Преобразователь температуры в часто” -ч

Номер патента: 428382

Опубликовано: 15.05.1974

МПК: G06F 7/62

Метки: времени, двух, колебаний, разнесенных, разности, цифрового, частот, электрических

...соединен с входной клеммой, вто,рой - ,с выходом генератора эталонной частоты, а выход - с первым, входом второго селектора, второй,вход которого связан через переключатель с выходом делителя частоты, а выход - с входом счетчика импульсов.Такое выполнение устройства позволяет повысить его быстродействие и упростить конструкцию ю.На чертеже показана блок-схема описываемого устройсгва, состоящего из первого временного селектора 1, входного формирователя 2 импульсов, делителя 3 частоты следования импульсов, переключателя 4, счетчика После окончания счета импульсов первойчастоты на вход формирователя 2 подается вторая частота , а выход, делителя 3 под ключается ко второму входу селектора 6. Импульсы второй частоты поступают на первые...

Номер патента: 538463

Опубликовано: 05.12.1976

Автор: Моисеенко

МПК: H02M 7/10

Метки: стабилизации

...цепь транзистора, итранзисторньй ключ 14 разряда конденсатора.Импульсы запуска с формирователя 10, полученные в моменты перехода через куль синусо.иды напряжения сети 50 Гц, поступают на пе.рехад эмиттер-база транзисторного ключа 14,обеспечивая его насыщение, При этом конденсатор 13 разряжается. По окончании действия им.пульса запуска ключ 14 закрывается, а конденсатор 13 на дгиает заряжаться. Ток заряда конденсатора 13 определяется током коллектора транзистора 12, который зависит от потенциала базы равенпотенциалу О на отрицательном зажиме аккумуляторной батареи), потенциала эмиттера (равенпотенциалу источника смещения Оэ ) и резистораа змиттарной цепи. На выходе генератора пилооб.разного напряжения на коллекторе транзистора 12)при...

Номер патента: 1513560

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Кустов, Самсонов, Солнцев, Уляницкий

МПК: H02H 3/08, H02H 7/12

Метки: замыкания, защиты, короткого, нагрузки, перегрузки

...полюсу источника 2 питания. К общей точке предохранителя 1 и токового 20 шунта 3 подключены одни выводы первого 7 и второго 8 конденсаторов, анод диода 9 и эмиттер транзистора 1 О, база которого подключена к дру-гому выводу второго конденсатора 8, 25 Катод диода 9 подключен к другому выводу первого конденсатора 7 непосредственно, а к аноду тиристора 5 и базе транзистора 10 - соответственно через второй 11 и третий 12 резистс ры, а управляющий электрод тиристора 5 через четвертый резистор 13 подключен к коллектору транзистора 10,Устройство работает следующим образом, 35В случае превышения током допустимой величины сигналом из коллекторной цепи транзистора 10 включается тиристор 5, за счет чего шунтируется вход нагрузки в...

Номер патента: 1402190

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Григорьев, Жерлицын, Коваль, Мельников

МПК: H01J 25/00

Метки: генерации, мощных, свч-колебаний

...источника 1 включается и внешний СВЧ-генератор 5. Мощность от внешнего СВЧ-гера 5 по тракту через окно 6 энергии поступает в анод-катод 3 140219 ный промежуток или в промежуток анод- виртуальный катод.Под действием внешней электромагнитной волны осуществляется группи 5 ровка электронного потока, осциллирующего в области катод - виртуальный катод, и изменяется частота механических колебаний частиц.Электроны, попадающие в ускоряющую 1 О полуволну высокочастотного поля, увеличивают свою энергию и теряются на катоде. Электроны, находящиеся в тормозящей фазе волны, остаются в пространстве взаимодействия и длительное 15 время совершают колебания вокруг анода-сетки. Уменьшение энергии этих электронов приводит к уменьшению амплитуды и изменению...

Номер патента: 669300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Пиняев, Порубай

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером

...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...