Способ управления направленностью параметрического излучения

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 19) Г 11) 515 0 151) 5 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР1 ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ВТОРСКОМ ИДЕТЕЛЬСТВ етение относится к чникам звука. Цель е оперативности у раметрич бретения вления ш ОО С 0 того пара(56) Новиков Б.К., Тимошенко В.И. Параметрические антенны в гидролокации, Л,: Судастроение, 1990, с. 42,Назаров В.Е., Сутин А.М. Характеристики параметрического излучателя звука с пузырьковым слоем в дальней зоне, - Акустжурн 1984, т, 30, 3 Ф 6, с. 803-807.(54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ НАПРАВЛЕННОСТЬЮ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ(57) Изобр па еским исто изоповышени пра Изобретение относится к параметрическим источникам звука.Известен способ расширения диаграммы направленности (ДН) параметрического источника звука, заключающийся в создании сферических выпуклых или вогнутых поверхностей исходных преобразователей накачки. Недостатком этого способа является невозможность оперативного управления шириной ДН.Целью изобретения является повышение оперативности управления шириной ДН излучения и ее стабильности,Поставленная цель достигается за счет , что в способе управления шириной ДН метрического источника звука за счет формирования слоя всплывающих пузырьков, формируемых механическим путем, слой пузырьков формируется на звукопрозриной диаграммы направленности и стабильности параметрического источника звука, Формирование пузырькового слоя в области взаимодействия волн накачки, обеспечивающего повышенную нелинейность среды и,как следствие этого, изменения ширины диаграммы направленности излучателя, осуществляют путем электролиза на электропроводящем электроде, расположенном на оси излучателя звука в его ближней или переходной зоне, путем пропускания через электрод и воду импульсного тока с заданными амплитудой и скважинно, стью. При этом электрод размещается перпендикулярно оси излучателя, а. его толщина выбирается значительно меньше четверти длины волны накачки в нем,рачном электропроводящем электроде путем электролиза, В результате этого пузырьковый слой оказывается более контролируемым и стабильным, т.к, образован не всплывающими свободно пузырьками, а связанными с электродом.Электрод размещается в области взаимодействия волн накачки на оси излучателя в его ближней или переходной зоне перпендикулярно оси излучателя, Параметры пузырькового слоя могут регулироваться путем варьирования амплитуды и скважности тока электролиза, Толщина звукопроэрачного электрода выбирается значительно меньше четверти длииы волны накачки в нем.По сравнению с прототипом в предложенном способе резко возрастает оперативность расширения ДН излучения,Заказ 1284 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина. 101 поскольку время, необходимое на формирование приграничного слоя газовых пузырьков,значительно меньше времени, которое необходимо для формирования пузырькового слоя, образующегося в результате 5 всплывания пузырьков. При этом ширина ДН сформировавшегося при прохождении через электрод и приграничный слой пузырьков более стабильна во времени благодаря более ровной и определенной 10 граничной поверхности,Формула изобретенияСпособ управления направленностью параметрического излучения, включающий 15 введение в область взаимодействия исходных волн накачки пузырькового слоя с повышенным параметром акустической нелинейности и облучение его волнами накачки, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения оперативности управления шириной диаграммы направленности излучения и ее стабильности, формирование пузырькового слоя осуществляют посредством электролиза на электропроводящем эвукопрозрачном электроде, расположенном в области взаимодействия волн накачки на оси излучателя в его ближней или переходной зонах перпендикулярно оси излучателя, путем пропускания через электропроводящий звукопрозрачный электрод и воду импульсного тока с заданными амплитудой и скважностью, причем толщина электропроводящего звукопрозрачного электрода выбирается значительно меньше четверти длины волны накачки в нем.