Датчик давления крови

Номер патента: 1767374

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Архипенко, Григорьян, Литовченко, Соколов, Фандеев

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, мембранного, упругого, элемента

...проиллюстрировано возникновениепроисходит упругий прогиб мембраны 1 неплоскостности наружной поверхностивнутрь (фиг,2 а). После прохода шлифоваль мембраны при традиционном способе ее изного круга мембрана выгибается обратно. готовления, на фиг.3 изображена установкаПри этом возникает неплоскостность на- МУЭ на столе шлифовального станка приружной поверхности мембраны в виде воз- использовании упора; на фиг.4 - шлифовкавышения высотой до 0,05 мм (фиг.2 б). МУЭ, на мембрану которого нанесен слойУказанное явление имеет место даже при 45 сплава металла; на фиг.5 - пример испольминимальной толщине снимаемого за один зования заявляемого способа при изготовпроход слоя металла. Погрешность формы лении упругого элемента датчика силы,наружной...

Номер патента: 1527525

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Буланов, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: блок, давления, датчика, мембранный

...).Диапазон измеренияопределяется толщиной Ь перемычкиконцентратора. Тензочувствительныеэлементы 5 для увеличения их чувствительности расположены у кромки 11концентратора. Концентраторы деформации образованы путем травления выемок 6 поп зоной расположения тензочувствительньгх элементов 5. В зонежес.ткого центра 9 деформации мембраны отсутствуют. Для заделки упругого элемента 1 в корпус датчика 6служит буртик 8, верхняя плоскостькоторого углублена по отношению кверхней плоскости упругого элементана величину 1, а внутренняя кромка10 буртика смещена по отношению ккромке 11 концентраторов (или, тожесамое, по отношению к тензочувствительным элементам) на величину Ь,Реличины 1 и Ь выбраны исходя из следующего.,При 1 с 2 Ь кольцевую втул...

Номер патента: 1675700

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Белозубов, Бещеков, Марин, Шпилев

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, мембранного, чувствительного, элемента

...контакте наружных (нерабочих) его частей с поверхностью деталей датчика в зоне шва профиль рабочей поверхности бойка 1 обеспечивает регламентированную по высоте осадку металла шва на определенной длине . Величину каждого импульса ударной нагрузки Р также выбирают из определенного соотношения. После первого произвольного по месту шва приложения ударного импульса последующий импульс прилагают под углом а к направлению ииложения предыдущего импульса, производя отсчет величины угла а в направлении по часовой стрелке. Процесс приложения импульсов к сварному шву продолжают до тех пар, пака выходной сигнал датчика не достигнет заданных значений (с.балансиройанного начального выходного сигнала), 5 ил. взводят ударный механизм. Частота ударов...

Номер патента: 1739231

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Каримов, Колтаков, Крюков, Попов

МПК: G01L 27/00

Метки: градуировки, давления, датчиков, динамической

...рассчитанном расстоянии от оси,Коэффициент преобразования градуируемого датчика определяется отношением напряжения на его выходе к уровню воспроизводимого переменного давления, определяемого по образцовому датчику,Известное устройство имеет погрешность до 5 ф, ограниченный не более 30 кГц, частотный диапазон, причем рабочие частоты представляют дискретно-линейчатый спектр, амплитудный диапазон не более 100 кПа,Цель изобретения - повышение точности динамической градуировки датчиков давления.Эта цель достигается тем, что усовершенствуется устройство для динамической градуировки датчиков давления, содержащее основание, на котором установлен корпус с заполненной жидкостью импульсной камеры, образованной экспоненциальным ской частью,...

Номер патента: 1812459

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: градуировки, давления, датчик, емкостный

...например электрода, расположенного на опорном основании. Мембрана, опор- . ное основание и диск выполнены из сплава 70 НХБМЮ. На поверхности мембраны с опорным основанием и диска нанесена диэлектрическая пленка в виде композиции А 120 з-Я 02, Электроды выполнены в виде композиции Мо-Й (ТКС=+3,8 10 зС),Способ реализуется следующим обра. зом. Методами тонкопленочной технологии Формируют электроды на мембране, опорном основании и диске, Присоединяют выводные проводники 12 косновным и дополнительным контактным площадкам электродов, Закрепляют диск на опорном основании, например, при помощи лазерной сварки, Присоединяют выводные проводники к гермоконтактам 13. Вэкуумируют и герметизируют корпус. Измеряют электрическое сопротивление каждого...