Преобразователь частоты

Номер патента: 681196

Опубликовано: 25.08.1979

Автор: Мирошниченко

МПК: F01D 21/02

Метки: вала, вращения, датчик, защиты, повышения, системы, турбомашины, частоты

...к внешней поверхности вала 3 турбины. Радиальное. перемещен 1 е бойка 1 ограничивается упором 4, имеющим гарантированный зазор относительно валика 5 бойка. Вал 3 имеет каналы 6 для подвода масла во внутреннюю полость бойка 1 при его испытании. Груз 7 с контргай681196 Экой 8 и винт 9 с гайкой 10 служат длянастройки срабатывания бойка 1 при достижении определенной частоты вращениявала 3.Датчик работает следующим образом.При частоте вращения вала 3 нижеуровня настройки центробежная сила бойка 1 меньше силы предварительного натяга пружины 2, боек 1 своей внутреннейповерхностью прижат. к валу 3 по его на- ф о р м у л а ружной поверхности. С повышением частоты ф Фканалам 6, центр тяжести бойка 1 смещается и, как следствие,...

Номер патента: 1241213

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Мальцев, Шевченко

МПК: G05F 1/585

Метки: двухполярный, источник, напряжений, опорных

...образом.После включения питания выпрямителей 1 и 2 транзисторы 3 и 4 открываются током, протекающим через резисторы 9 и 10, что обеспечиваетзапуск источника; питания.,Появлениенапряжения на зажимах 44 (46) при водит к появлению напряжения навыходах 48 и 50 параметрическогостабилизатора 7 (на выходах 49 и 51стабилизатора 8) и на выходе делителя напряжения образованного резисторами 21, 22 (23, 24). Напряжениес выхода 48(49) параметрического стабилизатора 7(8) усилителем рассогласования, 5(6) сравнивается с напряжением на выходе делителя напряжения,55 образованного резисторами 21, 22 (23, 24). Сигнал рассогласования с выхода усилителя 5(6) поступает в цепь управляющего электрода регулирующего41213 51015 20 3 12 элемента 3(4), регулируя...

Номер патента: 1647647

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Игнатьев, Кошманов, Михайлов, Мызгин, Протасов

МПК: G11C 7/00

Метки: запоминающего, источник, опорного, параметрический, устройства

...22, 26 при изменении уровней напряжений на входах 18 и 19 напряжение на шине 27 должно соответствовать среднему от высокого и низкого логических уровней напряжений на входах 18 и 19, Падение напряжений на резисторах 24 и 25 приводит к формированию низких логических уровней на базах транзисторов 28 и 29, в результате чего эти транзисторы оказываются запертыми и не влияют на уровни напряжений на выходах 30, 31. Падение напряжения на резисторе 32 создается колекторным то. ком транзистора 33, зто напряжение значительно меньше, чем на резисторах 24 и 25, поэтому базовый потенциал транзистора 34 выше чем у транзисторов 28, 29, транзистор 34 формирует уровни напряжений на выходах 30 и 31 в соответствии со следующим выражением: О = -- (О...

Номер патента: 301684

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Розенблат

МПК: G05B 5/01

Метки: источник, опорного

...элементы регулировки 4, 5 коэффициента усиления усилителя б и общая нагрузка. Входы5 усилителей б и 7 подключены к диагоналяммостов,При изменении температуры элементовмостов, например при ее увеличении, напряжение стабилизации стабилитрона может ка10 увеличиваться, так и уменьшаться в зависимости от знака ТКН,Сопротивление терморезистора уменьшаегся, и, соответственно, увеличивается напряжение на стабилитроне. Величина этого изме.15 нения определяется значениями тока стабилизации и терморезистора (см. фиг, 2, поз. в),Характеристика датчика сходна с аналогичной характеристикой терморезистора, и напряжение в диагонали моста М, уменьшается,20 что приводит к возрастанию тока коллектораусилителя 7 и соответствующему уменьшениюпитания моста М...

Номер патента: 750465

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Кузнецов, Пичугина

МПК: G05F 3/08

Метки: источник, опорного

...на транзисторе 1 и-р-п типа, токозадающий резистор 2 и прибор 3 с диодной вольтамперной характеристикой, в качестве которого использована цепочка из Кпараллельно соединенных коллекторных переходов транзисторов 4 п-р-и типа, площадь коллектора каждого из которых равна площади коллектора транзистора 1 опорного элемента.Вольтамперная характеристика предлагаемого источника опорного напряжения приближенно описывается следующей системой уравнений: кэ-м-кд (1) где Ок - напряжение между коллекторои эмиттером транзистора;Ом - напряжение лавинного пробояэмиттерного перехода; инвЯ,к) - инверсный коэффициент передачи по току;3 Д - токи соответственно коллкф зторного и эмиттерного переходов;О - падение напряжения на К паКБКраллельно соединенных...