Магнитоэлектрический прибор

Номер патента: 830593

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Кашин, Курников, Тарасов

МПК: H01F 13/00

Метки: импульсныммагнитным, магнитных, намагничивания, полем, размагни-чивания, систем, элементов

...стабильный по.напряжению сигнал постоянного тока, который поступает на управляющий вход системы 3 импульсно"Фазового управления, Сигнал постоянного тока воздействует на фазосдвигающее устройство, входящее в схему системы 3 импульсно-фазо 20 вого управления, и определяет фазовый сдвиг импульсов на выходе системы 3 в пределах от Т/4 +ти и до Т/2. Каждому значению Фазы импульсного сигнала и, следовательно, моменту включения вентиля 4 или 5 в течение полупериода (Т/2) источника 6 соответствует определенная амплитуда напряжения и величина потенциала, до которого заряжается емкостной накопитель 16 в течение нескольких зарядных циклов. Заряд емкостного накопителя за несколько циклов позволяет снизить потребляемую из сети мощность....

Номер патента: 104886

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Дьяков

МПК: G01C 17/04, G01C 17/26

Метки: ведения, забоя, землесосного, папильонажем, прибор-датчик, снаряда

...ЛВтом;Пчсскогр;ц 1- чсцця поворота сцлрядл и соотвс- стВии с ЗЯДЯПОЙ 112 П 1)ППОЙ зл 05 и с целью лвтсмлтич(око о Ведсии ЗсООЯ В:ЛДсиЦо ЦЛИРЛВГСЦИИ, ;ВП)кки пс) цкллс рлздви лютя цл сотвстствукцций уг, л кцтлктц- уклз 1 тсл 1 иля стрсг 1 кл 1)лсп)г 11 лстС ХСЖДУ ЛВ И Ж Кс М И Ч С. 1 ТО т сскорс икялы, угог 1 котрог, О- рлзусмый дв;жклми, мсППс 180 1.1 ри папильоцлже, т. с. При повт- р 5 поих 51 пряВых и лсвых ПОВОр- ТЛХ СИЛ 1)ЯДЛ (ОИТЯКТЦО-) :.сЗсТЕ,Ь 1 с 51 С 1 Р СГ 1( с сс , С и 5 3 с 1Л Я С .Л 111ТИОИ СИСТСХ 10 Й, СГРСХИТС 51 ДСРЖс 1 Т 1 СЯ В ГЛОСКОСТЦ . сЗГЦ ИТИОГО 31(РИДИсп Ц с, я эгс 1(тричсс 1(ие 1(оитлкты;Вижков вместе со снарядом совсргцяют и- вороты вправо и влево, прц которых контакт стрелки 7 попсрсмсцю Взли - ходсЙствуст...

Номер патента: 269565

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Семеновский, Тарасевич, Фурман, Щербань

МПК: G01N 31/10

Метки: датчиков, приготовления, термохимических, чувствительных, элементов

...скрепляющего раствора на спираль при одновременном нагревании ее электрическим током,Аналогичным приемом производят фиксацию спирали в теле носителя после введенияее в канал окцспоалюмцнцевого цилиндра.Для получения идентичных тепловых пара 5 метров носителя и скрепляющей массы раствор для получения последней готовят из солейметалла, окцсел которого использован для изготовления носителя катализатора.Чувствительные элементы, приготовленные10 по предложенному способу, обладают идентцчнымц электротепловыми и дисперсно-кинетическими характеристиками, а также исключают возможность междувитковых коротких замыканий спцралец термосопротцвлений.15 П р ц м е р. Из окиси алюминия изготовляют полый цилиндр 1 (см. чертеж), на поверхность...

Номер патента: 319196

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пешков, Пивненко

МПК: G01R 1/02

Метки: прибора, чувствительный, элемент

...отличто, с целью повышения чувибора, указанный элемент рямагпитного проводника с окрытием, прп этом магнит- ости, объем провода и покрысоотношени 1НГ - г Н 1 Г 1 с 1 увствителы 1 ы 1 ый, например в 1 а 1 ои 1 ийся тем, ствительпости пр изготовлен из па диамагнитным и 1 ЫЕ ВОСПРИИМЧИВ тия паход 51 тся В Х Н 1 Р бъем где. НР - Н 1 Б -сть ость и объем покрытия, 20 поз вол 51 ет спрпимчивоибора сколь Испол ьз получить сти чувст угодной мВ прово ве провод де Н 1 магнитная восприимчивость и ооъемпроводника,магнитная восприимчивость и объемпокрытия,порядковый номер слоя покрытия. В известных электроизмерит рах чувствительный элемент, вижная рамка, обычно выполи чистой меди с покрытием изо ком, однако у рамок, масса очеЦель изобретения - повыш...

Номер патента: 323643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Конструкторский, Научно, Приборов, Средств

МПК: G01B 7/16

Метки: meaibpahhofo, давления, датчика, чувствительный, элемент

...элемент отличается от известных тем, что тензорезисторы выполнены в виде двух параллельчых полос полупроводника, соединенных между собой на концах перемычками, с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны датчика, а также тем, что все тензорезисторы выполнены из ориентированного в направлении макси мальнсй тензочувствптельности полупроводника.Такое выполнение чувствительного элементапозволяет повысить точность измерения давлеполупроводника, ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности.Полосы 1, 2 соединены между собой перемычками 3, 4 и снабжены контактами 5, располо- Б женными на линии нулевой деформации мембраны б датчика. Полосы 1, 2 и перемычки 3, 4 полупроводника образуют мостовую...