Полупроводниковый термостат
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 196135
Авторы: Высоцкий, Изобретепп, Садиков, Щербина
Текст
ОПИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетсииз Социалистическиз республик:4 м"з",;ЙОт 1, сюе1 А БИ рр-г ,1 ависимое от авт. свидетельства1 хл. 21 а аявлено 11.Х 1.1965 (ЛЪ 1042079/26-9 ПК НО иоритет Комитет обретени о делами открытий У 1 К 536.581(08 6,7.1967, Бюллетеньпубликован и Совете Мииистро СССРта опубликования описания ЗОУ 1.1967-5.вторыгзобретецця ысвцкий, А. П, Садиков и А. Г. Щербина ониц, Ю дявптел ОЛУПРОВОДНИКОВЪ 1 Й ТЕРМОСТА ИЗО,1 ЯЦИИ ИЗ РИСОВОГО КРЯ ХХ ДЛД СОСТЯ ВИЛЯ 0,003 О кка.гггл С, час.Для сравцеция отметим, что теплопров ность воздуха равна 0,02 кка,г,г"С, час, а пенопластов не ниже 0,035 кка,г/лгС, час.Особенегостыо рцсОВОГО крахмала яВляется также и то, то, буду 1 и откгггц до ддвлецц 51 10 влглг рт. ст. при температуре 80 С, Оц прц ОО,гее ццзкцх Гсмперг 1 югх 5 цл 51 сс 51 здхетцым дбсорбец том ггЯ 1, сццгкд 5 дгВсСцце В парах крахмала до 10 в - лгл рт. сг. црц 20-С. одупроводциковыи термостат для термоовацця, например, твердых электронных выполненный в виде герметизированнокана, внутри которого размещена террея и размещенный на цей термостатий элемент, а пространство между стентякяца и размсценными внутри стаках 5 Остятируехых элементом и термобаздцолцецо теплоизолцрующцм материот,гггчагощ 1111 сл тем, что, с целью улучтецлоцзолягпш термостатируемого элеи абсорбции остятксгв газа, в качестве золяцисцшого материала использован гй крахмал. Полстатцрсхем,го стамобатаруемыкдмн сця тетяреейялом,ШЕггЦЯх 1 ецг дтеплоРИСОВ с присоединением заявкиИзвестны полупроводниковые термостаты для термостатирования, например, твердых электронных схем, выполненные в виде герметизировяцного стакана, внутри которого размещена термобатарея, а пространство между стенками стакана и размещенными внутри стакяця терыостятируезЫъ элементом и термобатдреей заполнено теплоизолирующцм материалом.В предложенном полупроводниковом терхгостяте улучшение теплОизоляцци те 11 мостд. тируемого элемента и обеспечение абсорбции остатков газа внутри стакана достигнуто применением в качестве теплоизоляциоцного материала рисового крахмала.На чертеже изображена конструктивная схема полупроводникового термостата.Нд основании 1 с вакуумно-плотнымп вводами 2 установлена термобатарея 3, холодные спаи которой сопряжены с термостатирующим объемом 4. Герметичный кожух 5 сопряжен с основанием 1 пайкой. Воздух из теплоизоляции 6 откачивается через сетчатый фильтр 7 и откячцой штангель 8.Испытание полупроводникового термостатд с габаритными размерами 31 М 50 лл, вакуумироваццого до давления 1,5 ял рт. ст., показало, что эквивалентная теплопроводность Предмет изобретенияед Типография, пр. Сапунова акад 19226 Тирак 535 ПодписноеНИИПИ Комитета по дела д пдобрстецци н открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр, Серова, д. 4
СмотретьЗаявка
1042079
изобретепп А. Н. Воронин, Ю. Н. Высоцкий, А. П. Садиков, А. Г. Щербина
МПК / Метки
Метки: полупроводниковый, термостат
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-196135-poluprovodnikovyjj-termostat.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый термостат</a>
Предыдущий патент: Коаксиальный резонатор
Следующий патент: Способ припайки выводов навесных деталей к проводникам печатной платы
Случайный патент: Вихретоковый зонд для контроля труб парогенератора