Устройство для регулирования скорости

Номер патента: 107629

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Кузьмин, Цырульников

МПК: H02P 5/20

Метки: вращения, питаемого, постоянного, скорости, усилителя, электродвигателя, электромашинного

...обеих половин компенсационной обмотки равно компенсирующему действию этой обмотки при включении ее обычным способом.На чертеже показана принципиальная электрическая схема описываемого устройства.Двигатель постоянного тока Д питается от электромашинного усилителя ЗМУ. Обмотка управления ОУ усилителя включена на разность напряжения управляющего сигнала Ьс, снимаемого с регулятора, и напряжения обратной связи по противоэлектродвижущей силе двигателя, осуществляемой через короткозамкнутую поперечную цепь усилителя и сопротивление йп. Благодаря предложенному разделению компенсационной обмотки усилителя на две части 1 КО и 2 КО с включением соответственно шунтирующих сопротивлений 1 СК и 2 СК при изменении тока управления усилителя степень...

Номер патента: 957312

Опубликовано: 07.09.1982

Автор: Рассадин

МПК: H01H 49/00

Метки: герконах, импульсных, магнитной, памятью, реле

...ее максимум.Существование такого максимума подтверждается ходом кривых (фиг, 2), которые показывают зависимости времени вибрации 1 контактов импульсного реле с магнитной памятью на герконах типа КЭМот длительности импульсов тока управления 1 при двух значениях МДС обмоток 1 нк. кривая 7 - для 1,н= 1,17 1 мерп,а кривая 8 - для 1 к = 1,67 1 мср.п,где 1 р. в величи МДС срабатывания, определенная при) 1, + 1 в . Как видно, кривая 7 имеет разрыв в интервале длительности 1 и от 120 до 150 мкс (для 1= 1,17 1 ср.о и 1)1, величина 1, составляет 150 мкс). В этом интервале значений 1 после первого соударения контакты расходятся и вновь не замыкаются (время вибрации бесконечно, функция памяти не выполняется), что свидетельствует о возрастании...

Номер патента: 1319102

Опубликовано: 23.06.1987

Автор: Рассадин

МПК: G05B 23/02, H01H 11/04, H01H 49/00

Метки: импульсных, магнитной, памятью, параметров, реле, срабатывания

...контактной системы является замкнутое состояние при конечном зазоре б . Это случай устойчивого срабатывания.При более низком уровне остаточной намагниченности элемента памяти, который достигается, например, при меньшей, чем в первом случае, амплитуде импульса, электромагнитная характеристика (кривая 10) имеет две точки пересечения б, и 5," с механической противодействующей характеристикой 9, а вместе с тем имеются два устойчивых состояния контактной системы соответственно при величинах зазора 8 и 5. Будучи приведенной в замкнутое сотояние, при отсутствии в режиме запоминания значительных механических нагрузок контактная система сохраняет функцию памяти, так как Г(1 )Г(Б ). Но, если в результате внешних механических воздействий в...

Номер патента: 1319103

Опубликовано: 23.06.1987

Автор: Рассадин

МПК: G05B 23/02, H01H 11/04, H01H 49/00

Метки: импульсных, магнитной, памятью, параметров, реле, срабатывания

...подачей в обмотки 7 отпускания импульсов тока, достаточных для его насыщения.Срабатывание реле в зависимости от уровня остаточной намагниченности элемента памяти, который определяется амплитудой (МДС), а также длительностью и формой импульса тока управления, может проис ходить при двух соотношениях электромагнитной Г, (8) и механической противодействующей Р( 5) характеристик, где о - величина зазора между контактами геркона. Так, например, электромагнитная характеристика 8 (фиг. 2) всюду проходит выше механической противодействующей характеристики 9, и поэтому единственным устойчивым состоянием контактной системы является замкнутое состояние при конечном зазоре ок . Характеристика 8 соответствует устойчивому срабатыванию реле, так...

Номер патента: 1778809

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Голговских, Хагемейстер

МПК: G12B 17/02, H01H 45/10

Метки: защиты, магнитных, помех, реле, электромагнитных

...катушке индуктора последовательно подключены компенсирующие катушки 3. Число витков каждой компенсирующей катушки 3 выбирается в 2 - 5 раэ меньше числа витков катушки индуктора 2 с целью компенсации ЭДС, наводимой внешним магнитным полем в компенСирующих катушках, и создания магнитного поля, компенсирующего влияния внешнего магнитного поля,Устройство работает следующим образом.Часть внешнего магнитного потока отводится от защищаемого аппарата магнитопроводом индуктора (фиг. 1). Поэтому напряженность поля внутри индуктора в месте расположения магнитопровода защищаемого аппарата меньше напряженности внешнего магнитного поля в 5 - 10 раз. Индуктор 1 и П-образный магнитопровод 6 шунтируют магнитный поток, происходит защита от статических и...