоты,Описываемое устройство отличается от известных тем, что к составному триоду его подключен эмиттер дополнительного триода противоположного типа проводимости, коллектор которого заземлен, а к базе его подключен источник входного сигнала. Это позволяет увеличить входное сопротивление устройства.На чертеже изображена принципиальная схема устройства.Оно представляет собой двухзвенный эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторах 1 и 2 прямой (р - тт - р) проводимости в комбинации с дополнительным транзистором 3 обратной (и - р - и) проводимости.Известно, что входное сопротивление двухзвенного эмиттерного повторителя в первую очередь зависит от коэффициента статического усиления тока транзистора, но реализовать на практике это условие можно лишь для сравнительно небольшой величины требуемого входного сопротивления, так как для питания базы транзистора 1 с большим статическим усилением требуется значительный ток, для обеспечения и стабилизации которого в цепь базы должен быть установлен отно.сительно пизкоомный делитель напряжения, что приводит к шунтированию входного сопротивления.5 Согласно изобретению предлагается питать базу транзистора 1 повторителя через управляемьш делитель - кремниевый транзистор 3. Его база, в свою очередь, для обеспечения работы транзистора потребляет мил- О лихтикроахтпернытт ток через внутреннее сопротивление генератора 4 или через резистор 5, величина которого во избежание шунтироваши входа выбирается больше последнего,Применение кремниевого транзистора для 5 питания базы транзистора 1 существенно повышает также стабильность устройства, позиачение ооратного токаго транзистора в 1000 раз меньше, чем у германиевого. Наиболее подходят для этой цели 0 кремниевые транзисторы обратной (и - р - и)проводимости типа МП, П, а также полевые транзисторы.Таким образом, питание базы высокоусилительного германиевого транзистора 1, осуще ствляемое управляемым током, приводит кположительному эффекту, т. е. резкому увеличению входного сопротивления устройства на 2 - 3 порядка.Предлагаемое устройство прп к0 те передачи, близком единице, с- 1 ирсж 1;О 11 одиисио. Коми."стс) ио дс,)дги и.)оцрс)с) и и огрь , и;)и Сос)с .Чи;шс) р )и СССР 11 с).и;),1-35, Р 1 шскоя и,.ц., д5 3:)ки 3111 11 1 ииц,)иф )и, и,) Сии ) ици;). 2 широком интервале температур благодаря налиишо сильной отрицательной обра гной связи но току. Устройство без искажений нсрсласт с:Гнг)л напряжением лос 1. Оно весьма экономя)н 1;). Гак как потребление Ока сосиплясвсси) 0,1+0,15 .)ссс нр)11 папряжения нс)О .1 ик;1 тания - 9+12 о.=1;нггсрны повториель на составном триоле, От.сссчс)сосссссссгтс тем, то, с пельО увели;) с 1:1 я всолнОГО сонро ивлсни)1, к Оазе СГО;Олкло сн змипср логОлнГгельного триода ро,воноложного тнна пров;)лимости, коллскго 11 коОрого зазс:)лс:1, а к базесн н,. Опик вко,)н)О сиГнала
СмотретьЗаявка
1159701
Ю. Ф. Струтынский, Б. С. Эненштейн Геологический
МПК / Метки
МПК: H03F 3/50
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-251011-institut-an-sssr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Институт ан ссср</a>
Предыдущий патент: Усилитель постоянного тока u
Следующий патент: Усилитель низкой частоты
Случайный патент: Плотина